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2개의 게이트를 가지는 ＭＯＳＦＥＴ 방사선 선량계

기술번호 : KST2015148510
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 2개의 게이트를 가지는 ＭＯＳＦＥＴ 방사선 선량계에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 방사선량 측정 전후의 문턱전압의 차이를 측정함으로써 방사선에 의한 변화를 보다 정확히 측정할 수 있고, 온도의 영향을 받지 않는 방사선 선량계를 제공하는데 있다. 이를 위해 본 발명에 따른 2개의 게이트를 가지는 ＭＯＳＦＥＴ 방사선 선량계는 실리콘 기판에 형성되는 제 1소스 및 제 1드레인과, 상기 제 1소스와 제 1드레인 사이에 형성된 채널 위에 형성되는 제 1게이트 산화막과, 상기 제 1게이트 산화막 위에 형성되는 제 1게이트를 포함하는 제 1 MOSFET 및 실리콘 기판에 형성되는 제 2소스와 및 제 2드레인과, 상기 제 2소스 및 제 2드레인 사이에 형성된 채널 위에 형성되는 제 2게이트 산화막과, 상기 제 2게이트 산화막 위에 형성되는 제 2게이트를 포함하는 제 2 MOSFET을 포함하고, 상기 제 1게이트 산화막의 두께와 제 2게이트 산화막의 두께는 다르게 형성되며, 상기 제 1 MOSFET 및 제 2 MOSFET이 하나의 칩으로 형성되는 방사선 선량계 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 2개의 게이트를 가지는 MOSFET 방사선 선량계를 개시한다. MOSFET, 방사선량, 문턱전압, 게이트 산화막, 방사선 선량계
Int. CL	G01T 1/00 (2006.01) G01T 1/02 (2006.01)
CPC	G01T 1/026(2013.01) G01T 1/026(2013.01) G01T 1/026(2013.01)
출원번호/일자	1020080138746 (2008.12.31)
출원인	한국원자력연구원
등록번호/일자	10-1013178-0000 (2011.01.28)
공개번호/일자	10-2009-0073998 (2009.07.03) 문서열기
공고번호/일자	(20110210) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보	대한민국 \| 1020070141980 \| 2007.12.31
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2008.12.31)
심사청구항수	18

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국원자력연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	노영환	대한민국	대전광역시 유성구
2	노영창	대한민국	서울특별시 강남구
3	강필현	대한민국	전라북도 정읍시
4	이상용	대한민국	대전광역시 유성구
5	전준표	대한민국	전라북도 전주시 덕진구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	이원희	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 **, 성지하이츠빌딩차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국원자력연구원	대한민국	대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2008.12.31	수리 (Accepted)	1-1-2008-0911337-73
2	등록결정서 Decision to grant	2011.01.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0052750-96
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.06.22	수리 (Accepted)	4-1-2012-5134067-95
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.09.16	수리 (Accepted)	4-1-2014-5109542-64

