요약 | 본 발명은 마이크로펄스 글로우방전을 이용하여 피처리물의 표면에 이온질화처리 및 다이아몬드형 탄소막을 코팅하기 위한 방법에 관한 것으로서, 특히 다이아몬드형 탄소막을 증착하기 전에 마이크로펄스 글로우방전을 이용하여 피처리물의 표면을 질화처리함으로써 다이아몬드형 탄소막과 피처리물과의 밀착력을 좋게 한 마이크로펄스 글로우방전을 이용한 이온질화 및 다이아몬드형 탄소막 증착방법에 관한 것이다.본 발명은 진공 반응실 내에 피처리물을 장입하는 피처리물 장입단계와, 피처리물이 장입된 상기 진공 반응실을 진공상태로 만들기 위한 배기단계와, 배기된 상기 진공 반응실에 질소와 수소의 혼합가스를 공급하고 마이크로펄스 전원을 인가하여 질소와 수소의 혼합가스를 마이크로펄스 글로우 방전으로 이온화시켜 피처리물 표면에 묻어 있는 이물질을 제거하는 이물질 제거단계와, 이물질이 제거된 상기 진공 반응실에 질소 가스를 공급하고 활성화시켜 피처리물의 표면에 질소 이온을 침투 또는 확산시키는 질화단계와, 상기 진공 반응실 내에 탄소를 포함하는 반응가스를 공급하여 이온화된 탄소 이온을 피처리물의 표면에 증착시키는 다이아몬드형 탄소막 증착단계 및 상기 다이아몬드형 탄소막이 증착된 피처리물을 상온으로 냉각하는 냉각공정으로 이루지며, 상기 마이크로펄스는 직류전원을 수십 또는 수백 마이크로 세컨드(㎲) 간격으로 단속(온/오프)하여 생성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 마이크로펄스 글로우방전을 이용한 이온질화 및 다이아몬드형 탄소막 증착방법은 이온 질화처리와 다아아몬드형 탄소막의 증착공정을 동일한 진공 반응실에서 연속적으로 수행함으로써 고품질의 코팅막을 형성할 수 있고, 수십 또는 수백 마이크로 세컨드의 펄스주기를 갖는 직류전원을 사용함으로써 아크방전과 이온축적이 일어나지 않으며 고밀도의 플라즈마를 넓은 영역에 걸쳐 형성할 수 있어 대형물 처리의 대량 처리에 적합할 뿐만 아니라 장치의 대형화 비용이 저렴하고 각종 제어부품에 간섭을 일으키는 노이즈가 발생하지 않아 자동화에도 유리한 효과가 있다. |
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Int. CL | C23C 8/24 (2006.01) C23C 14/06 (2006.01) |
CPC | C23C 28/04(2013.01) C23C 28/04(2013.01) C23C 28/04(2013.01) C23C 28/04(2013.01) C23C 28/04(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020000007042 (2000.02.15) |
출원인 | 한국생산기술연구원 |
등록번호/일자 | 10-0333948-0000 (2002.04.11) |
공개번호/일자 | 10-2000-0024450 (2000.05.06) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20020422) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2000.02.15) |
심사청구항수 | 2 |