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언더필용 조성물 및 이를 이용한 전자 소자 실장 방법

  • 기술번호 : KST2015149306
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 에폭시 수지, 산 무수물계 경화제 및 이미다졸계 경화 촉매제를 포함하는 조성물로서, 상기 조성물 내 산 무수물계 경화제의 함량은 에폭시 수지 100 중량부 당 30~60 중량부이고, 상기 조성물 내 이미다졸계 경화제의 함량은 에폭시 수지 100 중량부 당 0.6~0.8 중량부인 것을 특징으로 하는 언더필용 조성물을 제공한다. 본 발명에 따른 언더필용 조성물은 반도체 칩과 같은 전자 소자를 기판에 플립칩 본딩 방식으로 실장시 반도체 칩과 기판의 접착 강도를 향상시키면서 동시에 리플로우 과정 직후에 경화되어 반도체 칩과 기판 사이의 보이드(void)를 최소화할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 언더필용 조성물은 플립칩 패키징 분야에서 유용한 소재로 사용될 수 있다.
Int. CL H01L 23/29 (2006.01) C08G 59/18 (2006.01) C08L 63/00 (2006.01) C08G 59/42 (2006.01)
CPC C08L 63/00(2013.01) C08L 63/00(2013.01) C08L 63/00(2013.01) C08L 63/00(2013.01)
출원번호/일자 1020130152952 (2013.12.10)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1557123-0000 (2015.09.24)
공개번호/일자 10-2015-0067502 (2015.06.18) 문서열기
공고번호/일자 (20151002) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.10)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이창우 대한민국 경기 안양시 동안구
2 김준기 대한민국 경기 군포시 산본로***번길 **, **
3 방정환 대한민국 인천 연수구
4 고용호 대한민국 인천광역시 연수구
5 이소정 대한민국 인천 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 임상엽 대한민국 서울특별시 성동구 광나루로 ***, *층 ***호 (성수동*가, 서울숲IT캐슬)(지반특허법률사무소)
2 고영갑 대한민국 경기도 성남시 분당구 정자일로 ***, 파크뷰 타워 ***호 (정자동)(가람특허법률사무소)
3 권정기 대한민국 서울특별시 성동구 광나루로 ***, *층 ***호 (성수동*가, 서울숲IT캐슬)(지반특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-1128502-41
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.07.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0062012-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.02.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0087799-79
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2015-0238369-12
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.03.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0238400-30
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0501142-05
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2015.08.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0827039-10
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2015-0827034-82
11 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2015.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0651424-04
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
에폭시 수지 100 중량부 당 산 무수물계 경화제 40~55 중량부 및 이미다졸계 경화 촉매제 0
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 다관능성 글리시딜 에테르 에폭시 수지는 비스페놀 A의 다이글리시딜 에테르인 것을 특징으로 하는 비유동성 플럭싱 언더필용 조성물
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제 1항에 있어서, 상기 조성물은 에폭시 수지 100 중량부 당 실란계 커플링제 0
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
제 1항에 있어서, 상기 조성물은 에폭시 수지 100 중량부 당 무기 충진제 0
12 12
삭제
13 13
표면에 적어도 복수 개의 도전 패드를 가진 기판을 준비하는 단계;상기 기판의 표면에 존재하는 복수 개의 도전 패드 상에 솔더 페이스트를 도포하는 단계;상기 솔더 페이스트가 도포된 복수 개의 도전 패드 사이에 해당하는 기판의 표면에 제 1항, 제 3항, 제 8항 및 제 11항 중 어느 한 항의 비유동성 플럭싱 언더필용 조성물을 도포하는 단계;전자 소자의 표면에 형성된 도전 패드가 대응되는 기판의 도전 패드에 위치하도록 정렬하고 전자 소자를 기판에 접촉시키는 단계; 및상기 접촉된 전자 소자와 기판을 리플로우 하는 단계를 포함하는 전자 소자 실장 방법
14 14
제 13항에 있어서, 상기 전자 소자는 반도체 칩의 형태인 것을 특징으로 하는 전자 소자 실장 방법
15 15
제 14항에 있어서, 상기 전자 소자는 트랜지스터, 레지스트 또는 커패시터인 것을 특징으로 하는 전자 소자 실장 방법
16 16
제 13항에 있어서, 상기 솔더 페이스트는 인쇄 방법에 의해 도전 패드 상에 도포되는 것을 특징으로 하는 전자 소자 실장 방법
17 17
제 13항에 있어서, 상기 언더필용 조성물은 도트 타입으로 기판의 표면에 도포되는 것을 특징으로 하는 전자 소자 실장 방법
18 18
제 13항에 있어서, 상기 리플로우 하는 단계의 피크 온도는 200~280℃인 것을 특징으로 하는 전자 소자 실장 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.