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전자빔을 이용하여 Ga 편석 방지가 가능한 CIGS 광흡수층 제조방법 및 이를 이용한 CIGS 태양전지 제조방법

  • 기술번호 : KST2015149337
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예는 전자빔을 이용하여 Ga 편석 방지가 가능한 CIGS 광흡수층 제조방법 및 이를 이용한 CIGS 태양전지 제조방법에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 전자빔을 이용하여 Ga 편석 방지가 가능하고, 셀렌화 처리 속도를 증가시킬 수 있게 하는데 있다.이를 위해 본 발명의 일 실시예는 (a) 기판 상에 공유결합구조를 갖는 셀레나이드(selenide)계 화합물을 포함하는 전구체 박막을 형성하는 단계; 및 (b) 상기 전구체 박막 상에 전자빔을 조사하여 셀렌화(selenization)하는 단계를 포함하는 전자빔을 이용하여 Ga 편석 방지가 가능한 CIGS 광흡수층 제조방법을 개시한다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0445 (2014.01)
CPC H01L 31/0445(2013.01) H01L 31/0445(2013.01)
출원번호/일자 1020130159681 (2013.12.19)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1536266-0000 (2015.07.07)
공개번호/일자 10-2015-0072244 (2015.06.29) 문서열기
공고번호/일자 (20150714) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.19)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정채환 대한민국 광주 광산구
2 권혁 대한민국 광주 서구
3 김재웅 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2 서경민 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-1166959-72
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-1179422-71
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.09.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.10.14 수리 (Accepted) 9-1-2014-0084012-24
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0888447-00
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2015-0078845-24
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.01.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0078846-70
9 등록결정서
Decision to grant		 2015.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0431752-60
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판 상에 공유결합구조를 갖는 셀레나이드(selenide)계 화합물을 포함하는 전구체 박막을 형성하는 단계; 및(b) 상기 전구체 박막 상에 전자빔을 조사하여 셀렌화(selenization)하는 단계를 포함하고,상기 전자빔은 고밀도 플라즈마 형성을 통해 아르곤 이온과 분리된 전자에 의해 조사하는 방식이며,상기 (b)단계에서 상기 전자빔은 200w, 3KeV 내지 4 KeV의 크기로 3분 내지 5분 동안 상기 전구체 박막 상에 조사하는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용하여 Ga 편석 방지가 가능한 CIGS 광흡수층 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 전구체 박막은 스퍼터링법 또는 열증발법에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용하여 Ga 편석 방지가 가능한 CIGS 광흡수층 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 전구체 박막은 구리(Cu)-인듐(In)-갈륨(Ga)-셀레늄(Se)의 사원 화합물, 또는 구리(Cu)-갈륨(Ga)-셀레늄(Se) 및 구리(Cu)-갈륨(Ga)-셀레늄(Se)의 삼원 화합물에서 선택되는 어느 하나로 형성될 수 있는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용하여 Ga 편석 방지가 가능한 CIGS 광흡수층 제조방법
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 전자빔을 이용하여 Ga 편석 방지가 가능한 CIGS 광흡수층 제조방법을 이용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용하여 Ga 편석 방지가 가능한 CIGS 광흡수층
7 7
기판, 배면전극층, 광흡수층 및 전면전극이 순차적으로 형성된 CIGS 박막 태양전지를 제조하는 방법에 있어서,상기 광흡수층은(a) 기판 상에 공유결합구조를 갖는 셀레나이드(selenide)계 화합물을 포함하는 전구체 박막을 형성하는 단계; 및(b) 상기 전구체 박막 상에 전자빔을 조사하여 셀렌화(selenization)하는 단계를 통하여 제조되고,상기 전자빔은 고밀도 플라즈마 형성을 통해 아르곤 이온과 분리된 전자에 의해 조사하는 방식이며,상기 (b)단계에서 상기 전자빔은 200w, 3KeV 내지 4 KeV의 크기로 3분 내지 5분 동안 상기 전구체 박막 상에 조사하는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용하여 Ga 편석 방지가 가능한 CIGS 광흡수층을 포함하는 CIGS 태양전지의 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 전구체 박막은 스퍼터링법 또는 열증발법에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용하여 Ga 편석 방지가 가능한 CIGS 광흡수층을 포함하는 CIGS 태양전지의 제조방법
9 9
제7항에 있어서,상기 전구체 박막은 구리(Cu)-인듐(In)-갈륨(Ga)-셀레늄(Se)의 사원 화합물, 또는 구리(Cu)-갈륨(Ga)-셀레늄(Se) 및 구리(Cu)-갈륨(Ga)-셀레늄(Se)의 삼원 화합물에서 선택되는 어느 하나로 형성될 수 있는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용하여 Ga 편석 방지가 가능한 CIGS 광흡수층을 포함하는 CIGS 태양전지의 제조방법
10 10
삭제
11 11
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12 12
제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 전자빔을 이용하여 Ga 편석 방지가 가능한 CIGS 광흡수층 제조방법을 이용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국에너지기술연구원 융합연구사업 스퍼터 기반 저온 고효율 와이드 밴드갭 태양전지 개발
2 지식경제부 ㈜에스엔텍 호남권 광역경제권 선도사업 Cylindrical sputter target을 이용한 CIS계 흡수층 박막의 생산성 향상 기술 개발