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표면 처리가 가능한 온도로 가열된 대상금속을 표면처리하는 금속표면처리장치에 있어서,상기 대상금속의 외면 형상에 대응되는 형상으로 이루어져 상기 대상금속의 적어도 일부를 수용하며, 상기 대상금속이 수용된 상태에서, 내면이 상기 대상금속의 외면과 50mm 이하의 간격을 가지도록 이격되어 상기 대상금속과의 외면 사이에 공급된 처리가스의 밀도를 유지하는 반응챔버; 및상기 반응챔버 내에 수용된 대상금속 측으로 처리가스를 0
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제1항에 있어서,상기 반응챔버에는 상기 처리가스가 통과하는 통과홀이 형성된 금속표면처리장치
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제1항에 있어서,상기 반응챔버 내를 가열하는 가열부를 더 포함하는 금속표면처리장치
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제1항에 있어서,상기 대상금속이 수용된 상태에서, 상기 반응챔버와 상기 대상금속의 외면이 배치된 간격을 조절하는 간격조절부를 더 포함하는 금속표면처리장치
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제5항에 있어서,상기 반응챔버는 상부플레이트와, 상기 상부플레이트와 소정 거리 이격된 하부플레이트를 포함하고,상기 간격조절부는 상기 상부플레이트 및 상기 하부플레이트를 상하로 슬라이딩 이동시키도록 형성된 금속표면처리장치
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제1항에 있어서,상기 반응챔버가 수용되며, 밀폐 가능한 수용공간이 형성된 외부챔버를 더 포함하는 금속표면처리장치
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제1항에 있어서,상기 반응챔버의 양측은 개방되도록 형성되고,상기 이송부는 상기 반응챔버의 개방된 양측에 구비되는 금속표면처리장치
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제8항에 있어서,상기 이송부는 상기 반응챔버의 개방된 양측을 밀폐시키도록 구비된 금속표면처리장치
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제8항에 있어서,상기 이송부는,상기 대상금속에 접촉되어 회전함에 따라 상기 대상금속을 이송시키는 이송부재를 포함하는 금속표면처리장치
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제10항에 있어서,상기 이송부재는,상기 반응챔버에 접촉된 상태로 회전하도록 형성되어 상기 대상금속을 이송시킴과 동시에 상기 반응챔버의 양측을 밀폐하는 금속표면처리장치
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제1항에 있어서,상기 대상금속이 반응챔버에 내에 수용되기 전에 상기 대상금속을 예열하는 예열부를 더 포함하는 금속표면처리장치
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대상금속의 외면 형상에 대응되는 형상으로 이루어져 상기 대상금속의 적어도 일부를 수용하며, 상기 대상금속이 수용된 상태에서, 내면이 상기 대상금속의 외면과 50mm 이하의 간격을 가지도록 이격되어 상기 대상금속과의 외면 사이에 공급된 처리가스의 밀도를 유지하는 반응챔버 내에 이송부를 통해 대상금속을 이송시키는 단계; 및처리가스공급부를 통해 상기 반응챔버 내에 처리가스를 0
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