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알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물, 무기입자를 포함하는 조성물, 경화물, 이의 용도 및 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015149164
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 복합체에서 우수한 내열특성, 구체적으로, 낮은 열팽창계수(CTE, Coefficient of Thermal Expansion)와 높은 유리전이 온도 또는 Tg 리스를 나타내며 별도의 실란커플링제를 필요로 하지 않는 알콕시실릴계 에폭시 화합물 및 무기입자를 포함하는 조성물과 경화물 및 이의 용도에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 알콕시실릴계 에폭시 화합물 및 무기입자; 및 에폭시 화합물, 무기입자 및 경화제를 포함하는 에폭시 조성물; 및 이의 경화물 및 용도가 제공된다. 본 발명에 의한 알콕시실릴계 에폭시 화합물 및 무기입자를 포함하는 조성물의 복합체는 알콕시실릴계 에폭시 화합물 중 알콕시실릴기와 충전제의 화학적 결합뿐만 아니라 알콕시실릴계 에폭시 화합물의 알콕시실릴기간의 화합결합에 의해 에폭시 복합체 형성시, 화합결합 효율이 향상되며, 따라서, 우수한 내열특성, 즉, 낮은 CTE 와 높은 유리전이온도 혹은 Tg 리스를 나타낸다.
Int. CL C07F 7/08 (2006.01) C07D 407/12 (2006.01) C07D 303/12 (2006.01)
CPC C07F 7/08(2013.01) C07F 7/08(2013.01) C07F 7/08(2013.01)
출원번호/일자 1020130011711 (2013.02.01)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1520764-0000 (2015.05.11)
공개번호/일자 10-2013-0135733 (2013.12.11) 문서열기
공고번호/일자 (20150515) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020120059437   |   2012.06.01
대한민국  |   1020120074197   |   2012.07.06
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.01)
심사청구항수 75

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전현애 대한민국 경기 성남시 분당구
2 박수진 대한민국 경기 안산시 상록구
3 박숙연 대한민국 경기 군포시 오금로 **, *
4 김윤주 대한민국 서울 강남구
5 탁상용 대한민국 부산 중구
6 박성환 대한민국 경기 군포시 수리산로 **, *
7 강경남 대한민국 경기 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2013-0097771-65
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0799015-24
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.01.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0043615-21
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2015-0043614-86
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
6 등록결정서
Decision to grant		 2015.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0302173-42
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 AI 내지 DI로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물 또는 상기 에폭시 화합물의 폴리머; 및 무기입자를 포함하는 에폭시 조성물
2 2
하기 화학식 AI 내지 DI로 구성되는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물 또는 상기 에폭시 화합물의 에폭시 폴리머; 무기입자; 및 경화제를 포함하는 에폭시 조성물
3 3
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 R1 내지 R3 는 에톡시기인 에폭시 조성물
4 4
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물은 상기 화학식 AI 내지 DI로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 일종인 에폭시 조성물
5 5
