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하기 화학식 1의 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물, 무기입자 및 섬유로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 충전제, 및 에폭시 화합물용 경화제를 포함하는 에폭시 조성물[화학식 1](상기 화학식 1에서, 상기 코어 유니트 C는 하기 화학식 2-1 내지 2-5의 구조로부터 각각 독립적으로 선택되며, 상기 화학식 1에 존재하는 다수의 코어 유니트 C에서 각각의 코어 유니트 C는 서로 같거나 다를 수 있으며, [화학식 2-1] [화학식 2-2][화학식 2-3][화학식 2-4][화학식 2-5]화학식 2-1에서, X는 -CH2-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -S- 또는 -SO2-이며, 화학식 2-3에서, Y는 구성되는 그룹으로부터 각각 독립적으로 선택되며, n은 1 내지 10의 정수이며, n이 1인 경우에, R은 하기 화학식 3a 또는 화학식 3b의 구조이고, n이 2이상인 경우에, 다수의 R 중 적어도 하나는 하기 화학식 3a 또는 화학식 3b의 구조이고, 나머지는 수소이다
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제2항에 있어서, 글리시딜에테르계 에폭시 화합물, 글리시딜계 에폭시 화합물, 글리시딜아민계 에폭시 화합물, 글리시딜에스테르계 에폭시 화합물, 고무 개질된 에폭시 화합물, 지방족 폴리 글리시딜계 에폭시 화합물 및 지방족 글리시딜 아민계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 에폭시 화합물을 추가로 포함하는 에폭시 조성물
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제2항에 있어서, 상기 무기입자는 실리카, 지르코니아, 티타니아, 알루미나, 질화규소 및 질화알루미늄으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 금속산화물, 및 T-10형 실세스퀴녹산, 래더형 실세스퀴녹산, 및 케이지형 실세스퀴녹산으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 에폭시 조성물
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제2항에 있어서, 상기 무기입자는 에폭시 조성물의 고형분의 총 중량을 기준으로 5wt% 내지 95wt%인 에폭시 조성물
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제2항에 있어서, 상기 섬유는 E 유리섬유, T 유리섬유, S 유리섬유, NE 유리섬유, H 유리섬유, 및 석영으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 유리섬유 및 액정 폴리에스테르 섬유, 폴리에틸렌테레프탈레이트 섬유, 전방향족 섬유, 폴리옥시벤자졸 섬유, 나일론 섬유, 폴리에틸렌 나프탈레이트 섬유, 폴리프로필렌 섬유, 폴리에테르 술폰 섬유, 폴리비닐리덴플로라이드 섬유, 폴리에틸렌 술파이드 섬유, 및 폴리에테르에테르케톤 섬유로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 유기 섬유로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 에폭시 조성물
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제2항에 있어서, 상기 섬유는 상기 에폭시 조성물의 고형분의 총 중량에 대하여 10 wt% 내지 90wt%로 포함되는 에폭시 조성물
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제23항에 있어서, 상기 전자재료는 기판, 필름, 적층판, 인쇄배선판, 반도체 장치, 패키징 재료, 프리프레그, 및 적층판으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 전자재료
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제2항, 제3항, 제9항, 제10항, 제13항 및 제16항 중 어느 한 항의 에폭시 조성물을 포함하는 접착제
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제2항, 제3항, 제9항, 제10항, 제13항 및 제16항 중 어느 한 항의 에폭시 조성물을 포함하는 도료
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제2항, 제3항, 제9항, 제10항, 제13항 및 제16항 중 어느 한 항의 에폭시 조성물을 포함하는 복합재료
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제2항, 제3항, 제9항, 제10항, 제13항 및 제16항 중 어느 한 항의 에폭시 조성물의 경화물
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제36항에 있어서, 열팽창계수가 60ppm/℃이하인 에폭시 조성물의 경화물
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제36항에 있어서, 유리전이온도가 100℃ 보다 높거나 유리전이온도를 나타내지 않는 에폭시 조성물의 경화물
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용매 및 염기 존재하에서 하기 화학식 4의 에폭시 화합물과 하기 화학식 6의 알켄 화합물을 반응시켜서 하기 화학식 5의 중간체를 형성하는 단계; 및 백금촉매 및 임의의 용매 존재하에서 하기 화학식 5의 중간체와 하기 화학식 7a의 알콕시 실란화합물을 반응시키는 단계를 포함하는 하기 화학식 1의 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
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