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전자빔 조사를 이용한 금속 나노입자 형성방법 및 이를 이용한 태양전지 제조방법

  • 기술번호 : KST2015149223
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판을 준비하는 기판 준비단계, 상기 기판에 금속 박막을 형성하는 금속 박막 형성단계, 상기 금속 박막에 전자빔을 조사하여 금속 나노입자를 형성하는 전자빔 조사단계를 포함하는 전자빔 조사를 이용한 금속 나노입자 형성방법법 및 이를 이용한 태양전지 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/202(2013.01) H01L 31/202(2013.01) H01L 31/202(2013.01) H01L 31/202(2013.01) H01L 31/202(2013.01)
출원번호/일자 1020130089230 (2013.07.29)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1540773-0000 (2015.07.24)
공개번호/일자 10-2015-0014059 (2015.02.06) 문서열기
공고번호/일자 (20150731) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.07.29)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정채환 대한민국 광주 광산구
2 이선화 대한민국 광주 광산구
3 김창헌 대한민국 광주 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 이노 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 ***, *층 (서초동, 신한국빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0682319-18
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0072537-84
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0307577-09
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.03.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0307576-53
6 등록결정서
Decision to grant		 2015.07.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0486547-84
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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SUS기판을 준비하고 상기 SUS기판에 산화규소(SiO) 박막을 형성하는 기판 준비단계;상기 기판에 후면 전극을 형성하는 후면전극 형성단계;상기 후면 전극에 금속 박막을 형성하는 금속 박막 형성단계;상기 금속 박막에 전자빔을 조사하여 금속 나노입자를 형성하는 전자빔 조사단계;상기 금속 나노입자 위로 N형 수소화된 비정질 실리콘층, 인트린식 수소화된 비정질 실리콘층, P형 수소화된 비정질 실리콘층을 형성하는 실리콘층 증착단계;상기 실리콘층에 투명전도막(Transparent conductive oxide: TCO)을 형성하는 투명전도막 형성단계;상기 투명전도막에 전면전극을 형성하는 전면전극 형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 조사를 이용한 태양전지 제조방법
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제9항에 있어서,상기 실리콘층은 플라즈마 강화 화학 기상 증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition: PECVD)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자빔 조사를 이용한 태양전지 제조방법
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제9항에 있어서,상기 N형 수소화된 비정질 실리콘층의 두께는 20~30㎚, 인트린식 수소화된 비정질 실리콘층의 두께는 150~550㎚, P형 수소화된 비정질 실리콘층의 두께는 10~20㎚로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자빔 조사를 이용한 태양전지 제조방법
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제9항, 제11항, 제12항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.