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적외 파장의 레이저광을 발출하는 반도체 레이저와;상기 반도체 레이저로부터 발출된 광을 집광하여 출력하는 집광렌즈와;상기 집광렌즈를 통해 입사된 광에 의해 이테르븀(Yb) 이온이 상위 변환 여기되어 1050nm∼1150nm 파장대역과 상기 이테르븀(Yb) 첨가 광섬유에서 흡수가 이루어지지 않은 반도체 레이저의 발출광 즉, 950nm∼975nm 파장대역의 적외광을 각각 출력하는 이테르븀(Yb) 첨가 광섬유와;상기 이테르븀 첨가 광섬유로부터 발출 입사된 적외광을 950nm∼975nm 파장대역과 1050nm∼1150nm 파장대역으로 분배 출력하는 커플러와;상기 커플러를 통해 분배된 적외광 중 공진기의 유도방출로 발진된 1050nm∼1150nm 파장대역의 광에 의해 툴륨(Tm) 이온이 상위 변환 여기되어 480nm 파장대역의 청색광을 출력하는 툴륨(Tm) 첨가 광섬유와;상기 커플러를 통해 분배된 적외광 중 공진기의 유도방출로 발진된 950nm∼975nm 파장대역의 광에 의해 에르븀(Er) 이온이 상위 변환 여기되어 525nm 파장대역의 녹색광을 출력하는 에르븀(Er) 첨가 광섬유와;상기 커플러를 통해 분배된 각 파장의 적외광이 각각 툴륨(Tm) 첨가 광섬유 측과 에르븀(Er) 첨가 광섬유 측으로 유도방출에 의해 증폭 발진되도록 하는 공진기를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 희토류 원소가 첨가된 광섬유 가시광선 레이저
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제 1 항에 있어서, 상기 공진기는 이테르븀(Yb) 첨가 광섬유의 입력단으로부터 커플러를 포함하여 툴륨(Tm) 첨가 광섬유의 입력단 사이와, 상기 이테르븀(Yb) 첨가 광섬유의 입력단으로부터 커플러를 포함하여 에르븀(Er) 첨가 광섬유의 입력단 사이에 반사소자를 각각 설치하여 구성하되;상기 이테르븀(Yb) 첨가 광섬유의 입력단과 툴륨(Tm) 첨가 광섬유의 입력단에는 각각 제 1, 2 반사소자를 설치하여 하나의 공진기 구조를 이루고, 상기 에르븀(Er) 첨가 광섬유의 입력단에는 제 3 반사소자를 설치하여 상기 이테르븀(Yb) 첨가 광섬유의 입력단에 설치된 제 1 반사소자와 제 3 반사소자를 통해 또 하나의 공진기 구조를 이루는 것을 특징으로 하는 희토류 원소가 첨가된 광섬유 가시광선 레이저
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제 2 항에 있어서, 상기 제 1 반사소자는 미러, 광섬유 회절격자(FBG), 이테르븀(Yb) 첨가 광섬유의 입력단이 코팅된 코팅단면 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 희토류 원소가 첨가된 광섬유 가시광선 레이저
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제 2 항에 있어서, 상기 제 2 반사소자는 미러 또는 툴륨(Tm) 첨가 광섬유의 입력단이 코팅된 코팅단면인 것을 특징으로 하는 희토류 원소가 첨가된 광섬유 가시광선 레이저
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제 2 항에 있어서, 상기 제 3 반사소자는 미러 또는 에르븀(Er) 첨가 광섬유의 코팅된 코팅단면인 것을 특징으로 하는 희토류 원소가 첨가된 광섬유 가시광선 레이저
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6
적외 파장의 레이저광을 발출하는 반도체 레이저와;상기 반도체 레이저로부터 발출된 광을 집광하여 출력하는 집광렌즈와;상기 집광렌즈를 통해 입사된 광에 의해 이테르븀(Yb) 이온이 상위 변환 여기되어 1050nm∼1150nm 파장대역과 상기 이테르븀(Yb) 첨가 광섬유에서 흡수가 이루어지지 않은 반도체 레이저의 발출광 즉, 950nm∼975nm 파장대역의 적외광을 각각 출력하는 이테르븀(Yb) 첨가 광섬유와;상기 이테르븀(Yb) 첨가 광섬유로부터 공진기의 유도방출로 발진된 1050nm∼1150nm 파장대역과 950nm∼975nm 파장대역의 적외광에 의해 툴륨(Tm)-에르븀(Er) 이온이 상위 변환 여기되어 480nm 파장대역의 청색광과 525nm 파장대역의 녹색광을 출력하는 툴륨(Tm)-에르븀(Er) 첨가 광섬유와;상기 이테르븀(Yb) 첨가 광섬유로부터 발진된 각 파장의 적외광이 툴륨(Tm)-에르븀(Er) 첨가 광섬유 측으로 유도방출에 의해 증폭 발진되도록 하는 공진기를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 희토류 원소가 첨가된 광섬유 가시광선 레이저
