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과불화 화합물(perfluorinated compounds, PFCs)이 유입 후 유출되도록 형성되고, 제1영역과 제2영역을 구비하는 챔버;상기 제1영역에 전자빔을 조사하여 상기 과불화 화합물을 분해하도록 형성되는 전자빔 조사장치; 및상기 제2영역에 설치되어 상기 전자빔에 의하여 분해되지 않은 상기 과불화 화합물을 분해하도록 형성되고, 상기 챔버로부터 전달되는 열에 의해 가열되어 활성이 향상되도록 이루어지는 촉매유닛을 포함하며,상기 챔버는 일방향으로 연장되게 형성되고, 상기 제1영역은 상기 제2영역 전방에 구비되는 것을 특징으로 하는 과불화 화합물 처리 시스템
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제1항에 있어서,상기 제1영역에 대응되는 상기 챔버의 외주면에는 상기 전자빔이 통과 가능한 윈도우가 형성되며,상기 전자빔 조사장치는 상기 윈도우를 덮도록 설치되는 것을 특징으로 하는 과불화 화합물 처리 시스템
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제1항에 있어서,상기 촉매유닛은 선택적으로 교체 가능하게 설치되는 복수의 촉매층을 포함하는 것을 특징으로 하는 과불화 화합물 처리 시스템
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제4항에 있어서,상기 복수의 촉매층은, 상기 전자빔의 직접적인 조사에 의한 손상이 방지되도록, 상기 전자빔 조사장치에서 조사되는 상기 전자빔의 조사 방향과 평행하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 과불화 화합물 처리 시스템
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제4항에 있어서,상기 촉매유닛은, 상기 복수의 촉매층을 지지하고 상기 제2영역에 대응되는 상기 챔버의 내벽에 설치되어 상기 복수의 촉매층으로 열을 전달하도록 형성되는 열전달판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 과불화 화합물 처리 시스템
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제1항에 있어서,상기 제1영역에 대응되는 상기 챔버를 감싸도록 설치되고, 냉각 유체의 순환을 통하여 상기 제1영역의 온도를 조절하도록 이루어지는 제1냉각자켓; 및상기 제2영역에 대응되는 상기 챔버를 감싸도록 설치되며, 냉각 유체의 순환을 통하여 상기 제2영역의 온도를 조절하도록 이루어지는 제2냉각자켓을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 과불화 화합물 처리 시스템
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제1항에 있어서,상기 챔버로부터 유출되는 가스를 분석하여, 상기 과불화 화합물의 농도가 기설정된 농도 이상인 경우 제1밸브를 열어 상기 가스가 상기 챔버로 유입되도록 하고, 상기 과불화 화합물의 농도가 기설정된 농도 이하인 경우 제2밸브를 열어 상기 가스를 방출시키도록 형성되는 가스분석기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 과불화 화합물 처리 시스템
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제1항에 있어서,상기 과불화 화합물은 반도체 공정에서 발생하는 난분해성 온실가스인 것을 특징으로 하는 과불화 화합물 처리 시스템
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제9항에 있어서,상기 과불화 화합물과 상기 반도체 공정에 이용되는 질소 가스를 혼합하여 상기 챔버로 유입시키도록 형성되는 가스혼합기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 과불화 화합물 처리 시스템
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