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나노 단위의 유전탄성체 박막이 구비된 적층형 폴리머액추에이터의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015148706
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 단위의 유전탄성체 박막 및 전극이 순차적으로 적층된 적층형 폴리머 액추에이터의 제조 방법에 관한 것으로서, 나노 단위의 유전탄성체 분자가 용해되어 있는 유전탄성체 용액에 고전압을 인가하여 유전탄성체 분자를 하전시키는 제1 단계와; 상기 하전된 유전탄성체 분자를 스핀 코팅기의 컬렉터 스크린에 분사하는 제2 단계와; 상기 스핀 코팅기의 컬렉터 스크린에 부착된 유전탄성체 분자를 고속으로 회전시키서 나노 단위의 유전탄성체 박막을 형성하는 제3 단계와; 상기 형성된 유전탄성체 박막을 경화시키는 제4 단계와; 상기 경화된 유전탄성체 박막 상에 전극을 적층하는 제5 단계와; 상기 제1 내지 제5 단계를 반복하여, 유전탄성체 박막 및 전극을 순차적으로 적층하는 제6 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 나노 단위의 유전탄성체 박막을 효과적으로 형성할 수 있으며, 이에 따라 폴리머 액추에이터의 구동 전압을 수십 볼트(V) 내외로 획기적으로 낮출 수 있다. 유전탄성체, 액추에이터, 나노, 박막, 적층, 스핀 코팅
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 41/08 (2011.01)
CPC H01L 41/083(2013.01) H01L 41/083(2013.01) H01L 41/083(2013.01) H01L 41/083(2013.01) H01L 41/083(2013.01) H01L 41/083(2013.01)
출원번호/일자 1020050029394 (2005.04.08)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-0617616-0000 (2006.08.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20060901) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.04.08)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이호길 대한민국 경기 안산시 단원구
2 김홍석 대한민국 서울 종로구
3 이성일 대한민국 서울 용산구
4 김진영 대한민국 경기 수원시 장안구
5 이상원 대한민국 경기 의정부시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 다래 대한민국 서울 강남구 테헤란로 ***, **층(역삼동, 한독타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충남 천안시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2005-0184816-74
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.07.12 수리 (Accepted) 9-1-2006-0047349-16
4 등록결정서
Decision to grant
2006.07.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0404557-29
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.02.09 수리 (Accepted) 4-1-2007-5022520-66
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2008-5164358-96
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5178457-80
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.01.20 수리 (Accepted) 4-1-2009-5013686-94
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2010-5161401-06
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노 단위의 유전탄성체(dielectric elastomer) 박막 및 전극이 순차적으로 적층된 적층형 폴리머 액추에이터를 제조하는 방법으로서,나노 단위의 유전탄성체 분자가 용해되어 있는 유전탄성체 용액에 고전압을 인가하여 유전탄성체 분자를 하전시키는 제1 단계와,상기 하전된 유전탄성체 분자를 스핀 코팅기의 컬렉터 스크린에 분사하는 제2 단계와,상기 스핀 코팅기의 컬렉터 스크린에 부착된 유전탄성체 분자를 고속으로 회전시키서, 나노 단위의 유전탄성체 박막을 형성하는 제3 단계와,상기 형성된 유전탄성체 박막을 경화시키는 제4 단계와,상기 경화된 유전탄성체 박막 상에 전극을 적층하는 제5 단계와,상기 제1 내지 제5 단계를 반복하여, 유전탄성체 박막 및 전극을 순차적으로 적층하는 제6 단계를 포함하는 적층형 폴리머 액추에이터의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제3 단계는 고속 회전에 의해 두께가 100 나노미터 이하인 유전탄성체 박막을 형성하는 것인 적층형 폴리머 액추에이터의 제조 방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 단계는1종의 유전탄성체 재료에 유기 용매를 첨가하여 상기 유전탄성체 용액을 준비하는 것인 적층형 폴리머 액추에이터의 제조 방법
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 단계는2종 이상의 유전탄성체 분자에 각각 유기 용매를 첨가하고, 이를 혼합하여 상기 유전탄성체 용액을 준비하는 것인 적층형 폴리머 액추에이터의 제조 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 제3 단계는상기 하전된 2종 이상의 유전탄성체 분자 간에 중합 반응이 일어나도록 유도하는 것인 적층형 폴리머 액추에이터의 제조 방법
6 6
전왜 변형되는 나노 단위 유전탄성체 박막을 제조하는 장치로서,나노 단위의 유전탄성체 분자가 용해되어 있는 유전탄성체 용액을 저장하고, 이를 분사하는 분사기와,상기 분사기에 저장된 유전탄성체 분자를 하전시키는 고전압 발생기와, 상기 하전된 유전탄성체 분자와 전위차가 유발되어, 상기 분사기로부터 분사되는 하전 유전탄성체 분자가 부착되며, 그 유전탄성체 분자를 고속으로 회전시켜서 나노 단위의 유전탄성체 박막을 형성하는 스핀 코팅기를 포함하는 나노 단위 유전탄성체 박막의 제조 장치
7 7
제6항에 있어서, 상기 스핀 코팅기는 두께가 100 나노미터 이하인 유전탄성체 박막을 형성하도록 회전 속도 및 회전 시간이 제어되는 것인 나노 단위 유전탄성체 박막의 제조 장치
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제7항에 있어서, 상기 분사기는 2종 이상의 유전탄성체 분자가 혼합된 유전탄성체 용액을 저장하며,상기 스핀 코팅기는 고속 회전에 의하여 상기 하전된 2종 이상의 유전탄성체 분자 간에 중합 반응이 일어나도록 유도하는 것인 나노 단위 유전탄성체 박막의 제조 장치
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