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전자 부품 또는 전자 기기의 열 방사율을 높이기 위해,그래핀 용액과 바인더 용액을 각각 준비하는 단계; 및전자 부품 또는 전자 기기의 표면에 상기 그래핀 용액 및 바인더 용액을 전기 분무하여 방열 코팅층을 형성하는 단계를 포함하고, 이때 상기 방열 코팅층은 전자 부품 또는 전자 기기의 표면에 대해 수직 방향으로 배열된 그래핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 방열 코팅층의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 바인더는 폴리아크릴레이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리스티렌, 폴리에스테르, 폴리아마이드, 폴리이미드, 폴리올레핀, 셀룰로오스, 에틸 셀룰로오스, 폴리비닐 부티랄, 폴리아크릴 에스테르, 실리콘계 수지, 고무계 수지, 폴리우레탄, 초산비닐 수지, 에폭시계 수지, 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리아세틸렌, 폴리티오펜, PEDOT(폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 방열 코팅층의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 그래핀 용액 및 바인더 용액의 제조를 위한 용매는 서로 같거나 다르며, 물, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 다이에틸렌글리콜다이메틸에테르, 다이에틸렌글리콜다이메틸에틸에테르, 메틸메톡시프로피오네이트, 에틸에톡시프로피오네이트(EEP), 에틸락테이트, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 (PGMEA), 프로필렌글리콜메틸에테르, 프로필렌글리콜프로필에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 디에틸렌글리콜메틸아세테이트, 디에틸렌글리콜에틸아세테이트, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸아이소부틸케톤, 사이클로헥사논, 디메틸포름아마이드 (DMF), N,N-디메틸아세트아마이드(DMAc), N-메틸-2-피롤리돈(NMP), γ-부티로락톤, 다이에틸에테르, 에틸렌글리콜다이메틸에테르, 디글라임(Diglyme), 테트라하이드로퓨란(THF), 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 디에틸 에테르, 디에틸렌글리콜메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸에테르, 디프로필렌글리콜메틸에테르, 톨루엔, 자이렌, 헥산, 헵탄, 옥탄 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 용매를 사용하는 것을 특징으로 하는 방열 코팅층의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 그래핀 용액은 그래핀 1 중량부에 대하여 용매를 0
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제1항에 있어서, 상기 바인더 용액은 바인더 1 중량부에 대하여 용매를 0
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제1항에 있어서, 추가로 상기 그래핀 용액 또는 바인더 용액 중 어느 한 곳에 탄소계 필러, 금속 필러, 금속 화합물 필러, 수지계 필러 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 열전도성 필러를 포함하는 것을 특징으로 하는 방열 코팅층의 형성방법
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제6항에 있어서, 상기 탄소계 필러는 카본블랙, 그라파이트, 또는 카본나노튜브이고, 상기 금속 필러는 금, 구리, 납, 텅스텐, 은, 동, 아연, 몰리브덴, 주석, 티탄, 알루미늄, 인바(Invar), 또는 코바(Kovaar)이고, 상기 금속 화합물 필러는 금, 구리, 납, 텅스텐, 은, 동, 아연, 몰리브덴, 주석, 티탄, 알루미늄 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 금속을 포함하는 산화물, 수산화물, 탄화물, 질화물 또는 탄질화물이고, 상기 수지계 필러는 에폭시, 폴리에틸렌, 또는 고밀도 폴리에틸렌인 것을 특징으로 하는 방열 코팅층의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 방열 코팅층은 두께가 10nm 내지 0
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제1항에 있어서, 상기 전기 분무는 판과 시린지 사이에 전압을 5∼50 kV에서 수행하고, 이들을 5∼20cm 이격하여 배치하고, 분무 유량을 0
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제1항에 있어서, 상기 전기 분무는 전기 분무를 위해 바인더 용액과 그래핀 용액이 각각 저장되며, 노즐이 구비된 시린지, 상기 시린지에 바인더 용액과 그래핀 용액을 공급하기 위한 시린지 펌프, 기판과 시린지 사이에 전기장을 형성하기 위한 전위차 발생 장치, 및 바인더 용액과 그래핀 용액이 증착되는 기판을 지지하기 위한 스테이지를 구비한 전기 분무 장치를 이용하는 것을 특징으로 하는 방열 코팅층의 형성방법
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