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습식에칭으로 피라미드 패턴이 형성된 방향성을 갖는 실리콘 웨이퍼에 있어서,상기 피라미드 패턴 상에 실리콘의 결정방향에 따라 나노와이어가 형성되고, POCl3로 도핑되며, 상기 습식에칭은 NaOH 1~3중량%, 유기용매 4~8 중량% 및 DI water 90~95중량%의 에칭액으로 70~80℃의 온도로 13 ~ 17분동안 이루어지며,상기 나노와이어 형성은 피라미드 패턴 상에서 산화 식각반응에 의해 형성되되, 불산(hydrofluoric acid, HF), DI water, 과산화수소(H2O2) 및 AgNO3 로 이루어진 용액에 피라미드 패턴이 형성된 실리콘 웨이퍼를 침지함으로써 형성되며, 불산을 기준으로 혼합되는 비율은 DI water : 불산이 8:1~10:1의 부피비율로 혼합되며, 과산화수소(H2O2) : 불산이 1:6 ~ 1:10 몰비로 혼합되며, AgNO3 : 불산이 1:300~1:500몰비로 혼합되는 것을 특징으로 하는 복합구조의 실리콘 웨이퍼
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제1항에 있어서,상기 유기용매는 이소프로필알콜(Isopropyl alchol), 에틸알콜(ethyl alcohl), 메틸알콜(methyl alcohl), 아세톤(acetone)으로 이루어진 군에서 1 이상 포함되는 것을 특징으로 하는 복합구조의 실리콘 웨이퍼
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방향성을 갖는 실리콘 웨이퍼 준비단계;상기 실리콘 웨이퍼 표면에 습식에칭으로 피라미드 패턴 형성단계;상기 습식에칭으로 피라미드 패턴이 형성된 실리콘 웨이퍼 표면을 산화시켜 나노와이어 형상을 형성하는 나노와이어 형성단계; 및상기 실리콘 웨이퍼를 POCl3로 도핑하는 도핑단계를 포함하되,상기 상기 습식에칭은 NaOH 1~3중량%, 유기용매 4~8 중량% 및 DI water 90~95중량%의 에칭액으로 70~80℃의 온도로 13 ~ 17분동안 이루어지며,상기 나노와이어 형성은 피라미드 패턴 상에서 산화 식각반응에 의해 형성되되, 불산(hydrofluoric acid, HF), DI water, 과산화수소(H2O2) 및 AgNO3 로 이루어진 용액에 피라미드 패턴이 형성된 실리콘 웨이퍼를 침지함으로써 형성되며, 불산을 기준으로 혼합되는 비율은 DI water : 불산이 8:1~10:1의 부피비율로 혼합되며, 과산화수소(H2O2) : 불산이 1:6 ~ 1:10 몰비로 혼합되며, AgNO3 : 불산이 1:300~1:500몰비로 혼합되는 것을 특징으로 하는 복합구조의 실리콘 웨이퍼 제조방법
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제5항에 있어서,상기 유기용매는 이소프로필알콜(Isopropyl alchol), 에틸알콜(ethyl alcohl), 메틸알콜(methyl alcohl), 아세톤(acetone)으로 이루어진 군에서 1 이상의 포함되는 것을 특징으로 하는 복합구조의 실리콘 웨이퍼 제조방법
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제5항에 있어서,실리콘 웨이퍼를 침지하는 시간은 45~90sec인 것을 특징으로 하는 복합구조의 실리콘 웨이퍼 제조방법
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제1항, 제3항 중 어느 한항에 따른 복합구조 실리콘 웨이퍼 또는 제5항, 제7항 및 제9항 중 어느 한항에 따른 복합구조의 실리콘 웨이퍼 제조방법을 이용하여 제조된 태양 전지
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제10항에 있어서,상기 태양 전지에서 면저항은 50 ~60Ω/sq인 것을 특징으로 하는 태양 전지
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제10항에 있어서,상기 태양 전지에서 캐리어 수명은 47~55㎲인 것을 특징으로 하는 태양 전지
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