제 4항에 있어서, 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물은 상기 화학식 DI인 에폭시 조성물
6 6
제 5항에 있어서, 상기 화학식 DI에서 Y는 - C(CH3)2 -인 에폭시 조성물
7 7
제 4항에 있어서, 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물은 하기 화학식 M의 화합물 중 하나인 에폭시 조성물
8 8
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 폴리머는 하기 화학식 AP 내지 DP로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 일종의 에폭시 폴리머인 에폭시 조성물
9 9
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 글리시딜에테르계 에폭시 화합물, 글리시딜계 에폭시 화합물, 글리시딜아민계 에폭시 화합물, 글리시딜에스테르계 에폭시 화합물, 고무 개질된 에폭시 화합물, 지방족 폴리 글리시딜계 에폭시 화합물 및 지방족 글리시딜 아민계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 에폭시 화합물을 추가로 포함하는 에폭시 조성물
10 10
제 9항에 있어서, 상기 에폭시 화합물은 코어구조로 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 비페닐, 나프탈렌, 벤젠, 티오디페놀, 플루오렌(fluorene), 안트라센, 이소시아누레이트, 트리페닐메탄, 1,1,2,2-테트라페닐에탄, 테트라페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 아미노페놀, 시클로 지방족, 또는 노볼락 유니트를 갖는 에폭시 조성물
11 11
제 10항에 있어서, 상기 에폭시 화합물은 코어구조로 비스페놀 A, 비페닐, 나프탈렌, 또는 플루오렌을 갖는 에폭시 조성물
12 12
제 9항에 있어서, 에폭시 화합물의 총 중량을 기준으로 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물 10 내지 100wt% 및 글리시딜에테르계 에폭시 화합물, 글리시딜계 에폭시 화합물, 글리시딜아민계 에폭시 화합물, 글리시딜에스테르계 에폭시 화합물, 고무 개질된 에폭시 화합물, 지방족 폴리 글리시딜계 에폭시 화합물 및 지방족 글리시딜 아민계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 최소 일종의 에폭시 화합물 0wt% 내지 90wt%로 포함하는 에폭시 조성물
13 13
제 12항에 있어서, 에폭시 화합물의 총 중량을 기준으로 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물 30 내지 100wt% 및 글리시딜에테르계 에폭시 화합물, 글리시딜계 에폭시 화합물, 글리시딜아민계 에폭시 화합물, 글리시딜에스테르계 에폭시 화합물, 고무 개질된 에폭시 화합물, 지방족 폴리 글리시딜계 에폭시 화합물 및 지방족 글리시딜 아민계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 최소 일종의 에폭시 화합물 0wt% 내지 70wt% 로 포함하는 에폭시 조성물
14 14
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 무기입자는 실리카, 지르코니아, 티타니아, 알루미나, 질화규소 및 질화알루미늄으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 금속산화물, 및 T-10형 실세스퀴녹산, 래더(ladder)형 실세스퀴녹산, 및 케이지형 실세스퀴녹산으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 에폭시 조성물
15 15
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 무기입자는 에폭시 조성물의 총 중량을 기준으로 5wt% 내지 95wt%인 에폭시 조성물
16 16
제 15항에 있어서, 상기 무기입자는 에폭시 조성물의 총 중량을 기준으로 30wt% 내지 95wt%인 에폭시 조성물
17 17
제 15항에 있어서, 상기 무기입자는 에폭시 조성물의 총 중량을 기준으로 5wt% 내지 60wt%인 에폭시 조성물
18 18
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 경화촉진제를 추가로 포함하는 에폭시 조성물
19 19
제 1항 또는 제 2항의 에폭시 조성물을 포함하는 전자재료
20 20
제 9항의 에폭시 조성물을 포함하는 전자재료
21 21
제 1항 또는 제 2항의 에폭시 조성물을 포함하는 기판
22 22
제 9항의 에폭시 조성물을 포함하는 기판
23 23
제 1항 또는 제 2항의 에폭시 조성물을 포함하는 필름
24 24
제 9항의 에폭시 조성물을 포함하는 필름
25 25
제 1항 또는 제 2항의 에폭시 조성물로 이루어진 기재층 상에 금속층을 포함하는 적층판
