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반도체 다이오드 레이저 광계측 방법

  • 기술번호 : KST2015148645
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 연소 시스템에서 대기로 방출되는 유해 가스의 농도를 광 계측함에 있어 빠른 응답성과 고 정밀 계측이 가능한 파장 변조 분광기법 및 광섬유를 이용한 반도체 다이오드 레이저 광계측 방법에 관한 것으로, 임의 파형 발생기를 이용하여 생성된 특정 주파수와 크기를 가지는 합성파를 반도체 다이오드 레이저 구동장치의 전류 연결부에 주입하여 레이저 소오스에 걸어주고, 수광부에서 흡수 영역을 통과한 투과 신호에서 조화 신호를 추출함으로써 잡음이 제거된 높은 감도의 신호값을 얻을 수 있을 뿐만 아니라 대상 가스의 농도를 정밀하게 계측할 수 있다. 그리고, 대기 중으로 광을 조사하는 기존의 복잡한 계측 방식과 달리 대상 가스의 흡수 파장에 부합하는 광섬유 부품과 라인을 통하여 계측 시스템을 간단히 구성할 수 있을 뿐만 아니라 연소 장치나 실험 장치에 효과적으로 적용할 수 있는 장점을 가지고 있다. 다이오드 레이저, 파장 변조 분광기법, 비접촉식 계측, 광섬유
Int. CL G01N 21/27 (2006.01)
CPC G01N 21/27(2013.01) G01N 21/27(2013.01) G01N 21/27(2013.01) G01N 21/27(2013.01) G01N 21/27(2013.01)
출원번호/일자 1020030075259 (2003.10.27)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-0481429-0000 (2005.03.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20050408) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.10.27)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김세원 대한민국 서울특별시송파구
2 신명철 대한민국 충청남도천안시
3 차학주 대한민국 부산광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 손민 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, *층(문정동)(특허법인한얼)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충남 천안시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2003-0402384-20
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2004-5053909-24
3 우선심사신청서
Request for Accelerated Examination		 2004.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2004-5120672-12
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.10.18 수리 (Accepted) 9-1-2004-0064648-37
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0458393-68
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2004.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2004-0623127-10
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2005.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2005-0052581-22
9 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.02.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0063629-83
10 의견서
Written Opinion		 2005.02.02 수리 (Accepted) 1-1-2005-0063633-66
11 등록결정서
Decision to grant		 2005.03.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0098874-18
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.02.09 수리 (Accepted) 4-1-2007-5022520-66
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2008-5164358-96
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5178457-80
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.01.20 수리 (Accepted) 4-1-2009-5013686-94
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2010-5161401-06
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
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3 3
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4 4
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가스 셀 내의 가스의 농도를 계측하는 반도체 다이오드 레이저 광계측 방법에 있어서, 임의파형 발생기(21)를 이용하여 램프파와 사인파를 합성한 주파수 파형을 다이오드 레이저 콘트롤러(22)에 주입하고, 상기 콘트롤러(22)로 전류 및 온도를 조절하여 마운트(23)에 주입하고, 그런 다음 상기 마운트(23) 내부의 서미스터로 레이저 소오스의 온도를 피드백하며 상기 마운트(23) 내부의 열-전기 냉각기(TEC)로 온도를 조절하는 것에 의하여 레이저 소오스로부터 안정한 파장의 빔을 확보하는 단계와; 측정하고자 하는 가스가 들어 있는 가스 셀 한쪽 단에서 집광하여 빔을 상기 가스 셀로 발진하고 다른 쪽 단에서 상기 가스 셀을 통과한 빔을 집광하는 단계와; 상기 기준 신호와 가스 셀을 통과한 통과 신호의 빔을 광검출기(15)로 동시에 검출하여 증폭 추출기(14)로 증폭시키는 단계와; 상기 증폭된 신호를 표시하는 단계와; 상기 증폭된 신호의 스펙트럼을 분석하는 단계와; 상기 증폭 신호로부터 보다 정밀한 데이터를 산출하는 단계를 포함하고; 상기 증폭 추출기(14)는 파장변조 분광기법에서 적용된 합성파에 들어가는 기준 사인파를 동시에 주입하여 상을 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이오드 레이저 광계측 방법
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8 8
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9 9
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10 9
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