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빛을 발생시키는 광원; 및상기 광원으로부터 입사되는 입사광의 세기(intensity)를 증가시키도록 상기 입사광이 내부에서 전반사(total reflection)되도록 형성되고, 상기 입사광으로부터 비선형성에 의해 파장이 변환된 발생광이 상기 전반사가 이루어지지 않는 상태로 일측을 통하여 외부로 출력시키도록 형성되는 크리스탈을 포함하고,상기 입사광이 상기 크리스탈의 내부에서 전반사되며 발생되는 공진현상(resonance phenomena)이 안정조건을 만족시키도록, 상기 크리스탈의 일면은 곡면부를 구비하며,상기 크리스탈은 LiIO3 또는 LiINbO3이고, 상기 입사광이 입사되는 크리스탈의 표면은 공기와 직접 접촉하는 것을 특징으로 하는 광 발생장치
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제1항에 있어서,상기 크리스탈의 내부로 상기 입사광을 입사시키도록, 상기 크리스탈과 이격되게 배치되어 소멸파(evanescent wave)에 의해 상기 입사광으로부터 발생되는 빛을 전달받아 상기 크리스탈의 내부로 입사시키는 프리즘을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 발생장치
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제1항에 있어서,상기 발생광의 파장은 상기 입사광의 파장보다 긴 파장으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광 발생장치
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제3항에 있어서,상기 크리스탈의 내부에서 전반사되는 상기 입사광으로부터 상기 발생광을 발생시키도록, 상기 곡면부를 구비하는 크리스탈의 일면은 상기 입사광과 위상 정합(phase matching)이 이루어지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 광 발생장치
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제4항에 있어서,상기 크리스탈은, 상기 크리스탈의 일면에서 전반사된 발생광이 도달하게 되는 다른 일면을 구비하고, 상기 다른 일면은, 지면과 일정 경사를 이루도록 형성되고, 상기 발생광이 흡수되는 것을 감소시키도록 상기 발생광이 상기 크리스탈의 외부로 출력되기 전에 상기 위상 정합을 가능하게 하는 것을 특징으로 하는 광 발생장치
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제1항에 있어서,상기 크리스탈 외부로 출력되는 상기 발생광의 양을 조절하도록, 상기 발생광이 출력되는 상기 크리스탈의 일측에는 반사방지(anti-reflective) 코팅부재가 설치되는 것을 특징으로 하는 광 발생장치
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내부로 입사되는 입사광이 전반사(total reflection)되도록 크리스탈의 반사각도를 형성시키는 단계; 및상기 입사광으로부터 비선형성에 의해 파장이 변환된 발생광이 상기 전반사가 이루어지지 않는 상태로 상기 크리스탈의 일측을 통하여 외부로 출력시키도록 형성시키는 단계를 포함하고, 상기 입사광이 상기 크리스탈의 내부에서 전반사되며 발생되는 공진현상(resonance phenomena)이 안정조건을 만족시키도록, 상기 크리스탈의 일면은 곡면부를 구비하며,상기 크리스탈은 LiIO3 또는 LiINbO3이고, 상기 입사광이 입사되는 크리스탈의 표면은 공기와 직접 접촉하는 것을 특징으로 하는 광 발생방법
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제8항에 있어서,상기 반사각도를 형성시키는 단계는,상기 크리스탈과 이격되어 배치되는 프리즘으로부터 소멸파(evanescent wave)에 의해 상기 크리스탈 내부로 광을 입사시키는 것을 특징으로 하는 광 발생방법
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제9항에 있어서,상기 발생광의 파장의 길이를 조절하도록, 상기 입사광이 상기 크리스탈로 입사되는 각도를 조절하는 것을 특징으로 하는 광 발생방법
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제9항에 있어서,상기 발생광의 파장의 길이를 조절하도록, 상기 크리스탈의 온도를 조절하는 것을 특징으로 하는 광 발생방법
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