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단일 공정을 이용한 CZTS 박막 제조방법, 이를 이용한 박막 태양전지 제조방법 및 박막 태양전지

  • 기술번호 : KST2015149268
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 특정 조성을 갖는 CZTS 단일 타겟을 단일 공정 스퍼터링 공정을 이용하여 기판 위에 CZTS 박막으로 형성시키는 단일 공정을 이용한 CZTS 박막 제조방법, 이를 이용한 박막 태양전지 제조방법 및 박막 태양전지에 관한 것이다.본 발명의 단일 공정을 이용한 CZTS 박막 제조방법은 기판을 스퍼터링 장치 내에 안착시키는 기판 안착단계; 및 단일 공정 스퍼터링으로 CZTS 단일 타켓을 스퍼터링 시켜 상기 기판 위에 CZTS 박막을 증착시키는 CZTS 박막 증착단계를 포함한다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0445 (2014.01)
CPC H01L 31/0445(2013.01) H01L 31/0445(2013.01)
출원번호/일자 1020130149859 (2013.12.04)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1552967-0000 (2015.09.08)
공개번호/일자 10-2015-0064929 (2015.06.12) 문서열기
공고번호/일자 (20150914) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.04)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태원 대한민국 광주 광산구
2 박재철 대한민국 전남 장성군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인세아 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 **, *동 ****호(가산동, 롯데IT캐슬)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-1110195-51
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.08.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2014-0073306-95
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0815373-20
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0074566-08
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-0179183-09
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0281218-24
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.03.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0281220-16
10 등록결정서
Decision to grant		 2015.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0590263-85
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 스퍼터링 장치 내에 안착시키는 기판 안착단계; 및아르곤 가스가 주입된 상태에서 Cu2-xZn1+ySnS4(0003c#x003c#1, 0003c#y003c#1)로 이루어진 CZTS 단일 타켓을 단일 공정 스퍼터링으로 스퍼터링 시켜 상기 기판 위에 CZTS 박막을 증착시키는 CZTS 박막 증착단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단일 공정을 이용한 CZTS 박막 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 CZTS 박막 증착단계 시 기판 온도는 상온~600℃인 것을 특징으로 하는 단일 공정을 이용한 CZTS 박막 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서,상기 CZTS 박막 증착단계는 {50W~500W(RF Power Density : 0
4 4
삭제
5 5
청구항 1에 있어서,상기 CZTS 박막 증착단계는 상기 기판과 CZTS 단일 타겟 사이가 50~200㎜ 이격된 상태로 이루어지는 것을 특징으로 하는 단일 공정을 이용한 CZTS 박막 제조방법
6 6
기판을 스퍼터링 장치 내에 안착시키는 기판 안착단계;아르곤 가스가 주입된 상태에서 Cu2-xZn1+ySnS4(0003c#x003c#1, 0003c#y003c#1)로 이루어진 CZTS 단일 타켓을 단일 공정 스퍼터링으로 스퍼터링 시켜 상기 기판 위에 CZTS 박막을 증착시키는 CZTS 박막 증착단계;상기 CZTS 박막 위에 버퍼층이 형성되는 단계; 및상기 버퍼층 위에 상부 전극층이 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조방법
7 7
청구항 6에 있어서,상기 CZTS 박막 증착단계 시 기판 온도는 상온~600℃인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조방법
8 8
청구항 6에 있어서,상기 CZTS 박막 증착단계는 {50W~500W(RF Power Density : 0
9 9
삭제
10 10
청구항 6에 있어서,상기 CZTS 박막 증착단계는 상기 기판과 CZTS 단일 타겟 사이가 50~200㎜ 이격된 상태로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조방법
11 11
청구항 6 내지 청구항 8 및 청구항 10 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조된 박막 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.