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인듐-아연-탄탈룸을 포함하는 Ta-In-Zn-O계 아몰퍼스 산화물
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제 1 항에 있어서,Ta/(Ta+In+Zn)의 함량이 5∼15 at
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제 1 항에 있어서, 투과도가 80% 이상인 것을 특징으로 하는 Ta-In-Zn-O계 아몰퍼스 산화물
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제 1 항에 있어서,전자캐리어 농도가 1018/cm3 이하인 것을 특징으로 하는 Ta-In-Zn-O계 아몰퍼스 산화물
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In2O3과 ZnO가 50 wt
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제 5 항에 있어서,상기 동시 증착하는 단계는 Ar/O2과 탄탈룸산화물 타겟의 전력을 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 Ta-In-Zn-O계 아몰퍼스 산화물 합성방법
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7
제 6 항에 있어서,상기 전력을 제어함으로써 얻어지는 조성비 변화를 통해 상기 산화물의 전기적 특성이 제어되는 것을 특징으로 하는 Ta-In-Zn-O계 아몰퍼스 산화물 합성방법
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8
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항의 Ta-In-Zn-O계 아몰퍼스 산화물을 채널층으로 포함하는 전계효과 트랜지스터
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9
제 8 항에 있어서, SiO2, Al2O3, SiNx, HfO2 를 포함하는 그룹에서 선택된 어느 하나 이상의 물질로 구성된 단층구조 또는 다층구조의 절연체를 게이트 절연체로 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
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10
제 8 항에 있어서, 소스/드레인과 게이트 전극 중 어느 하나 이상이 Ti/Au, Al, Ta, Mo
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제 8 항에 있어서, 상기 전계효과 트랜지스터는 유리기판, 금속기판, 플라스틱 기판 또는 플라스틱 필름 상에 제작되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
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12
제 8 항에 있어서, 상기 Ta-In-Zn-O계 아몰퍼스 산화물은 전자캐리어 농도가 1018/cm3 미만인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
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13
제 8 항에 있어서, 상기 Ta-In-Zn-O계 아몰퍼스 산화물은 전자캐리어 농도가 1017/cm3 미만인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
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제 8 항에 있어서, 상기 Ta-In-Zn-O계 아몰퍼스 산화물은 전자캐리어 농도가 1016/cm3 미만인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
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제 8 항에 있어서, 상기 Ta-In-Zn-O계 아몰퍼스 산화물은 전자이동도가 0
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