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탄소재료에 바나듐을 담지하는 방법

  • 기술번호 : KST2015149316
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄소재료에 바나듐을 담지하는 방법에 관한 것으로, 내마모성이 우수하고 강도가 우수하며 쉽게 제조가 가능한 탄소에 바나듐을 담지하는 방법에 관한 것이다.이러한 본 발명은, 탈염수(Deionized Water)에 그래핀 옥사이드(GO : Graphene Oxide) 또는 환원 그래핀 옥사이드(RGO : Reduced Graphene Oxide)를 분산시키는 제 1 단계; 바나듐의 전구체인 AMV(Ammonium Meta Vanadate)를 탈염수에 분산시키는 제 2 단계; 상기 제 1 단계 및 제 2 단계의 결과물들을 교반하는 제 3 단계; 및 상기 제 3 단계의 결과물들을 증발시킨 후, 건조시키고, 열처리를 수행하는 제 4 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL B01J 23/22 (2006.01) B01J 37/08 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020140018646 (2014.02.18)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1565976-0000 (2015.10.29)
공개번호/일자 10-2015-0097302 (2015.08.26) 문서열기
공고번호/일자 (20151105) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.02.18)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김홍대 대한민국 충청남도 천안시 서북구
2 김억수 대한민국 울산광역시 울주군
3 최지윤 대한민국 울산광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정기택 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로**길 **, *층 (반포동, 새로나빌딩)(스카이특허법률사무소)
2 오위환 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로**길 **, *층 (반포동, 새로나빌딩)(스카이특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-0158773-55
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0138993-16
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-0400466-44
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.05.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0507818-43
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-0507778-15
7 등록결정서
Decision to grant		 2015.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0743059-11
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
탈염수(Deionized Water)에 그래핀 옥사이드(GO : Graphene Oxide) 또는 환원 그래핀 옥사이드(RGO : Reduced Graphene Oxide)를 분산시키는 제 1 단계;바나듐의 전구체인 AMV(Ammonium Meta Vanadate)를 탈염수에 분산시키는 제 2 단계;상기 제 1 단계 및 제 2 단계의 결과물들을 교반하는 제 3 단계; 및상기 제 3 단계의 결과물들을 증발시킨 후, 건조시키고, 열처리를 수행하는 제 4 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소재료에 바나듐을 담지하는 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 GO 또는 RGO를 분산할 때 초음파를 이용하여 분산하는 것을 특징으로 하는 탄소재료에 바나듐을 담지하는 방법
3 3
제 1 항에 있어서,탈염수가 증발할 수 있도록 상기 제 3 단계는 85 ~ 95도의 환경하에 교반이 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소재료에 바나듐을 담지하는 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 열처리는 질소 분위기에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소재료에 바나듐을 담지하는 방법
5 5
탈염수(Deionized Water)에 그래핀 옥사이드(GO : Graphene Oxide) 또는 환원 그래핀 옥사이드(RGO : Reduced Graphene Oxide)를 분산시키는 제 1 단계;바나듐의 전구체인 AMV(Ammonium Meta Vanadate)를 탈염수에 분산시키는 제 2 단계;상기 제 1 단계 및 제 2 단계의 결과물들을 교반하는 제 3 단계; 및상기 제 3 단계의 결과물들을 진공여과장치를 이용하여 담지체를 필터링시킨 후, 건조시키고, 열처리를 수행하는 제 4 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소재료에 바나듐을 담지하는 방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 GO 또는 RGO를 분산할 때 초음파를 이용하여 분산하는 것을 특징으로 하는 탄소재료에 바나듐을 담지하는 방법
7 7
제 5 항에 있어서,상기 열처리는 질소 분위기에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소재료에 바나듐을 담지하는 방법
8 8
탈염수(Deionized Water)에 그래핀 옥사이드(GO : Graphene Oxide) 또는 환원 그래핀 옥사이드(RGO : Reduced Graphene Oxide)에 분산제를 이용하여 분산시키는 제 1 단계;바나듐의 전구체인 AMV(Ammonium Meta Vanadate)를 탈염수에 분산시키는 제 2 단계;상기 제 1 단계 및 제 2 단계의 결과물들을 교반하는 제 3 단계; 및상기 제 3 단계의 결과물들을 진공여과장치를 이용하여 담지체를 필터링시킨 후, 건조시키고, 열처리를 수행하는 제 4 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소재료에 바나듐을 담지하는 방법
9 9
삭제
10 10
제 8 항에 있어서,상기 GO 또는 RGO를 분산할 때 초음파를 이용하여 분산하는 것을 특징으로 하는 탄소재료에 바나듐을 담지하는 방법
11 11
제 8 항에 있어서,상기 열처리는 질소 분위기에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소재료에 바나듐을 담지하는 방법
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1 KR101565982 KR 대한민국 FAMILY
2 US09789468 US 미국 FAMILY
3 US20170056859 US 미국 FAMILY
4 WO2015126025 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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