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1) 디아민을 용매에 용해한 후 디안하이드라이드를 반응시켜 폴리이미드 전구체를 제조하고, 2) 상기 폴리이미드 전구체를 단계적으로 100℃, 200℃, 300℃, 350℃의 온도로 열경화시켜 이미드화한 다음, 3) 열경화에 의해 생성된 폴리이미드 절연막에 1 내지 400KGy 세기의 방사선을 조사하여서 되는 것을 특징으로 하는 반도체 및 전자재료용 폴리이미드 절연막을 제조하기 위한 폴리이미드 공중합체의 개질방법
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1) 폴리실록산계 화합물을 용매에 용해한 후 디안하이드라이드를 반응시키고,2) 용매에 용해된 디아민 용액에 상기 1)에서 얻어진 반응액을 적가하여 폴리이미드 전구체를 제조하고,3) 상기 폴리이미드 전구체를 열경화시켜 이미드화한 다음,4) 열경화에 의해 생성된 폴리이미드 절연막에 방사선을 조사하여서 되는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 공중합체의 개질 방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 디안하이드라이드가 피로멜리틱디안하이드라이드 (PMDA), 비페닐테트라카르복실릭디안하이드라이드 (BPDA), 4,4'-벤조페논테트라카르복실릭 디안하이드라이드 (BTDA), 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판 디안하이드라이드 (6FDA), 4,4' -(2,2,2-트리플루오로 -1-페닐에틸리덴)디프탈릭 안하이드라이드 (3FDA), 3,3', 4,4'-디페닐술폰테트라카르복실릭디안하이드라이드 (DSDA), 12,14-디페닐 -12,14-비스(트리플루오로메틸)-12H,14H-5,7-디옥사펜타센-2,3,9,10-테트라카르복실릭디안하이드라이드 (PXPXDA), 1,4-비스(트리플루오로메틸)-2,3,5,6-벤젠테트라카르복실릭디안하이드라이드 (P6FDA) 및 1-(트리플루오로메틸)-2,3,4,6- 벤젠테트라카르복실릭디안하이드라이드 (P3FDA)로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 디아민이 ρ-페닐렌디아민(PPD), m-페닐렌디아민 (MPD), 4,4-옥시디아닐린 (ODA), 4, 4'-메틸렌디아닐린 (MDA), 4,4'-디아미노디페닐술폰 (DDS), 트리플루오로메틸벤지딘 (TFMB), 트리플루오로메톡시벤지딘 (TFMOB), 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판 (4-BDAF), 2,5-비스(4-아미노페닐)-l,3,4-옥사디아졸 (BAO), 4,4'-(9-플루오레닐리덴)디아닐린 (BAPF), 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐 (TFDB), 1,4-테트라플루오로페닐렌 디아민 (TFPDA) 및 4,4'-옥타플루오로벤지딘 (OFB)으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 디아민의 용매가 N-메틸피롤리돈, 디메틸포름아마이드, 디메틸아세트아마이드, 테트라메틸우레아 및 디메틸설폭싸이드 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
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제 2항에 있어서, 상기 폴리실록산계 화합물이 메틸히드로겐폴리실록산, 디메틸폴리실록산 및 메틸페닐폴리실록산 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
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제 2항에 있어서, 상기 폴리실록산계 화합물의 용매가 테트라하이드로퓨란, 클로로포름 및 에테르 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
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제 1항 또는 제 2항에 따른 방법으로 제조된 반도체 및 전자재료용 폴리이미드 절연막
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