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유연성을 갖는 CZTS 박막 제조방법, 이를 이용한 박막 태양전지 제조방법 및 박막 태양전지

  • 기술번호 : KST2015149255
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유연성 기판 위에 특정 조성을 갖는 CZTS 단일 타겟을 단일 공정 스퍼터링을 이용해 CZTS 박막으로 형성시킴으로써 공정단가를 줄이고, 다양한 분야에서의 사용이 가능한 유연성을 갖는 CZTS 박막 제조방법, 이를 이용한 박막 태양전지 제조방법 및 박막 태양전지에 관한 것이다.본 발명의 유연성을 갖는 CZTS 박막 제조방법은 유연성 기판을 스퍼터링 장치 내에 안착시키는 기판 안착단계; 및 단일 공정 스퍼터링으로 CZTS 단일 타켓을 스퍼터링 시켜 상기 유연성 기판 위에 CZTS 박막을 증착시키는 CZTS 박막 증착단계를 포함한다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/0326(2013.01) H01L 31/0326(2013.01) H01L 31/0326(2013.01) H01L 31/0326(2013.01)
출원번호/일자 1020130149860 (2013.12.04)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0064930 (2015.06.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.04)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태원 대한민국 광주 광산구
2 박재철 대한민국 전남 장성군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인세아 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 **, *동 ****호(가산동, 롯데IT캐슬)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-1110196-07
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.10.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.11.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0087921-26
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0787912-38
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2015-0051571-43
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0171750-01
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2015-0271244-22
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.03.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0271245-78
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0511702-42
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2015.08.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0836970-03
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-0836969-56
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.09.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0621385-63
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유연성 기판을 스퍼터링 장치 내에 안착시키는 기판 안착단계; 및단일 공정 스퍼터링으로 CZTS 단일 타켓을 스퍼터링 시켜 상기 유연성 기판 위에 CZTS 박막을 증착시키는 CZTS 박막 증착단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유연성을 갖는 CZTS 박막 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 유연성 기판은 스테인레스(SUS) 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유연성을 갖는 CZTS 박막 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서,상기 CZTS 박막 증착단계 시 기판 온도는 상온~500℃인 것을 특징으로 하는 유연성을 갖는 CZTS 박막 제조방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 CZTS 박막 증착단계는 {50W~500W(RF Power Density : 0
5 5
청구항 1에 있어서,상기 CZTS 단일 타겟은 Cu2-xZn1+ySnS4(0003c#x003c#1, 0003c#y003c#1)인 것을 특징으로 하는 유연성을 갖는 CZTS 박막 제조방법
6 6
청구항 1에 있어서,상기 CZTS 박막 증착단계는 상기 기판과 CZTS 단일 타겟 사이가 50㎜~200㎜ 이격된 상태로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유연성을 갖는 CZTS 박막 제조방법
7 7
유연성 기판을 스퍼터링 장치 내에 안착시키는 기판 안착단계;단일 공정 스퍼터링으로 CZTS 단일 타켓을 스퍼터링 시켜 상기 유연성 기판 위에 CZTS 박막을 증착시키는 CZTS 박막 증착단계;상기 CZTS 박막 위에 버퍼층이 형성되는 버퍼층 형성단계; 및상기 버퍼층 위에 상부 전극층이 형성되는 전극층 형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조방법
8 8
청구항 7에 있어서,상기 유연성 기판은 스테인레스(SUS) 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유연성을 갖는 CZTS 박막 제조방법
9 9
청구항 7에 있어서,상기 CZTS 박막 증착단계 시 상기 기판 온도는 상온~500℃인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조방법
10 10
청구항 7에 있어서,상기 CZTS 박막 증착단계는 {50W~500W(RF Power Density : 0
11 11
청구항 7에 있어서,상기 CZTS 단일 타겟은 Cu2-xZn1+ySnS4(0003c#x003c#1, 0003c#y003c#1)인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조방법
12 12
청구항 7에 있어서,상기 CZTS 박막 증착단계는 상기 기판과 CZTS 단일 타겟 사이가 50~200㎜ 이격된 상태로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조방법
13 13
청구항 7 내지 청구항 12 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조된 박막 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.