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일산화규소 나노분말 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015148932
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 SiO2 파우더와 활성 C 파우더를 혼합하는 혼합 단계, SiO2 파우더와 활성 C 파우더의 혼합물을 가열하여 SiO 증기와 CO 증기를 발생시키는 가열 단계 및 CO를 배출하며 SiO 증기를 냉각하여 증착시키는 증착 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 SiO 나노 분말의 제조 방법을 제공한다.일산화규소, 이산화규소, 산화규소, 증착
Int. CL B82B 3/00 (2006.01) C01B 33/113 (2006.01)
CPC C01B 33/113(2013.01) C01B 33/113(2013.01) C01B 33/113(2013.01) C01B 33/113(2013.01)
출원번호/일자 1020090060586 (2009.07.03)
출원인 한국생산기술연구원, 주식회사 코닉글로리
등록번호/일자 10-1161148-0000 (2012.06.25)
공개번호/일자 10-2011-0003010 (2011.01.11) 문서열기
공고번호/일자 (20120629) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.07.03)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
2 주식회사 코닉글로리 대한민국 서울특별시 강남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조명제 대한민국 서울특별시 서초구
2 고영주 대한민국 서울특별시 서초구
3 김휘준 대한민국 경기 용인시 수지구
4 배정찬 대한민국 광주 북구
5 이주호 대한민국 충청남도 공주시
6 김하림 대한민국 인천광역시 계양구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이광연 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 ** (역삼동) 뉴서울빌딩 ***호(리앤김국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
2 주식회사 코닉글로리 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0407065-50
2 보정요구서
Request for Amendment
2009.07.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0047573-81
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2009-0430349-51
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2010-5161401-06
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.01.25 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.02.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0011228-86
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0173327-45
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0401793-99
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0502141-32
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0592779-83
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.08.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0592778-37
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0036701-28
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0133294-98
14 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2012.02.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0133295-33
15 등록결정서
Decision to Grant Registration
2012.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0170213-69
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.12.11 수리 (Accepted) 4-1-2012-5260207-68
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-0061512-66
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리카(SiO2:이산화규소) 분말과 활성 카본(C) 분말을 혼합하여 펠렛 형태로 제작하는 혼합 단계;SiO2 분말과 활성 카본 분말의 혼합물을 가열실 내에서 가열하여 SiO 증기와 CO 증기를 발생시키는 가열 단계; SiO 증기가 냉각되는 것을 방지하도록 가열하며 가열실에서 발생한 SiC 증기와 CO 증기를 연결관을 통해 증착실로 이동시키는 이동 단계; 및증착실의 개방면에 설치된 필터를 통해 CO를 배출하며 SiO 증기를 냉각하여 증착시키는 증착 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 SiO 나노 분말의 제조 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,가열 단계는, 500 ~ 900 Torr의 압력 및 1750 ~ 1820 ℃의 온도 하에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 SiO 나노 분말의 제조 방법
4 4
제3항에 있어서,가열 단계는, 진공으로 만든 다음, Ar으로 분위기 압력을 조정하는 것을 특징으로 하는 SiO 나노 분말의 제조 방법
5 5
삭제
6 6
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.