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핀 다이오드를 이용한 초소형 동위원소 전지

  • 기술번호 : KST2015148337
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초소형 전지에 관한 것으로, 특히 PIN 반도체소자를 이용한 초소형 전지에 대해 개시한다. 상기와 같은 본 발명은 실리콘 기판위에 형성된 핀 반도체 소자와, 상기 핀 반도체 소자의 P-반도체영역 상부에 형성되는 양전극 및 N-반도체영역 상부에 형성되는 음전극과, 상기 양전극과 상기 음전극사이에 위치하고 방사선을 방출하는 방사능동위원소층과, 상기 전극 및 방사능 동위원소층 상부에 피복되며 방사능 누설을 방지하는 전기부도체를 포함한다. PIN 다이오드, 동위원소,
Int. CL H01L 31/075 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020030051506 (2003.07.25)
출원인 한국원자력연구원
등록번호/일자 10-0592478-0000 (2006.06.15)
공개번호/일자 10-2005-0012519 (2005.02.02) 문서열기
공고번호/일자 (20060623) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.07.25)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장종화 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구소 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2003-0274247-69
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.04.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.05.18 수리 (Accepted) 9-1-2005-0028686-63
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0281313-65
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2005.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2005-0451361-98
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2005.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2005-0518918-12
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2005.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2005-0585080-16
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2005.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2005-0652187-53
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2005.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2005-0728459-82
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2006-0030092-37
11 의견서
Written Opinion
2006.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-0110976-37
12 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.02.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0110985-48
13 등록결정서
Decision to grant
2006.06.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0337462-30
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2007-5073714-01
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.06.01 수리 (Accepted) 4-1-2007-5085193-38
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117707-02
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117973-29
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판위에 형성된 핀 반도체 소자와,상기 핀 반도체 소자의 P-반도체영역 상부에 형성되는 양전극 및 N-반도체영역 상부에 형성되는 음전극과,상기 양전극과 상기 음전극사이에 위치하고, I-반도체 영역에 접해 있으며, 방사선을 방출하는 방사능동위원소층과,상기 전극 및 방사능 동위원소층 상부에 피복되며 방사능 누설을 방지하는 전기부도체를 포함하고 있으며,상기 핀 반도체 소자층의 두께가 방사선의 정지비정보다 얕게 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 초소형 동위원소 전지
2 2
제1항에 있어서, 상기 방사능동위원소층은 Sr-90 또는 기체상의 H-3를 포함함을 특징으로 하는 초소형 동위원소 전지
3 3
삭제
4 4
실리콘 기판위에 형성된 복수의 핀 반도체 소자와,상기 핀 반도체 소자 각각의 P-반도체영역 상부에 형성되는 양전극 및 상기 N-반도체 영역 상부에 형성되는 음전극과,상기 양전극과 상기 음전극사이에 각각 위치하고, I-반도체 영역에 접해 있으며, 방사선을 방출하는 방사능동위원소층과,상기 전극 및 방사능 동위원소층 상부에 피복되며 방사능 누설을 방지하는 전기부도체를 포함하고 있으며,상기 핀 반도체 소자층의 두께가 방사선의 정지비정보다 얕게 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 초소형 동위원소 전지
5 4
실리콘 기판위에 형성된 복수의 핀 반도체 소자와,상기 핀 반도체 소자 각각의 P-반도체영역 상부에 형성되는 양전극 및 상기 N-반도체 영역 상부에 형성되는 음전극과,상기 양전극과 상기 음전극사이에 각각 위치하고, I-반도체 영역에 접해 있으며, 방사선을 방출하는 방사능동위원소층과,상기 전극 및 방사능 동위원소층 상부에 피복되며 방사능 누설을 방지하는 전기부도체를 포함하고 있으며,상기 핀 반도체 소자층의 두께가 방사선의 정지비정보다 얕게 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 초소형 동위원소 전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.