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제 6 항에 있어서, 상기 공진기는 이테르븀(Yb) 첨가 광섬유의 입력단으로부터 툴륨(Tm)-에르븀(Er) 첨가 광섬유의 입력단 사이에 제 1, 2 반사소자를 각각 설치 구성함과 아울러, 상기 이테르븀(Yb) 첨가 광섬유의 입력단과 툴륨(Tm)-에르븀(Er) 첨가 광섬유의 입력단에 설치된 제 1, 2 반사소자에 의해 하나의 공진기 구조를 이루는 것을 특징으로 하는 희토류 원소가 첨가된 광섬유 가시광선 레이저
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제 7 항에 있어서, 상기 제 1 반사소자는 미러, 광섬유 회절격자(FBG), 이테르븀(Yb) 첨가 광섬유의 입력단이 코팅된 코팅단면 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 희토류 원소가 첨가된 광섬유 가시광선 레이저
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제 7 항에 있어서, 상기 제 2 반사소자는 미러 또는 툴륨(Tm)-에르븀(Er) 첨가 광섬유의 입력단이 코팅된 코팅단면인 것을 특징으로 하는 희토류 원소가 첨가된 광섬유 가시광선 레이저
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10
적외 파장의 레이저광을 발출하는 반도체 레이저와; 상기 반도체 레이저로부터 발출된 광을 집광하여 출력하는 집광렌즈와; 상기 집광렌즈를 통해 입사된 광에 의해 이테르븀(Yb) 이온이 상위 변환 여기되어 1050nm∼1150nm 파장대역과 상기 이테르븀(Yb) 첨가 광섬유에서 흡수가 이루어지지 않은 반도체 레이저의 발출광 즉, 950nm∼975nm 파장대역의 적외광을 각각 출력하는 이테르븀(Yb) 첨가 광섬유와; 상기 이테르븀(Yb) 첨가 광섬유로부터 공진기의 유도방출로 발진된 1050nm∼1150nm 파장대역과 950nm∼975nm 파장대역의 적외광에 의해 툴륨(Tm)-에르븀(Er) 이온이 상위 변환 여기되어 480nm 파장대역의 청색광과 525nm 파장대역의 녹색광을 출력하는 툴륨(Tm)-에르븀(Er) 첨가 광섬유와; 상기 이테르븀(Yb) 첨가 광섬유로부터 발진된 각 파장의 적외광이 툴륨(Tm)-에르븀(Er) 첨가 광섬유 측으로 유도방출에 의해 증폭 발진되도록 이테르븀(Yb) 첨가 광섬유의 입력단과 툴륨(Tm)-에르븀(Er) 첨가 광섬유의 입력단에 제 1, 2 반사소자를 각각 설치하여 이루어진 공진기로 구성되되;상기 툴륨(Tm)-에르븀(Er) 이온의 상위 변환 여기에 의해 출력되는 청색광 및 녹색광의 레이저가 제 2 반사소자로부터 100% 반사작용이 이루어지지 않고 상기 반도체 레이저 측으로 되돌아가 상기 반도체 레이저를 손상시키는 것을 방지할 수 있도록 상기 제 2 반사소자의 양측과 상단에 각각 2개의 렌즈(제 1, 2 렌즈)와 1개의 반사소자(제 4 반사소자)가 설치 구성된 것을 특징으로 하는 희토류 원소가 첨가된 광섬유 가시광선 레이저
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제 11 항에 있어서, 상기 제 2 반사소자는 툴륨(Tm)-에르븀(Er) 이온의 상위 변환 여기에 의해 출력되는 청색광 및 녹색광의 레이저가 상기 반도체 레이저 측으로 되돌아가지 않고 제 4 반사소자 측으로 대응 반사될 있도록 상기 제 4 반사소자와 대응되게 경사져 설치된 것을 특징으로 하는 희토류 원소가 첨가된 광섬유 가시광선 레이저
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12
제 11 항에 있어서, 상기 제 1 반사소자는 미러, 광섬유 회절격자(FBG), 이테르븀(Yb) 첨가 광섬유의 입력단이 코팅된 코팅단면 중 어느 하나로 이루어지고, 상기 제 2 반사소자는 미러, 툴륨(Tm)-에르븀(Er) 첨가 광섬유의 입력단이 코팅된 코팅단면 중 어느 하나로 이루어지며, 상기 제 4 반사소자는 미러인 것을 특징으로 하는 희토류 원소가 첨가된 광섬유 가시광선 레이저
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