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후막형 가스 센서 어레이 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015148591
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 기판에 복수개의 후막형 가스 센서를 효과적으로 설치할 수 있는 후막형 가스 센서 어레이에 관하여 개시한다. 본 발명은, 기판과, 상기 기판의 상면 및 배면 상에 형성된 복수의 후막 가열부들 및 패드 전극들과, 상기 후막 가열부들을 덮도록 형성된 복수의 보호막들과, 상기 보호막들 상에 형성된 복수의 센서 전극들과, 상기 센서 전극들을 덮도록 형성된 복수의 감지 물질층들로 이루어지는 것을 특징으로 하는 후막형 가스 센서 어레이를 제공한다. 본 발명의 후막형 가스 센서 어레이는 복수개의 센서를 효과적으로 설치할 수 있고, 복수개의 피검가스를 선택적으로 검출할 수 있다.
Int. CL G01N 27/12 (2006.01)
CPC G01N 27/125(2013.01)
출원번호/일자 1019960009559 (1996.03.30)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1997-0066563 (1997.10.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 포기
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.03.30)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박효덕 대한민국 경기도 평택
2 신상모 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이영필 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
2 권석흠 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)(유미특허법인)
3 윤창일 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination
1996.03.30 수리 (Accepted) 1-1-1996-0041076-05
2 특허출원서
Patent Application
1996.03.30 수리 (Accepted) 1-1-1996-0041074-14
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1996.03.30 수리 (Accepted) 1-1-1996-0041075-59
4 등록사정서
Decision to grant
1998.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1996-0015183-10
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.14 수리 (Accepted) 4-1-1999-0005793-30
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2000-0078617-40
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2004-5053909-24
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.02.09 수리 (Accepted) 4-1-2007-5022520-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2008-5164358-96
10 출원인정보변경(경정)신고서
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2008.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5178457-80
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.01.20 수리 (Accepted) 4-1-2009-5013686-94
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2010-5161401-06
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판; 기판의 상면 및 배면 상에 형성된 복수의 후막 가열부들 및 패드 전극들; 상기 후막 가열부들을 덮도록 형성된 복수의 보호막들; 상기 보호막들 상에 형성된 복수의 센서 전극들; 및 상기 센서 전극들을 덮도록 형성된 복수의 감지 물질층들로 이루어지는 것을 특징으로 하는 후막형 가스 센서 어레이

2 2

제1항에 있어서, 상기 기판은 알루미나로 구성되는 것을 특징으로 하는 후막형 가스 센서 어레이

3 3

제1항에 있어서, 상기 후막 가열부들은 백금막 또는 루데늄산화막(RuO2)으로 구성하는 것을 특징으로 하는 후막형 가스 센서 어레이

4 4

제1항에 있어서, 상기 센서 전극들은 백금(Pt)막 또는 Ag와 Pd의 혼합막으로 구성하는 것을 특징으로 하는 후막형 가스 센서 어레이

5 5

제1항에 있어서, 상기 감지 물질층들은 SnO2, TiO2, Fe2O3 및 WO3 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 주물질로 하고, 상기 주물질에 백금족 귀금속 촉매가 소량 첨가하여 구성하는 것을 특징으로 하는 후막형 가스 센서 어레이

6 6

기판의 상면 및 배면 상에 복수의 후막 가열부들 및 패드 전극들을 형성하는 단계; 상기 후막 가열부들을 덮도록 복수의 보호막들을 형성하는 단계; 상기 보호막들 상에 복수의 센서 전극들을 형성하는 단계; 및 상기 센서 전극들을 덮도록 복수의 감지 물질층들을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 후막형 가스 센서 어레이의 제조방법

7 7

제6항에 있어서, 상기 후막 가열부들, 패드 전극들 및 센서 전극들은 백금막을 스크린프린팅법으로 형성 하는 것을 특징으로 하는 후막형 가스 센서 어레이의 제조 방법

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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.