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페실리콘으로부터고순도질화규소분말의제조방법

  • 기술번호 : KST2015148577
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체의 제조에 있어서의 실리콘 웨이퍼 가공 공정에서 발생하는 폐실리콘 슬럿지, 실리콘 잉곳의 상하 절단부 및/또는 폐실리콘 웨이퍼로부터 고순도 질화규소 분말을 얻는 방법에 관한 것이다. 이 방법은 폐실리콘 슬럿지로부터 질화규소 분말을 얻고자하는 경우에는 폐실리콘 슬럿지를 중성 용액, 산성 용액 및 알칼리성 용액으로 각각 세척하고, 각각의 세척후마다 여과하는 단계와; 결과되는 실리콘 분말을 증류수로 세척한후 알콜로 세척하며, 이때 각각의 세척후마다 여과하는 단계와; 상기 실리콘 분말을 건조시키는 단계와; 상기 실리콘 분말을 크기에 따라 분류하는 단계와; 상기 실리콘 분말을 질화 반응 가스와 접촉시켜서 질화시키는 단계를 포함한다. 그리고, 실리콘 잉곳의 상하 절단부 및/또는 폐실리콘 웨이퍼로부터 고순도 질화규소 분말을 얻고자하는 경우에는 실리콘 잉곳의 상하 절단부와 파편, 도가니내의 잔류 실리콘 결정 또는 폐실리콘 웨이퍼를 직경 약 1㎝ 정도의 파편으로 1차 분쇄하는 단계와; 상기 파편을 증류수 및 알콜로 세척하고, 이때 각각의 세척후마다 여과를 실시하는 단계와; 상기 파편을 건조시키는 단계와; 상기 파편을 2차 분쇄하여 미세한 실리콘 분말을 얻는 단계와; 상기 실리콘 분말을 크기에 따라 분류하는 단계와; 상기 실리콘 분말을 질소 반응 가스와 접촉시켜서 질화시키는 단계를 포함한다.
Int. CL C08J 11/00 (2006.01) B29B 17/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019950040046 (1995.11.07)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-0177139-0000 (1998.11.17)
공개번호/일자 10-1997-0027173 (1997.06.24) 문서열기
공고번호/일자 (19990515) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.11.07)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한원택 대한민국 경기도안산시
2 이병우 대한민국 경기도화성군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최홍순 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 *** (가산동, 월드메르디앙벤처센터II)(특허법인세신)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)세미머티리얼즈 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.11.07 수리 (Accepted) 1-1-1995-0159157-48
2 특허출원서
Patent Application		 1995.11.07 수리 (Accepted) 1-1-1995-0159156-03
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.11.07 수리 (Accepted) 1-1-1995-0159158-94
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0084280-13
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.09.04 수리 (Accepted) 1-1-1995-0159159-39
6 의견서
Written Opinion		 1998.09.04 수리 (Accepted) 1-1-1995-0159160-86
7 등록사정서
Decision to grant		 1998.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0470167-50
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.14 수리 (Accepted) 4-1-1999-0005793-30
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2000-0078617-40
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2004-5053909-24
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.02.09 수리 (Accepted) 4-1-2007-5022520-66
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2008-5164358-96
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5178457-80
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.01.20 수리 (Accepted) 4-1-2009-5013686-94
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2010-5161401-06
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

(가) 폐실리콘 슬럿지를 중성 용액, 산성 용액 및 알칼리성 용액으로 각각 세척하고, 각각의 세척후마다 여과하는 단계와; (나) 결과되는 실리콘 분말을 증류수로 세척한후 알콜로 세척하며, 이때 각각의 세척후마다 여과하는 단계와; (다) 상기 실리콘 분말을 건조시키는 단계와; (라) 상기 실리콘 분말을 크기에 따라 분류하는 단계와; (마) 상기 실리콘 분말을 질화 반응 가스와 접촉시켜서 질화시키는 단계를 포함함을 특징으로하는 폐실리콘 슬럿지로부터 고순도 질화규소 분말의 제조 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 질화 반응 가스는 10:0

3 3

(가) 실리콘 잉곳의 상하 절단부와 파편, 도가니내의 잔류 실리콘 결정 또는 폐실리콘 웨이퍼를 직경 약 1㎝ 정도의 파편으로 1차 분쇄하는 단계와; (나) 상기 파편을 증류슈 및 알콜로 세척하고, 이때 각각의 세척후마다 여과를 실시하는 단계와; (다) 상기 파편을 건조시키는 단계와; (라) 상기 파편을 2차 분쇄하여 미세한 실리콘 분말을 얻는 단계와; (마) 상기 실리콘 분말을 크기에 따라 분류하는 단계와; (바) 상기 실리콘 분말을 질소 반응 가스와 접촉시켜서 질화시키는 단계를 포함함을 특징으로 하는 실리콘 잉곳의 상하 절단부와 파편, 도가니내의 잔류 실리콘 결정 또는 폐실리콘 웨이퍼로부터 고순도 질화규소의 제조 방법

4 4

제3항에 있어서, 상기 질화 반응 가스는 10:0

5 5

상부에서 실리콘 분말의 투입구와 하부에서 질화 반응 가스 주입구 및 질화규소 회수구를 지니는 30°~60° 경사진 반응조와; 상기 반응조의 축방향을 따른 중간정도 위치의 반응 영역에 질화반응열을 전달할 수 있도록 상기 반응조의 외측에 설치되는 퍼니스(furnace)를 구비하는 것을 특징으로 하는 질화규소의 연속적 제조 장치

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.