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 실리콘 기판에 형성되는 제 1소스 및 제 1드레인과, 상기 제 1소스와 제 1드레인 사이에 형성된 채널 위에 형성되는 제 1게이트 산화막과, 상기 제 1게이트 산화막 위에 형성되는 제 1게이트를 포함하는 제 1 MOSFET; 및 실리콘 기판에 형성되는 제 2소스 및 제 2드레인과, 상기 제 2소스 및 제 2드레인 사이에 형성된 채널 위에 형성되는 제 2게이트 산화막과, 상기 제 2게이트 산화막 위에 형성되는 제 2게이트를 포함하는 제 2 MOSFET; 을 포함하고, 상기 제 1게이트 산화막의 두께와 제 2게이트 산화막의 두께는 다르게 형성되며, 상기 제 1 MOSFET 및 제 2 MOSFET이 하나의 칩으로 형성되는 방사선 선량계 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 2개의 게이트를 가지는 MOSFET 방사선 선량계
2	2 청구항 1에 있어서, 상기 실리콘 기판은 고농도 불순물로 도핑된 기판에 같은 타입의 저농도 불순물의 에피층이 형성되는 것을 특징으로 하는 2개의 게이트를 가지는 MOSFET 방사선 선량계
3	3 청구항 1에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 게이트 산화막의 두께비는 1
4	4 청구항 1에 있어서, 상기 제 1게이트 산화막은 202 내지 10000 Å이고, 상기 제 2게이트 산화막은 200 내지 2000 Å인 것을 특징으로 하는 2개의 게이트를 가지는 MOSFET 방사선 선량계
5	5 청구항 1에 있어서, 상기 제 1 MOSFET은 n형 MOSFET 또는 p형 MOSFET인 것을 특징으로 하는 2개의 게이트를 가지는 MOSFET 방사선 선량계
6	6 청구항 1에 있어서, 상기 제 2 MOSFET은 n형 MOSFET 또는 p형 MOSFET인 것을 특징으로 하는 2개의 게이트를 가지는 MOSFET 방사선 선량계
7	7 청구항 1에 있어서, 상기 제 1 MOSFET의 초기 문턱전압과 제 2 MOSFET의 초기 문턱전압은 동일하게 설정되는 것을 특징으로 하는 2개의 게이트를 가지는 MOSFET 방사선 선량계
8	8 청구항 1에 있어서, 상기 MOSFET 방사선 선량계는 방사선 조사전 제 1 및 제 2 MOSFET의 문턱전압 차이와 방사선 조사후 제 1 및 제 2 MOSFET의 문턱전압의 차이를 계산하는 방법으로 방사선 선량을 측정하는 것을 특징으로 하는 2개의 게이트를 가지는 MOSFET 방사선 선량계
9	9 청구항 1에 있어서, 방사선 선량에 따른 문턱전압의 변화는 게이트 산화막 두께에 비례하는 것을 특징으로 하는 2개의 게이트를 가지는 MOSFET 방사선 선량계
10	10 실리콘 기판에 형성되는 제 1소스 및 제 1드레인과, 상기 제 1소스와 제 1드레인 사이에 형성된 채널 위에 형성되는 제 1게이트 산화막과, 상기 제 1게이트 산화막 위에 형성되는 제 1게이트를 포함하는 제 1 MOSFET; 및 실리콘 기판에 형성되는 제 2소스 및 제 2드레인과, 상기 제 2소스 및 제 2드레인 사이에 형성된 채널 위에 형성되는 제 2게이트 산화막과, 상기 제 2게이트 산화막 위에 형성되는 제 2게이트를 포함하는 제 2 MOSFET; 을 포함하고, 상기 제 1게이트 산화막의 두께와 제 2게이트 산화막의 두께는 다르게 형성되며, 상기 제 1 MOSFET 및 제 2 MOSFET이 각각 칩으로 형성되는 두 개의 방사선 선량계 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 2개의 게이트를 가지는 MOSFET 방사선 선량계
11	11 청구항 10에 있어서, 상기 실리콘 기판은 고농도 불순물로 도핑된 기판에 같은 타입의 저농도 불순물의 에피층이 형성되는 것을 특징으로 하는 2개의 게이트를 가지는 MOSFET 방사선 선량계
12	12 청구항 10에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 게이트 산화막의 두께비는 1
13	13 청구항 10에 있어서, 상기 제 1게이트 산화막은 202 내지 10000 Å이고, 상기 제 2게이트 산화막은 200 내지 2000 Å인 것을 특징으로 하는 2개의 게이트를 가지는 MOSFET 방사선 선량계
14	14 청구항 10에 있어서, 상기 제 1 MOSFET은 n형 MOSFET 또는 p형 MOSFET인 것을 특징으로 하는 2개의 게이트를 가지는 MOSFET 방사선 선량계
15	15 청구항 10에 있어서, 상기 제 2 MOSFET은 n형 MOSFET 또는 p형 MOSFET인 것을 특징으로 하는 2개의 게이트를 가지는 MOSFET 방사선 선량계
16	16 청구항 10에 있어서, 상기 제 1 MOSFET의 초기 문턱전압과 제 2 MOSFET의 초기 문턱전압은 동일하게 설정되는 것을 특징으로 하는 2개의 게이트를 가지는 MOSFET 방사선 선량계
17	17 청구항 10에 있어서, 상기 MOSFET 방사선 선량계는 방사선 조사전 제 1 및 제 2 MOSFET의 문턱전압 차이와 방사선 조사후 제 1 및 제 2 MOSFET의 문턱전압의 차이를 계산하는 방법으로 방사선 선량을 측정하는 것을 특징으로 하는 2개의 게이트를 가지는 MOSFET 방사선 선량계
18	18 청구항 10에 있어서, 방사선 선량에 따른 문턱전압의 변화는 게이트 산화막 두께에 비례하는 것을 특징으로 하는 2개의 게이트를 가지는 MOSFET 방사선 선량계

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1013178-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20081231 출원 번호 : 1020080138746 공고 연월일 : 20110210 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20110127 청구범위의 항수 : 18 유별 : G01T 1/02 발명의 명칭 : 2개의 게이트를 가지는 ＭＯＳＦＥＴ 방사선 선량계 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국원자력연구원 대전광역시 유성구...

등록료란

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제 1 - 3 년분	금 액	373,500 원	2011년 01월 31일	납입
제 4 년분	금 액	436,000 원	2013년 12월 27일	납입
제 5 년분	금 액	305,200 원	2014년 12월 30일	납입
제 6 년분	금 액	305,200 원	2016년 01월 05일	납입
제 7 년분	금 액	548,800 원	2017년 01월 11일	납입
제 8 년분	금 액	548,800 원	2017년 12월 07일	납입
제 9 년분	금 액	392,000 원	2019년 01월 04일	납입
제 10 년분	금 액	615,000 원	2020년 01월 02일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2008.12.31	수리 (Accepted)	1-1-2008-0911337-73
2	등록결정서	2011.01.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0052750-96
3	출원인정보변경(경정)신고서	2012.06.22	수리 (Accepted)	4-1-2012-5134067-95
4	출원인정보변경(경정)신고서	2014.09.16	수리 (Accepted)	4-1-2014-5109542-64

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