26 26
제 25항에 있어서, 상기 적층판을 포함하는 인쇄배선판
27 27
제 26항에 있어서, 상기 인쇄배선판을 포함하는 반도체 장치
28 28
제 9항의 에폭시 조성물로 이루어진 기재층 상에 금속층을 포함하는 적층판
29 29
제 28항에 있어서, 상기 적층판을 포함하는 인쇄배선판
30 30
제 29항에 있어서, 상기 인쇄배선판을 포함하는 반도체 장치
31 31
제 1항 또는 제 2항의 에폭시 조성물을 포함하는 반도체 패키징 재료
32 32
제 31항의 반도체 패키징 재료를 포함하는 반도체 장치
33 33
제 9항의 에폭시 조성물을 포함하는 반도체 패키징 재료
34 34
제 33항의 반도체 패키징 재료를 포함하는 반도체 장치
35 35
제 1항 또는 제 2항의 에폭시 조성물을 포함하는 접착제
36 36
제 9항의 에폭시 조성물을 포함하는 접착제
37 37
제 1항 또는 제 2항의 에폭시 조성물을 포함하는 도료
38 38
제 9항의 에폭시 조성물을 포함하는 도료
39 39
제 1항 또는 제 2항의 에폭시 조성물을 포함하는 복합재료
40 40
제 9항의 에폭시 조성물을 포함하는 복합재료
41 41
제 1항 또는 제 2항의 에폭시 조성물의 경화물
42 42
제 9항의 에폭시 조성물의 경화물
43 43
제 41항에 있어서, 상기 경화물은 열팽창계수가 60ppm/℃이하인 경화물
44 44
제 42항에 있어서, 상기 경화물은 열팽창계수가 60ppm/℃이하인 경화물
45 45
제 41항에 있어서, 상기 경화물은 유리전이온도가 100℃ 보다 높거나 유리전이온도를 나타내지 않는 경화물
46 46
제 42항에 있어서, 상기 경화물은 유리전이온도가 100℃ 보다 높거나 유리전이온도를 나타내지 않는 경화물
47 47
하기 화학식 (AS) 내지 (DS)중 어느 하나의 출발물질과 하기 화학식 B1의 알릴화합물을 염기 및 임의의 용매 존재하에서 반응시켜서 하기 화학식 (A11) 내지 (D11) 중 어느 하나의 중간생성물(11)을 형성하는 제 1단계; 상기 중간생성물(11)중 어느 하나를 임의의 용매 존재하에서 전자기파를 조사하여 하기 화학식 (A12) 내지 (D12) 중 어느 하나의 중간생성물(12)를 형성하는 제 2단계; 상기 중간생성물(12) 중 어느 하나와 에피클로로히드린을 염기 및 임의의 용매 존재하에서 반응시켜서 하기 화학식 (A13) 내지 (D13) 중 어느 하나의 중간생성물(13)를 형성하는 제 3단계; 임의로 상기 중간생성물(13) 중 어느 하나와 과산화물을 임의의 염기 및 임의의 용매 존재하에서 반응시켜서 하기 화학식 (A13') 내지 화학식 (D13') 중 어느 하나의 중간생성물 (13')를 형성하는 임의의 제 3-1단계; 및 상기 중간생성물(13) 중 어느 하나 또는 상기 중간생성물(13') 중 어느 하나와 하기 화학식 B2의 알콕시실란을 금속촉매 및 임의의 용매 존재 하에서 반응시키는 제 4단계를 포함하는 화학식 A(14) 내지 D(14) 중 어느 하나의 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
48 48
하기 화학식 (AS) 내지 (DS)중 어느 하나의 출발물질과 하기 화학식 B1의 알릴화합물을 염기 및 임의의 용매존재하에서 반응시켜서 하기 화학식 (A11) 내지 (D11) 중 하나의 중간생성물(11)을 형성하는 제 1단계; 상기 중간생성물(11)중 어느 하나를 임의의 용매 존재하에서 전자기파를 조사하여 하기 화학식 (A12) 내지 (D12) 중 어느 하나의 중간생성물(12)를 형성하는 제 2단계; 상기 중간생성물(12) 중 어느 하나와 하기 화학식 B1의 알릴화합물을 염기 및 임의의 용매 존재하에서 반응시켜서 하기 화학식 (A23) 내지 (D23)중 어느 하나의 중간생성물(23)을 형성하는 제 2-1 단계; 상기 중간생성물(23)을 임의의 용매 존재하에서 전자기파를 조사하여 하기 화학식 (A24) 내지 (D24) 중 어느 하나의 중간생성물(24)를 형성하는 제 2-2 단계; 상기 중간생성물(24)중 어느 하나와 에피클로로히드린을 염기 및 임의의 용매 존재하에서 반응시켜서 하기 화학식 (A25) 내지 (D25) 중 하나의 중간생성물(25)를 형성하는 제 3단계; 임의로 상기 중간생성물(25) 중 어느 하나와 과산화물을 임의의 염기 및 임의의 용매 존재하에서 반응시켜서 하기 화학식 (A25') 내지 화학식 (D25')의 중간생성물 (25')를 형성하는 임의의 제 3-1단계; 및 상기 중간생성물(25) 중 어느 하나 또는 상기 중간생성물(25') 중 어느 하나와 하기 화학식 B2의 알콕시실란을 금속촉매 및 임의의 용매 존재하에서 반응시키는 제 4단계를 포함하는 하기 화학식 (A26) 내지 (D26)중 어느 하나의 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
49 49
제 47항 또는 제 48항에 있어서, 상기 제 1단계는 상기 출발물질의 히드록시기 1 당량에 대하여 상기 화학식 B1의 알릴화합물의 알릴기가 0
50 50
