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입사되는 전자와 반응하여 중성자를 발생시키도록 상기 전자의 입사 방향을 따라 차례대로 배치되고, 방사상으로 방출되는 중성자에 대응하여 반응면적이 확대되도록 상기 전자의 입사 방향을 따라 두께 및 밑면의 넓이가 순차적으로 증가하도록 형성되는 복수의 금속판;상기 금속판의 적어도 일부를 감싸도록 상기 금속판을 수용하는 홈을 구비하고, 상기 금속판으로부터 발생되는 중성자의 핵분열 확률을 증가시키도록 상기 중성자의 속도를 감소시키는 감속재; 및상기 중성자와 반응하여 상기 중성자의 양을 증가시키는 베릴륨(Be)으로 이루어지며, 상기 금속판으로부터 발생되는 중성자와 반응하도록 상기 홈에 수용되어 상기 금속판 및 상기 감속재 사이에 배치되고, 방사상으로 방출되는 중성자에 대응하여 상기 금속판보다 두꺼운 두께 및 큰 밑면의 넓이를 구비하는 베릴륨플레이트를 포함하고,상기 홈에는 상기 금속판에서 발생되는 열을 냉각시키는 비활성 기체가 충전되는 것을 특징으로 하는 중성자 발생장치용 표적
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제1항에 있어서,상기 금속판은 알루미늄(Al), 철(Fe), 텅스텐(W), 납(Pb) 및 우라늄(U)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 중성자 발생장치용 표적
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제1항에 있어서,상기 금속판은 탄탈륨(Ta)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 중성자 발생장치용 표적
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제1항에 있어서,상기 비활성 기체는 아르곤(Ar), 네온(Ne) 및 헬륨(He)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 중성자 발생장치용 표적
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제5항에 있어서, 상기 감속재와 상기 베릴륨플레이트는, 상기 감속재와 상기 베릴륨플레이트 사이에 상기 비활성 기체가 유입되어 냉각될 수 있도록, 서로 이격되게 배치되는 것을 특징으로 하는 중성자 발생장치용 표적
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제5항에 있어서,상기 베릴륨플레이트와 상기 금속판은, 상기 베릴륨플레이트와 상기 금속판 사이에 상기 비활성 기체가 유입되어 냉각될 수 있도록, 서로 이격되게 배치되는 것을 특징으로 하는 중성자 발생장치용 표적
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제1항에 있어서,상기 감속재는 납(Pb)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 중성자 발생장치용 표적
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전자를 발생시키는 전자가속기; 및상기 전자가속기로부터 입사되는 전자와 반응하여 중성자를 발생시키는 중성자 발생장치용 표적을 포함하고,상기 중성자 발생장치용 표적은,입사되는 전자와 반응하여 중성자를 발생시키도록 상기 전자의 입사 방향을 따라 차례대로 배치되고, 방사상으로 방출되는 중성자에 대응하여 반응면적이 확대되도록 상기 전자의 입사 방향을 따라 두께 및 밑면의 넓이가 순차적으로 증가하도록 형성되는 복수의 금속판;상기 금속판의 적어도 일부를 감싸도록 상기 금속판을 수용하는 홈을 구비하고, 상기 금속판으로부터 발생되는 중성자의 핵분열 확률을 증가시키도록 상기 중성자의 속도를 감소시키는 감속재; 및상기 중성자와 반응하여 상기 중성자의 양을 증가시키는 베릴륨(Be)으로 이루어지며, 상기 금속판으로부터 발생되는 중성자와 반응하도록 상기 홈에 수용되어 상기 금속판 및 상기 감속재 사이에 배치되고, 방사상으로 방출되는 중성자에 대응하여 상기 금속판보다 두꺼운 두께 및 큰 밑면의 넓이를 구비하는 베릴륨플레이트를 포함하고,상기 홈에는 상기 금속판에서 발생되는 열을 냉각시키는 비활성 기체가 충전되는 것을 특징으로 하는 중성자 발생장치
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