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경화성 수지를 이용한 형광층 제조방법 및 발광 다이오드 패키지 제조방법

  • 기술번호 : KST2015149202
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 경화성 수지를 이용한 형광층 제조방법은, 웨이퍼 금형에, 발광 다이오드 칩에 실장될 형광층에 대응되는 형상의 함몰홈을 하나 이상 형성하는 단계, 상기 웨이퍼 금형을 경화성 수지와 형광체가 혼합된 형광물질에 노출시키는 단계, 상기 함몰홈 내에 위치된 형광물질을 경화시키는 단계 및 접착성 시트를 이용하여 상기 함몰홈 내에 경화된 형광물질을 이형하는 단계를 포함한다.그리고 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지 제조방법은, 기판 상에 발광 다이오드 칩을 실장하는 단계, 웨이퍼 금형에, 상기 발광 다이오드 칩에 실장될 형광층에 대응되는 형상의 함몰홈을 하나 이상 형성하는 단계, 상기 웨이퍼 금형을 경화성 수지와 형광체가 혼합된 형광물질에 노출시키는 단계, 상기 함몰홈 내에 위치된 형광물질을 경화시키는 단계, 접착성 시트를 이용하여 상기 함몰홈 내에 경화된 형광물질을 이형하는 단계 및 상기 발광 다이오드 칩에 상기 이형된 형광물질을 실장하여 형광층을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 33/50 (2010.01) H01L 21/00 (2006.01) H01L 33/48 (2010.01)
CPC H01L 33/505(2013.01) H01L 33/505(2013.01) H01L 33/505(2013.01) H01L 33/505(2013.01)
출원번호/일자 1020130069092 (2013.06.17)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1474265-0000 (2014.12.12)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20141218) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.06.17)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤길상 대한민국 인천 연수구
2 이정원 대한민국 인천 연수구
3 김건희 대한민국 인천 남구
4 박정연 대한민국 인천 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 임상엽 대한민국 서울특별시 성동구 광나루로 ***, *층 ***호 (성수동*가, 서울숲IT캐슬)(지반특허법률사무소)
2 고영갑 대한민국 경기도 성남시 분당구 정자일로 ***, 파크뷰 타워 ***호 (정자동)(가람특허법률사무소)
3 권정기 대한민국 서울특별시 성동구 광나루로 ***, *층 ***호 (성수동*가, 서울숲IT캐슬)(지반특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-0536437-51
2 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2013-0926716-87
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0370592-52
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0717939-49
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0825245-27
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.08.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0825251-02
7 등록결정서
Decision to grant
2014.12.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0847689-36
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
웨이퍼 금형에, 발광 다이오드 칩에 실장될 형광층에 대응되는 형상의 함몰홈을 하나 이상 형성하는 단계;상기 웨이퍼 금형을 경화성 수지와 형광체가 혼합된 형광물질에 노출시키는 단계;상기 함몰홈 내에 위치된 형광물질을 경화시키는 단계; 및접착성 시트의 접착면과 웨이퍼 금형의 표면을 접촉시켜 상기 함몰홈 내에 경화된 형광물질을 접착성 시트의 표면에 접착시킨 후, 형광물질이 접착된 접착성 시트를 웨이퍼 금형의 표면에서 분리하여 형광물질을 이형하는 단계;를 포함하는 형광층 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 함몰홈을 하나 이상 형성하는 단계는,상기 웨이퍼 금형을 에칭하여 상기 함몰홈을 형성하는 것으로 하는 형광층 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 웨이퍼 금형을 형광물질에 노출시키는 단계와 상기 형광물질을 경화시키는 단계 사이에는,상기 웨이퍼 금형을 스퀴징하여 상기 형광물질의 표면을 평탄화시키는 단계가 더 포함되는 형광층 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 형광물질을 이형하는 단계에서,상기 접착성 시트는 블루테이프인 것으로 하는 형광층 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 형광물질을 이형하는 단계는,상기 웨이퍼 금형의 면적보다 큰 면적을 가지는 접착성 시트를 사용하는 것으로 하는 형광층 제조방법
6 6
기판 상에 발광 다이오드 칩을 실장하는 단계;웨이퍼 금형에, 상기 발광 다이오드 칩에 실장될 형광층에 대응되는 형상의 함몰홈을 하나 이상 형성하는 단계;상기 웨이퍼 금형을 경화성 수지와 형광체가 혼합된 형광물질에 노출시키는 단계;상기 함몰홈 내에 위치된 형광물질을 경화시키는 단계;접착성 시트의 접착면과 웨이퍼 금형의 표면을 접촉시켜 상기 함몰홈 내에 경화된 형광물질을 접착성 시트의 표면에 접착시킨 후, 형광물질이 접착된 접착성 시트를 웨이퍼 금형의 표면에서 분리하여 형광물질을 이형하는 단계; 및상기 발광 다이오드 칩에 상기 이형된 형광물질을 실장하여 형광층을 형성하는 단계;를 포함하는 발광 다이오드 패키지 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.