제 47항 또는 제 48항에 있어서, 상기 제 1단계는 상온 내지 100℃로 1시간 내지 120시간 동안 행하여지는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
51 51
제 47항 또는 제 48항에 있어서, 상기 제 1단계에서 상기 염기는 KOH, NaOH, K2CO3, Na2CO3, KHCO3, NaHCO3, NaH, 트리에틸아민, 및 디이소프로필에틸 아민으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
52 52
제 47항 또는 제 48항에 있어서, 상기 제 1단계에서 상기 용매는 아세토니트릴, 테트라하이드로퓨란, 메틸에틸케톤, 디메틸 포름아미드, 디메틸 술폭사이드 및 메틸렌 클로라이드로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
53 53
제 47항 또는 제 48항에 있어서, 상기 제 2단계는 120℃ 내지 250℃의 온도로 1분 내지 1000분 동안 행하여지는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
54 54
제 47항 또는 제 48항에 있어서, 상기 제 2단계에서 상기 용매는 자일렌, 1,2-다이클로로벤젠, 및 N,N-다이에틸아닐린으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
55 55
제 47항 또는 제 48항에 있어서, 상기 제 2단계에서 전자기파는 마이크로파인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
56 56
제 48항에 있어서, 상기 제 2-1 단계는 상기 중간생성물(12)의 히드록시기 1 당량에 대하여 상기 화학식 B1의 알릴화합물의 알릴기가 0
57 57
제 48항에 있어서, 상기 제 2-1 단계는 상온 내지 100℃로 1시간 내지 120시간 동안 행하여지는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
58 58
제 48항에 있어서, 상기 제 2-1 단계에서 상기 염기는 KOH, NaOH, K2CO3, Na2CO3, KHCO3, NaHCO3, NaH, 트리에틸아민, 및 디이소프로필에틸 아민으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
59 59
제 48항에 있어서, 상기 제 2-1 단계에서 상기 용매는 아세토니트릴, 테트라하이드로퓨란, 메틸에틸케톤, 디메틸 포름아미드, 디메틸 술폭사이드 및 메틸렌 클로라이드로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
60 60
제 48항에 있어서, 상기 제 2-2 단계는 120℃ 내지 250℃의 온도로 1분 내지 1000분 동안 행하여지는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
61 61
제 48항에 있어서, 상기 제 2-2 단계에서 상기 용매는 자일렌, 1,2-다이클로로벤젠, 및 N,N-다이에틸아닐린으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
62 62
제 48항에 있어서, 상기 제 2-2단계에서 상기 전자기파는 마이크로파인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
63 63
제 47항 또는 제 48항에 있어서, 상기 제 3단계는 상기 중간생성물(12) 또는 중간생성물(24)의 히드록시기 1 당량에 대하여 에피클로로히드린의 글리시딜기가 1 내지 10 당량이 되도록 반응되는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
64 64
제 47항 또는 제 48항에 있어서, 상기 제 3단계는 상온 내지 100℃에서 1시간 내지 120시간 동안 행하는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
65 65
제 47항 또는 제 48항에 있어서, 상기 제 3단계에서 상기 염기는 KOH, NaOH, K2CO3, Na2CO3, KHCO3, NaHCO3, NaH, 트리에틸아민, 및 디이소프로필에틸 아민으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
66 66
제 47항 또는 제 48항에 있어서, 상기 제 3단계에서 상기 용매는 아세토니트릴, 테트라하이드로퓨란, 메틸에틸케톤, 디메틸 포름아미드, 디메틸 술폭사이드, 메틸렌 클로라이드 및 H2O로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
67 67
제 47항 또는 제 48항에 있어서, 상기 제 3-1 단계는 상기 중간생성물 (13) 또는 중간생성물 (25)의 알릴기 1 당량에 대하여 상기 과산화물의 퍼옥사이드 그룹이 1 내지 10 당량이 되도록 반응시키는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
68 68
