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저전기저항투명발열도전막의제조방법및장치

  • 기술번호 : KST2015149383
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저렴한 원료물질을 사용하면서, 매우 간단한 공정으로써 광학적으로 투명하고 전기 전도도가 우수한 저전기저항 투명 발열 도전막의 제조방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명의 방법은 유리기판에 저전기저항의 투명 발열 도전막을 형성하기 위한 원료용액을 제조하는 단계; 상기 저전기저항 투명 발열 도전막을 형성시킬 유리기판을 전처리하는 단계; 상기 유리기판을 예열하는 단계; 상기 원료용액으로부터 상기 도전막성분의 증기를 형성하는 단계;상기 원료용액으로부터 증기화된 도전막성분을 상기 예열된 유리기판에 형성하는 단계; 상기 도전막성분이 형성된 유리기판을 열처리하는 단계로 이루어지며, 본 발명의 장치는 대규모의 유리기판을 고온으로 유지할 수 있는 챔버; 저전기저항 투명 발열 도전막을 형성하기 위하여 원료용액을 상기 챔버 내부로 분사하는 용액 분사수단; 및 상기 챔버에서 대규모의 유리기판에 저전기저항 투명 발열 도전막을 형성한 후 발생하는 폐증기를 포집하기 위한 폐증기 포집 수단을 구비한다.
Int. CL H05B 3/14 (2006.01) H05B 3/84 (2006.01)
CPC H05B 3/141(2013.01) H05B 3/141(2013.01) H05B 3/141(2013.01) H05B 3/141(2013.01) H05B 3/141(2013.01)
출원번호/일자 1019950008068 (1995.04.07)
출원인 세대산전 주식회사, 한국생산기술연구원, 한원택
등록번호/일자 10-0150720-0000 (1998.06.16)
공개번호/일자 10-1996-0040087 (1996.11.25) 문서열기
공고번호/일자 (19981215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.04.07)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 세대산전 주식회사 대한민국 경기도 고양시 일산동구
2 한원택 대한민국 광주광역시 광산구
3 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황태진 대한민국 경기도군포시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최홍순 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 *** (가산동, 월드메르디앙벤처센터II)(특허법인세신)
2 이창훈 대한민국 경기도 성남시 분당구 대왕판교로 ***, B-***(삼평동, 유스페이스*)(특허법인오리진)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 세대산전주식회사 대한민국 경기도고양시일산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1995.04.07 수리 (Accepted) 1-1-1995-0035786-72
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.04.07 수리 (Accepted) 1-1-1995-0035787-17
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.04.07 수리 (Accepted) 1-1-1995-0035788-63
4 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1997.09.04 수리 (Accepted) 1-1-1995-0035789-19
5 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1998.04.27 수리 (Accepted) 1-1-1995-0035790-55
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0018114-61
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.14 수리 (Accepted) 4-1-1999-0005793-30
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2000-0078617-40
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2004-5053909-24
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.10.13 수리 (Accepted) 4-1-2006-5146795-33
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2007-5006535-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.02.09 수리 (Accepted) 4-1-2007-5022520-66
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2008-5164358-96
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5178457-80
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.01.20 수리 (Accepted) 4-1-2009-5013686-94
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.07 수리 (Accepted) 4-1-2009-5153303-73
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2010-5161401-06
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2013-0056063-01
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

유리기판에 저전기저항의 투명 발열 도전막을 형성하기 위한 원료용액을 제조하는 단계; 상기 저전기저항 투명 발열 도전막을 형성시킬 유리기판을 전처리하는 단계; 상기 유리기판을 예열하는 단계; 상기 원료용액으로부터 상기 도전막성분의 증기를 형성하는 단계;상기 원료용액으로부터 증기화된 도전막성분을 상기 예열된 유리기판에 형성하는 단계; 상기 도전막성분이 형성된 유리기판을 열처리하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 저전기저항 투명 발열 도전막의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 저전기저항 투명 발열 도전막을 형성하기 위한 원료 용액은 증기압이 높지 않은 용액을 사용함을 특징으로 하는 저전기저항 투명 발열 도전막의 제조방법

3 3

제2항에 있어서, 상기 원료용액은 염화주석을 함유하는 알콜 용액임을 특징으로 하는 저전기저항 투명 발열 도전막의 제조방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 원료용액을 제조하는 단계는 SnCl4`xH2O 분말을 알콜에 용해시키면서, 이 용액의 pH를 1이하로 조절하기 위하여 염산 용액을 첨가함을 특징으로 하는 저전기저항 투명 발열 도전막의 제조방법

5 5

제1항에 있어서, 유리기판을 전처리하는 단계는 유리기판을 통상의 세제를 이용하여 표면의 이물질을 1차 세척하고, 이어서 그 유리기판을 수산화나트륨이 포화된 알콜 용액에 침지하는 것을 특징으로 하는 저전기저항 투명 발열 도전막의 제조방법

6 6

제1항에 있어서, 상기 유리기판을 예열하는 단계는 450 내지 550 ℃ 의 고온으로 유지되는 것을 특징으로 하는 저전기저항 투명 발열 도전막의 제조방법

7 7

제1항에 있어서, 상기 원료용액으로부터 상기 도전막성분의 증기를 형성하는 단계는 상기 용액을 고온에서 분사하거나, 또는 상기 용액을 분사하면서, 분사된 용액에 초음파 진동을 부여하는 것을 특징으로 하는 저전기저항 투명 발열 도전막의 제조방법

8 8

제1항에 있어서, 상기 원료용액으로부터 상기 도전막성분의 증기를 형성하는 단계에서 상기 용액을 분사시키기 위하여 고압의 혼합가스가 사용되며, 상기 혼합가스는 질소가스 대 산소가스의 혼합비가 1~3:1인 혼합가스인 것을 특징으로 하는 저전기저항 투명 발열 도전막의 제조방법

9 9

제1항에 있어서, 상기 증기화된 도전막성분을 상기 예열된 유리기판에 형성하는 단계는 상기 원료용액을 용해 분사장치에 주입하여 520℃의 고온으로 유지되고 있는 챔버에 분사하는 것을 특징으로 하는 저전기저항 투명 발열 도전막의 제조방법

10 10

제1항에 있어서, 상기 원료용액이 증착된 유리기판을 열처리하는 단계는 상기 유리기판의 예열온도와 동일한 450~550℃ 의 온도에서 5분 내지 4시간동안 처리하는 것을 특징으로 하는 저전기저항 투명 발열 도전막의 제조방법

11 11

대규모의 유리기판을 고온으로 유지할 수 있는 챔버; 저전기저항 투명 발열 도전막을 형성하기 위하여 원료용액을 상기 챔버 내부로 분사하는 용액 분사수단; 및 상기 챔버에서 대규모의 유리기판에 저전기저항 투명 발열 도전막을 형성한 후 발생하는 폐증기를 포집하기 위한 폐증기 포집 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 저전기저항 투명 발열 도전막의 제조장치

12 12

제11항에 있어서, 상기 용액분사수단에 의하여 챔버 내부에 분사된 용액을 미세한 액적으로 형성시키기 위한 초음파 진동소자를 구비한 증기발생수단을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 저전기저항 투명 발열 도전막의 제조장치

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.