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낮은 에너지 이온빔조사에 의한 폴리머 표면의 전기 전도성 및 기계적 물성향상 장치

  • 기술번호 : KST2015148296
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전기적으로 부도체인 PPO(Poly Phenylene Oxide) 및 MPPO (Modified Poly Phenylene Oxide)등 폴리머 재료에 각종 원소의 이온을 조사하여 그 표면에 전기적 전도성과 기계적 경도 증가 등 물성이 향상되는 새로운 물질을 생성시킬 수 있도록 한 양산 장치에 관한 것으로 더욱 상세하게는 수십 mA 이상의 대전류 이온을 발생시키는 이온원에서 50 - 100 keV 정도의 비교적 낮은 에너지로 가속된 이온들을 전기적 부도체인 PPO 및 MPPO 등 폴리머 재료에 창출된 장치를 이용, 진공 조사하여 표면 전기 저항을 에 이르는 광범위한 영역의 표면 전기 전도도를 갖도록 하는 양산용 이온빔 조사장치에 관한 것으로 불활성 기체(질소,산소,알곤,제논,헬륨 등)인 이온을 약 50-100keV 영역의 에너지로 가속된 이온들을 진공,조사하여 폴리머(PPO,MPPO 등)의 표면 1㎛정도의 물성 변화를 유도하여 처리하는 것을 특징으로 하는 낮은 에너지 이온빔조사에 의한 폴리머 표면의 전기 전도성 및 기계적 물성향상 장치에 관한 것이다.낮은 에너지(50-100keV),폴리머,전기 전도성,기계적 물성,불활성 기체.
Int. CL H01J 37/317 (2006.01.01)
CPC H01J 37/3171(2013.01) H01J 37/3171(2013.01)
출원번호/일자 1020000011038 (2000.03.06)
출원인 한국원자력연구원, 한국전력공사
등록번호/일자 10-0347971-0000 (2002.07.26)
공개번호/일자 10-2001-0086988 (2001.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (20020809) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.03.06)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국전력공사 대한민국 전라남도 나주시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 하장호 대한민국 서울특별시강북구
2 최병호 대한민국 서울특별시서초구
3 조용섭 대한민국 대전광역시유성구
4 이재형 대한민국 대전광역시서구
5 이재상 대한민국 대구광역시수성구
6 주포국 대한민국 서울특별시송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최영규 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***, B동 ***호 새천년 국제특허법률사무소 (가산동, 우림 라이온스밸리)
2 김경식 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, *층 (서초동, 모인터빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국수력원자력 주식회사 경상북도 경주시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2000-0041717-15
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2000-0045759-52
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2001.12.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2001-0141382-18
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0022465-29
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2002.02.08 수리 (Accepted) 9-1-2002-0035497-91
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.03.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0085988-59
8 의견서
Written Opinion		 2002.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2002-0085989-05
9 등록결정서
Decision to grant		 2002.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0258058-73
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2007-5073714-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.06.01 수리 (Accepted) 4-1-2007-5085193-38
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117973-29
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117707-02
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2007-5156605-02
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5153448-46
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2019-5136129-26
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5136893-80
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.03.27 수리 (Accepted) 4-1-2020-5072225-46
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번호 청구항
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장치 조종 제어계통(1)을 사용하여 기체병(13)에서 대전류 이온원(3)에 공급하고,이온원 전원공급장치(2)를 조종하여 대전류 이온원(3) 내부에서 전기방전을 일으켜 고 밀도의 플라즈마를 발생시켜 높은 전압(50-100kV)를 인가시키고 대전류 이온원(3) 다음에 전,자기 편향주사 계통(4)를 설치하여 이온빔을 수평,수직 2방향으로 동시에 주사시키며 표적물을 표적(조사체) 이송 및 회전장치(7)로 연속적으로 조사 대상물품을 이송하며,회전장치(31)(32)로 회전시켜 주어진 각도로 균일하게 조사하고 이온빔 진단장치(6)를 사용,측정하여 이온빔의 2차원 평면에서의 분포가 균일해지도록 대전류 이온원(3)과 전,자기 편향 주사 계통(4)를 조종하는 것을 특징으로 하는 낮은 에너지 이온빔조사에 의한 폴리머 표면의 전기 전도성 및 기계적 물성향상 장치

7 7

제 6 항에 있어서,

양극(17) 구멍을 통하여 나온 고밀도 플라즈마를 빔 인출이 용이하도록 플라즈마 확장컵(21)에서 밀도를 저감시킨 후 여기에 원추형의 가속전극(18)이 이루는 접속형 전기장 구조를 통하여 인출된 이온빔이 가속 및 집속되어 접지전위에 위치한 감속전극(19)을 통과하도록 하고 플라즈마 확장컵(21)은 경계면을 적시에 조절할 수 있도록 플라즈마 집속 전극(20)을 두어 이곳에 적당한 전위를 인가함으로서 빔-플라즈마 경계면을 조절하여 대전류 고휘도의 이온빔 인출이 가능한 것을 특징으로 하는 낮은 에너지 이온빔조사에 의한 폴리머 표면의 전기 전도성 및 기계적 물성향상 장치

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제 6 항에 있어서,

빔 인출계통 즉 양극(17),가속전극(18) 및 감속전극(19)을 이온빔 편향,조사에 적합하도록 슬릿(Slit)형 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 낮은 에너지 이온빔조사에 의한 폴리머 표면의 전기 전도성 및 기계적 물성향상 장치

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제 6 항에 있어서,

대전류 이온원(3)의 후단에 전,자기 편향 주사 계통(4)을 설치하여 대전류 이온빔의 중성화를 최소화하고 넓은 면적의 2차원 균일 조사가 가능한 것을 특징으로 하는 낮은 에너지 이온빔조사에 의한 폴리머 표면의 전기 전도성 및 기계적 물성향상 장치

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제 6 항에 있어서,

전실에 제품을 설치하고 전실 진공 밸브(36)를 이용하여 진공시킨 후 다음 전실 게이트밸브(38)를 열어 제품을 표적 조사실(34)로 이송한 후 회전,직선 운동 계를 사용하여 이온빔이 적당한 량에 도달할 때까지 조사하고 후실 쪽 게이트밸브(39)를 열어 후실로 이동한 후 다시 표적물 배출구(41)를 열어 제품을 진공 밖으로 내보내게 하여 이온빔 조사의 균일성과 3차원적 이온빔 조사를 위한 표적의 직선 및 회전 운동이 가능한 것을 특징으로 하는 낮은 에너지 이온빔조사에 의한 폴리머 표면의 전기 전도성 및 기계적 물성향상 장치

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제 6 항에 있어서,

양면 동시조사 및 다수개의 이온원을 장착할 수 있는 것을 특징으로 하는 낮은 에너지 이온빔조사에 의한 폴리머 표면의 전기 전도성 및 기계적 물성향상 장치

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1 JP03474176 JP 일본 FAMILY
2 JP13294691 JP 일본 FAMILY
3 TW592744 TW 대만 FAMILY
4 US20010038079 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 JP2001294691 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP3474176 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 MY140482 MY 말레이지아 DOCDBFAMILY
4 TW592744 TW 대만 DOCDBFAMILY
5 US2001038079 US 미국 DOCDBFAMILY
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