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고순도 이산화규소 나노 분말 제조 장치

  • 기술번호 : KST2015149030
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 SiO 증기와 O2 가스를 반응시키는 단계 및 SiO2 증기를 냉각하여 증착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고순도 SiO2 나노 분말 제조 방법을 제공한다.이산화규소, 고순도, 제조, 정련
Int. CL C01B 33/12 (2006.01) C01B 33/039 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC C01B 33/18(2013.01) C01B 33/18(2013.01) C01B 33/18(2013.01) C01B 33/18(2013.01)
출원번호/일자 1020090060589 (2009.07.03)
출원인 한국생산기술연구원, 주식회사 코닉글로리
등록번호/일자 10-1182178-0000 (2012.09.06)
공개번호/일자 10-2011-0003013 (2011.01.11) 문서열기
공고번호/일자 (20120912) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.07.03)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
2 주식회사 코닉글로리 대한민국 서울특별시 강남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조명제 대한민국 서울특별시 서초구
2 고영주 대한민국 서울특별시 서초구
3 김휘준 대한민국 경기 용인시 수지구
4 배정찬 대한민국 광주 북구
5 이주호 대한민국 충청남도 공주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이광연 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 ** (역삼동) 뉴서울빌딩 ***호(리앤김국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
2 주식회사 코닉글로리 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0407069-32
2 보정요구서
Request for Amendment
2009.07.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0047290-65
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2009-0430352-99
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2010-5161401-06
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.04.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0183652-58
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.06.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0425794-96
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.06.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0425793-40
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0764152-58
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.02.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0147220-03
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0147219-56
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
13 등록결정서
Decision to grant
2012.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0503361-29
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.12.11 수리 (Accepted) 4-1-2012-5260207-68
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-0061512-66
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
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번호 청구항
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3 3
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4 4
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5 5
삭제
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반응액을 저장하는 용기;일단이 반응액 내에 잠기며, (+) 전류를 흘리는 (+) 전극;일단이 반응액 내에 잠기며, (-) 전류를 흘리는 (-) 전극;캐리어 가스와 함께 SiO2 분말을 반응액 내로 유입시킬 수 있는 유입관;유입관 상에 설치되는 체크 밸브;를 포함하는 것을 특징으로 하는 SiO 나노분말의 고순도화 장치
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소정의 공간을 정의하며, 가열 장치, 압력 조절관이 설치되는 가열실;가열로에서 발생한 증기를 안내하며, 가스 유입관이 설치되는 연결관; 및소정의 공간을 정의하며, 연결관을 통해 유입된 증기 중 CO 가스를 배출할 수 있는 개방면, 개방면을 덮는 필터, SiO2 증기가 증착될 수 있는 증착면 및 증착면을 냉각시키는 냉각장치를 구비하는 증착실;을 포함하는 것을 특징으로 하는 SiO2 나노 분말 제조 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.