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탄탈륨-인듐-아연-옥사이드계 아몰퍼스 산화물 합성방법

  • 기술번호 : KST2015149153
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 아몰퍼스 산화물 및 그것을 이용한 전계효과 트랜지스터에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 인듐, 아연 함유물에 탄탈룸을 함유하여 전하의 농도를 제어하여 비정질 상태로 합성한 Ta-In-Zn-O계 아몰퍼스 산화물, 상기 산화물 합성방법 및 상기 산화물을 포함하여 형성된 채널층을 구비한 전계효과 트랜지스터에 관한 것이다.
Int. CL C01G 35/00 (2006.01) C01G 15/00 (2006.01) H01L 51/30 (2006.01) C01G 9/00 (2006.01)
CPC C01G 35/006(2013.01) C01G 35/006(2013.01) C01G 35/006(2013.01) C01G 35/006(2013.01)
출원번호/일자 1020120042735 (2012.04.24)
출원인 한국생산기술연구원, 오병윤
등록번호/일자 10-1480908-0000 (2015.01.05)
공개번호/일자 10-2013-0079084 (2013.07.10) 문서열기
공고번호/일자 (20150113) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020110140637   |   2011.12.22
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.24)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
2 오병윤 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김광영 대한민국 서울 강동구
2 오병윤 대한민국 광주광역시 광산구
3 이영준 대한민국 광주 남구
4 김주형 대한민국 인천 연수구
5 허기석 대한민국 광주 북구
6 박재철 대한민국 전남 장성군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
2 오병윤 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2012-0327214-06
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.04.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.12.31 수리 (Accepted) 9-1-2014-0000052-04
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.01.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0004819-92
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.03.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0208553-24
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.03.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-0208385-50
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2014-5088578-69
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0516075-49
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0900787-44
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-1019806-26
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.10.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1019807-72
13 등록결정서
Decision to grant
2014.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0788422-46
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.06.02 수리 (Accepted) 4-1-2016-5070951-01
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
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번호 청구항
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실리콘 기판을 탈지세정 및 건조하여 준비하는 기판 준비단계;산화아연(ZnO)이 50 wt
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제 5 항에 있어서,상기 증착단계는 상기 인듐아연산화물 타겟 및 상기 탄탈룸산화물 타겟의 전력을 각각 150W 및 100W로 제어하는 전력제어 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 Ta-In-Zn-O계 아몰퍼스 산화물 합성방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 증착단계는 상기 아르곤 가스 및 산소 가스의 가스분압을 각각 22 내지 24
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11 11
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 기획재정부 한국생산기술연구원 산업계연계형 Wide band-gap을 갖는 투명 반도체 증착 공정 개발 및 AMOLED 응용을 위한 투명반도체 소자 제작 (3/3)