요약 | 본 발명은 기판, 제 1 전극, 유기물층 및 제 2 전극이 차례로 적층되는 유기발광소자에 관한 것으로서, 상기 유기발광소자는 상기 제 1 전극 또는 제 2 전극과 상기 유기물층 사이에 식각율을 제어하는 다층 구조의 보조전극이 적층되는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 수명이 연장되고, 언더컷(under-cut)이 발생되지 않아 발광의 불균일이 개선되는 효과를 가지며, 이는 유기발광소자 및 그 제조방법에 적용된다. |
---|---|
Int. CL | H01L 51/52 (2006.01) |
CPC | H01L 51/5215(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020130133478 (2013.11.05) |
출원인 | 한국생산기술연구원 |
등록번호/일자 | 10-1499027-0000 (2015.02.27) |
공개번호/일자 | |
공고번호/일자 | (20150309) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2013.11.05) |
심사청구항수 | 6 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국생산기술연구원 | 대한민국 | 충청남도 천안시 서북구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 안재석 | 대한민국 | 광주 광산구 |
2 | 최범호 | 대한민국 | 광주 광산구 |
3 | 박철영 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
4 | 장하준 | 대한민국 | 광주광역시 광산구 |
5 | 이종호 | 대한민국 | 광주광역시 동구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인아이엠 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국생산기술연구원 | 대한민국 | 충청남도 천안시 서북구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2013.11.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1007169-80 |
2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2014.07.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2014.08.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-2014-0063744-90 |
4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2014.09.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0618232-81 |
5 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2014.11.10 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-1079183-75 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.11.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-1079182-29 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.01.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5006834-98 |
8 | 등록결정서 Decision to grant |
2015.02.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0125341-64 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2018.07.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5123030-77 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 기판, 제 1 전극, 유기물층 및 제 2 전극을 포함하고,상기 제 1 전극 또는 제 2 전극과 상기 유기물층 사이에 식각율을 제어하는 다층 구조의 보조전극이 적층되는 유기발광소자에 있어서, 상기 보조전극은,한 쌍의 산화방지층;상기 한 쌍의 산화방지층 사이에 형성된 복수개의 금속층; 및상기 금속층 중 상호 인접하는 양 금속층 사이에 형성되는 금속 산화물층을 포함하고,상기 금속층과 상기 금속 산화물층은 교호적으로 적층되며,상기 금속층은 Al, Ag, Cu, Au, Nb, W, Cr 중에서 어느 하나 또는 이들 중 적어도 2개의 합금 박막으로 적층되고,상기 금속 산화물층은 Al2O3, Cr2O3, NiO 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기발광소자 |
2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 보조전극은,일측으로부터 산화방지층, 금속층, 금속산화물층, 금속층, 및 산화방지층의 순서의 구조로 층을 형성한 적층구조;일측으로부터 산화방지층, 금속층, 금속산화물층, 금속층, 금속산화물층, 금속층, 및 산화방지층의 순서의 구조로 층을 형성한 적층구조; 및일측으로부터 산화방지층, 금속층, 금속산화물층, 금속층, 금속산화물층, 금속층, 금속산화물층, 금속층, 및 산화방지층의 순서의 구조로 층을 형성한 적층구조;중 어느 하나의 적층구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 |
3 |
3 삭제 |
4 |
4 삭제 |
5 |
5 삭제 |
6 |
6 제 1항에 있어서,상기 보조전극은 상기 제 1 전극과 제 2 전극 중 양극으로 마련되는 어느 하나의 전극과 상기 유기물층 사이에 적층되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 |
7 |
7 기판, 제 1 전극, 유기물층 및 제 2 전극이 적층되고,상기 제 1 전극 또는 제 2 전극과 상기 유기물층 사이에 식각율을 제어하는 다층구조의 보조전극이 적층되는 유기발광소자 제조방법에 있어서,상기 보조전극은 적어도 한 쌍의 산화방지층 사이에 형성되는 적어도 복수개의 금속층 및 상기 금속층 중 상호 인접하는 양 금속층 사이에 형성되는 금속 산화물층을 포함하고,상기 금속층과 상기 금속 산화물층은 교호적으로 적층되며,상기 금속층은 Al, Ag, Cu, Au, Nb, W, Cr 중에서 어느 하나 또는 이들 중 적어도 2개의 합금박막으로 적층되고,상기 금속 산화물층은 Al2O3, Cr2O3, NiO 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법 |
8 |
8 제 7 항에 있어서,상기 보조전극은,일측으로부터 산화방지층, 금속층, 금속산화물층, 금속층, 및 산화방지층의 순서의 구조로 층을 형성한 적층구조;일측으로부터 산화방지층, 금속층, 금속산화물층, 금속층, 금속산화물층, 금속층, 및 산화방지층의 순서의 구조로 층을 형성한 적층구조; 및일측으로부터 산화방지층, 금속층, 금속산화물층, 금속층, 금속산화물층, 금속층, 금속산화물층, 금속층, 및 산화방지층의 순서의 구조로 층을 형성한 적층구조;중 어느 하나의 적층구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법 |
9 |
9 삭제 |
10 |
10 삭제 |
11 |
11 삭제 |
12 |
12 제 7항에 있어서,상기 보조전극은 상기 제 1 전극과 제 2 전극 중 양극으로 마련되는 어느 하나의 전극과 상기 유기물층 사이에 적층되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 제조방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
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1 | 기획재정부 | 한국생산기술연구원 | 산업계연계형 플랫폼형 R&D 기술지원 사업 | Digital CVD 공정을 이용한 저온, 고밀도 저결함 무기 passivation 박막증착 공정 구현 |
공개전문 정보가 없습니다 |
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특허 등록번호 | 10-1499027-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
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1 |
출원 연월일 : 20131105 출원 번호 : 1020130133478 공고 연월일 : 20150309 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20150224 청구범위의 항수 : 6 유별 : H01L 51/52 발명의 명칭 : 면광원 제작을 위한 보조전극을 적층시킨 유기발광소자 및 그 제조방법. 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
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1 |
(권리자) 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 139,500 원 | 2015년 03월 02일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 120,400 원 | 2018년 01월 02일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 86,000 원 | 2019년 01월 02일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 86,000 원 | 2019년 12월 23일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2013.11.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1007169-80 |
2 | 선행기술조사의뢰서 | 2014.07.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 | 2014.08.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-2014-0063744-90 |
4 | 의견제출통지서 | 2014.09.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0618232-81 |
5 | [명세서등 보정]보정서 | 2014.11.10 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-1079183-75 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.11.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-1079182-29 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.01.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5006834-98 |
8 | 등록결정서 | 2015.02.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0125341-64 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2018.07.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5123030-77 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1415124806 |
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세부과제번호 | 10028401 |
연구과제명 | OLED 기술을 이용한 조명용 면광원 기술개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 200611~201310 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
과제고유번호 | 1415131342 |
---|---|
세부과제번호 | 10043654 |
연구과제명 | 미세회로(L/S 15/15 ㎛) 패턴 형성을 위한 대면적 dual ion-beam 개발 및 이를 이용한 차세대 Rigid PCB 제작 기술 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 산업통상자원부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 201212~201511 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1711009633 |
---|---|
세부과제번호 | JX130001 |
연구과제명 | 플랫폼형 R&D 기술지원 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 201301~201312 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | 기타 |
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