제 47항 또는 제 48항에 있어서, 상기 제 3-1 단계에서 과산화물은 m-CPBA(meta-chloroperoxybenzoic acid), H2O2, 및 DMDO(dimethyldioxirane)로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
69 69
제 47항 또는 제 48항에 있어서, 상기 제 3-1단계는 상온 내지 100℃로 1시간 내지 120시간 동안 행하여지는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
70 70
제 47항 또는 제 48항에 있어서, 상기 제 3-1단계에서 용매는 아세토니트릴, 테트라하이드로퓨란, 메틸에틸케톤, 디메틸 포름아미드, 디메틸 술폭사이드, 메틸렌 클로라이드 및 H2O로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
71 71
제 47항 또는 제 48항에 있어서, 상기 제 3-1단계에서 염기는 KOH, NaOH, K2CO3, KHCO3, 트리에틸아민, 및 디이소프로필에틸 아민으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
72 72
제 47항 또는 제 48항에 있어서, 상기 제 4단계는 상기 중간생성물 (13), 중간생성물 (13'), 중간생성물 (25) 또는 중간생성물 (25')의 알릴기 1당량에 대하여 상기 화학식 B2의 알콕시실란이 1 당량 내지 5 당량이 되도록 반응시키는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
73 73
제 47항 또는 제 48항에 있어서, 상기 제 4단계는 상온 내지 120℃로 1시간 내지 72시간 동안 행하여지는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
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제 47항 또는 제 48항에 있어서, 상기 제 4단계에서 금속촉매는 PtO2 또는 H2PtCl6 인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
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제 47항 또는 제 48항에 있어서, 상기 제 4단계에서 상기 용매는 톨루엔, 아세토니트릴, 테트라하이드로퓨란, 메틸에틸케톤, 디메틸 포름아미드, 디메틸 술폭사이드 및 메틸렌 클로라이드로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103889977 CN 중국 FAMILY
2 EP02767535 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP02767535 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 EP02873672 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
5 JP05852243 JP 일본 FAMILY
6 JP26531473 JP 일본 FAMILY
7 KR101252063 KR 대한민국 FAMILY
8 US09150686 US 미국 FAMILY
9 US09896535 US 미국 FAMILY
10 US20140179836 US 미국 FAMILY
11 US20150148452 US 미국 FAMILY
12 US20160229948 US 미국 FAMILY
13 WO2013028045 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
14 WO2013028045 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
15 WO2013180375 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 CN103889977 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN103889977 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 EP2873672 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP2873672 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 JP2014531473 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP5852243 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 US2015148452 US 미국 DOCDBFAMILY
8 WO2013180375 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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