맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

태양전지의 광흡수층 소재 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015149286
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광전 변환 효율이 우수한 태양전지의 광흡수층 소재 및 그 제조방법이 개시된다. 태양전지의 광흡수층 소재는, CIGS(Copper Indium Gallium Selenide) 재질 중 출발물질 Cu, Se, In, Ga 중 어느 하나 이상의 성분을 포함하는 2성분계의 단일상의 합금 소재로 형성된 광흡수층 소재를 포함한다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01)
출원번호/일자 1020130126638 (2013.10.23)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1509946-0000 (2015.04.01)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150408) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.10.23)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김호성 대한민국 광주 광산구
2 김태원 대한민국 광주 광산구
3 오익현 대한민국 광주 북구
4 양선우 대한민국 광주 북구
5 박재철 대한민국 전남 장성군

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0959330-29
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.08.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2014-0074844-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0646816-35
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.11.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1135049-68
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-1135052-06
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
8 등록결정서
Decision to grant		 2015.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0210928-26
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
태양전지의 광흡수층 소재 제조방법에 있어서,출발물질 Cu, Se, In, Ga 중 선택된 2가지 성분의 분말을 SKD-11 소재의 용기와 초경 볼 (Hardmeta tungsten carbide)로 이루어진 유성 볼밀을 이용하여 혼합함으로써 2성분계의 단일상을 갖는 혼합 분말을 제조하는 단계;상기 혼합 분말을 유성 볼밀에서 300rpm의 속도로 3 시간 교반하여 혼합하는 단계;상기 교반된 분말을 60MP의 압력으로 30분 가압하여 펠렛을 제조하는 단계;상기 펠렛을 Ar 분위기에서 소결하는 단계; 및상기 소결된 펠렛을 분쇄하여 분말을 제조하는 단계;를 포함하는 태양전지의 광흡수층 소재 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 혼합 분말은 단일상을 갖는 Cu2Se, In2Se3, Ga2Se3 소재 중 어느 하나인 태양전지의 광흡수층 소재 제조방법
9 9
제7항에 있어서,상기 광흡수층 소재는 Cu2Se 소재로 형성되고,상기 혼합 분말은, 출발물질인 Cu(순도 99
10 10
제7항에 있어서,상기 광흡수층 소재는 In2Se3 소재로 형성되고,상기 혼합 분말은, 출발물질 In(순도 99
11 11
제7항에 있어서,상기 광흡수층 소재는 Ga2Se3 소재로 형성되고,상기 혼합 분말은, 출발물질 Ga(순도 99
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.