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면광원 제작을 위한 보조전극을 적층시킨 유기발광소자 및 그 제조방법.

  • 기술번호 : KST2015149101
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판, 제 1 전극, 유기물층 및 제 2 전극이 차례로 적층되는 유기발광소자에 관한 것으로서, 상기 유기발광소자는 상기 제 1 전극 또는 제 2 전극과 상기 유기물층 사이에 식각율을 제어하는 다층 구조의 보조전극이 적층되는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 수명이 연장되고, 언더컷(under-cut)이 발생되지 않아 발광의 불균일이 개선되는 효과를 가지며, 이는 유기발광소자 및 그 제조방법에 적용된다.
Int. CL H01L 51/52 (2006.01)
CPC H01L 51/5215(2013.01)
출원번호/일자 1020130133478 (2013.11.05)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1499027-0000 (2015.02.27)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150309) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.11.05)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안재석 대한민국 광주 광산구
2 최범호 대한민국 광주 광산구
3 박철영 대한민국 광주광역시 북구
4 장하준 대한민국 광주광역시 광산구
5 이종호 대한민국 광주광역시 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-1007169-80
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.07.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0063744-90
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.09.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0618232-81
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.11.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1079183-75
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.11.10 수리 (Accepted) 1-1-2014-1079182-29
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
8 등록결정서
Decision to grant
2015.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0125341-64
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판, 제 1 전극, 유기물층 및 제 2 전극을 포함하고,상기 제 1 전극 또는 제 2 전극과 상기 유기물층 사이에 식각율을 제어하는 다층 구조의 보조전극이 적층되는 유기발광소자에 있어서, 상기 보조전극은,한 쌍의 산화방지층;상기 한 쌍의 산화방지층 사이에 형성된 복수개의 금속층; 및상기 금속층 중 상호 인접하는 양 금속층 사이에 형성되는 금속 산화물층을 포함하고,상기 금속층과 상기 금속 산화물층은 교호적으로 적층되며,상기 금속층은 Al, Ag, Cu, Au, Nb, W, Cr 중에서 어느 하나 또는 이들 중 적어도 2개의 합금 박막으로 적층되고,상기 금속 산화물층은 Al2O3, Cr2O3, NiO 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기발광소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 보조전극은,일측으로부터 산화방지층, 금속층, 금속산화물층, 금속층, 및 산화방지층의 순서의 구조로 층을 형성한 적층구조;일측으로부터 산화방지층, 금속층, 금속산화물층, 금속층, 금속산화물층, 금속층, 및 산화방지층의 순서의 구조로 층을 형성한 적층구조; 및일측으로부터 산화방지층, 금속층, 금속산화물층, 금속층, 금속산화물층, 금속층, 금속산화물층, 금속층, 및 산화방지층의 순서의 구조로 층을 형성한 적층구조;중 어느 하나의 적층구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
3 3
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4 4
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5 5
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6 6
제 1항에 있어서,상기 보조전극은 상기 제 1 전극과 제 2 전극 중 양극으로 마련되는 어느 하나의 전극과 상기 유기물층 사이에 적층되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
7 7
기판, 제 1 전극, 유기물층 및 제 2 전극이 적층되고,상기 제 1 전극 또는 제 2 전극과 상기 유기물층 사이에 식각율을 제어하는 다층구조의 보조전극이 적층되는 유기발광소자 제조방법에 있어서,상기 보조전극은 적어도 한 쌍의 산화방지층 사이에 형성되는 적어도 복수개의 금속층 및 상기 금속층 중 상호 인접하는 양 금속층 사이에 형성되는 금속 산화물층을 포함하고,상기 금속층과 상기 금속 산화물층은 교호적으로 적층되며,상기 금속층은 Al, Ag, Cu, Au, Nb, W, Cr 중에서 어느 하나 또는 이들 중 적어도 2개의 합금박막으로 적층되고,상기 금속 산화물층은 Al2O3, Cr2O3, NiO 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 보조전극은,일측으로부터 산화방지층, 금속층, 금속산화물층, 금속층, 및 산화방지층의 순서의 구조로 층을 형성한 적층구조;일측으로부터 산화방지층, 금속층, 금속산화물층, 금속층, 금속산화물층, 금속층, 및 산화방지층의 순서의 구조로 층을 형성한 적층구조; 및일측으로부터 산화방지층, 금속층, 금속산화물층, 금속층, 금속산화물층, 금속층, 금속산화물층, 금속층, 및 산화방지층의 순서의 구조로 층을 형성한 적층구조;중 어느 하나의 적층구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법
9 9
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10 10
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11 11
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12 12
제 7항에 있어서,상기 보조전극은 상기 제 1 전극과 제 2 전극 중 양극으로 마련되는 어느 하나의 전극과 상기 유기물층 사이에 적층되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 기획재정부 한국생산기술연구원 산업계연계형 플랫폼형 R&D 기술지원 사업 Digital CVD 공정을 이용한 저온, 고밀도 저결함 무기 passivation 박막증착 공정 구현