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반도체식 가스 센서 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015148592
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 단순한 공정으로 열효율을 극대화시킬 수 있는 반도체식 가스 센서에 관하여 개시한다. 본 발명은 기판과, 상기 기판 상에 형성되어 전극역할을 담당하는 제1전극패턴과, 상기 제1전극패턴과 이격되어 전극과 가열부 역할을 동시에 수행하는 제2전극패턴과, 상기 제1전극패턴과 제2전극패턴 상에 형성된 감지층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체식 가스 센서를 제공한다. 상기 전극패턴은 Pt 또는 Au패턴으로 구성한다. 본 발명은 단순한 공정으로 반도체식 가스 센서를 제작할 수 있고, 가열부로 사용되는 전극패턴과 감지층이 직접 접촉하여 가스 센서의 열손실을 줄일 수 있다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC G01N 27/4141(2013.01) G01N 27/4141(2013.01)
출원번호/일자 1019960009561 (1996.03.30)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1997-0067602 (1997.10.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.03.30)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박효덕 대한민국 경기도 평택
2 유도준 대한민국 인천광역시 남동구
3 신상모 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이영필 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
2 권석흠 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)(유미특허법인)
3 윤창일 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.03.30 수리 (Accepted) 1-1-1996-0041082-79
2 특허출원서
Patent Application		 1996.03.30 수리 (Accepted) 1-1-1996-0041081-23
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.03.30 수리 (Accepted) 1-1-1996-0041083-14
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1996-0456210-32
5 출원취하서
Request for Withdrawal of Application		 1999.01.11 수리 (Accepted) 1-1-1999-5003392-80
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.14 수리 (Accepted) 4-1-1999-0005793-30
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2000-0078617-40
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2004-5053909-24
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.02.09 수리 (Accepted) 4-1-2007-5022520-66
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2008-5164358-96
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5178457-80
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.01.20 수리 (Accepted) 4-1-2009-5013686-94
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2010-5161401-06
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판; 상기 기판 상에 형성되어 전극 역할을 담당하는 제1전극패턴; 상기 제1전극패턴과 이격되어 전극과 가열부 역할을 동시에 수행하는 제2전극패턴; 및 상기 제1전극패턴과 제2전극패턴 상에 형성된 감지층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체식 가스 센서

2 2

제1항에 있어서, 상기 전극패던은 Pt 또는 Au패턴으로 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체식 가스 센서

3 3

제1항에 있어서, 상기 감지층은 SnO2, In2O3, TiO2, Fe2O3 및 WO3중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체식 가스 센서

4 4

기판; 상기 기판 상에 형성되어 전극 역할을 담당하는 제1전극패턴; 상기 제1전극패턴 및 기판상에 형성되어 전극과 가열부 역할을 동시에 수행하는 병행하는 제2전극패턴; 및 상기 제1전극패턴과 제2전극패턴 상에 형성된 감지층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체식 가스 센서

5 5

제4항에 있어서, 상기 제2전극패던은 RuO2 또는 Ag/Pd막으로 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체식 가스 센서

6 6

기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 강려부 빛 전극 역할을 수행하는 전극패턴과 패드전극을 형성하는 단계; 상기 전극패턴 상에 감지층을 형성한느 단계; 및 상기 패드 전극에 와이어 본딩하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체식 가스 센서의 제조 방법

7 7

제6항에 있어서, 상기 감지층을 형성하는 단계후에 건조 및 소성하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체식 가스 센서의 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.