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신규한 에폭시 화합물, 이를 포함하는 혼합물, 조성물, 경화물, 이의 제조 방법, 및 이의 용도

  • 기술번호 : KST2015149428
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 복합체에서, 우수한 내열특성, 구체적으로는 낮은 열팽창특성 및 높은 유리전이온도 상승 효과(이는 유리 전이 온도를 나타내지 않는 Tg 리스를 포함함), 난연성 및 공정성, 구체적으로 점도 증가 제어성을 나타내며, 별도의 실란커플링제를 필요로 하지 않을 뿐만 아니라 취성이 개선된 새로운 에폭시 화합물, 이의 제조방법, 이를 포함하는 조성물, 경화물 및 이의 용도에 관한 것이다. 본 발명의 일 견지에 의하면, 적어도 2개의 에폭시기, 적어도 1개의 알콕시실릴기와 함께 적어도 하나의 비반응성 실릴기, 알케닐기 또는 이들의 조합을 갖는 에폭시 화합물; 알콕시실릴화 및 알킬실리화에 의한 상기 에폭시 화합물의 제조방법; 이를 포함하는 에폭시 조성물; 및 경화물이 제공된다. 본 발명에 의한 새로운 에폭시 화합물을 포함하는 에폭시 조성물은 복합체 및/또는 경화물에서, 알콕시실릴기와 충전제와의 화학 반응 및 알콕시실릴기간의 화학 반응에 의한 화학 결합 형성으로, 향상된 내열특성, 즉, 에폭시 복합체의 CTE가 감소되고 유리전이온도 상승 효과를 나타낸다. 나아가, 본 발명에 의한 상기 에폭시 조성물의 경화물은 알콕시실릴기의 도입에 의해, 우수한 난연성을 나타낸다. 또한, 본 발명에 의한 상기 에폭시 조성물은 경화 반응시 점도 증가를 용이하게 제어할 수 있다. 더욱이, 상기 에폭시 조성물의 경화물은 개선된 취성을 나타낸다.
Int. CL C08G 59/20 (2006.01) C07F 7/08 (2006.01)
CPC C07F 7/08(2013.01) C07F 7/08(2013.01) C07F 7/08(2013.01)
출원번호/일자 1020140175937 (2014.12.09)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0098559 (2015.08.28) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020140019179   |   2014.02.19
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.12.09)
심사청구항수 39

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전현애 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 탁상용 대한민국 부산광역시 중구
3 김윤주 대한민국 서울특별시 강남구
4 박성환 대한민국 경기도 군포시
5 박수진 대한민국 경기도 안산시 상록구
6 박숙연 대한민국 경기도 군포시
7 이학준 대한민국 서울특별시 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2014-1197216-28
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0890892-76
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.02.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0130777-07
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2017-0130776-51
6 등록결정서
Decision to grant
2017.06.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0439766-54
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
코어에 i) 하기 화학식 E1 및 E2의 에폭시기로부터 선택되는 적어도 2개의 에폭시기; ii) 하기 화학식 A1 내지 화학식 A5로 구성되는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 알콕시실릴기; 및 iii)하기 화학식 A6 내지 A10로 구성되는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 비반응성 실릴기를 갖는 에폭시 화합물
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 코어는 하기 화학식 AC 내지 OC로 구성되는 그룹으로부터 선택되는, 에폭시 화합물
4 4
제3항에 있어서, 상기 화학식 AC 내지 HC 및 MC 내지 OC로부터 선택되는 동일한 코어가 2 이상인 경우에, 상기 화학식 AC 내지 HC의 코어는 하기 연결기 LG1으로 연결되며, 상기 화학식 MC 내지 OC의 코어는 하기 연결기 LG2로 연결되는, 에폭시 화합물
5 5
제1항에 있어서,상기 에폭시 화합물은 하기 화학식 AF 내지 OF 중 어느 하나인, 에폭시 화합물
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서, 상기 화학식 A1 내지 화학식 A5로 표현되는 알콕시실릴기에서 R1 내지 R3는 중 적어도 하나는 탄소수 2 내지 4의 알콕시기인, 에폭시 화합물
8 8
제1항에 있어서, 상기 화학식 A1 내지 화학식 A5로 표현되는 알콕시실릴기에서 R1 내지 R3 는 모두 에톡시기인, 에폭시 화합물
9 9
제1항에 있어서, 상기 화학식 A1 내지 화학식 A5로 표현되는 알콕시실릴기에서 R1 내지 R3이 모두 메톡시기인 경우, 적어도 하나의 알케닐기를 포함하는, 에폭시 화합물
10 10
제1항, 제3항 내지 제5항 및 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항의 에폭시 화합물을 포함하며, 상기 알콕시실릴기:상기 비반응성 실릴기의 비율은 1:99 내지 99:1인, 에폭시 화합물의 혼합물
11 11
백금 촉매 및 임의의 용매 존재하에서 하기 화학식 AS1 내지 OS1중 어느 하나의 출발물질과 AS5의 알콕시실란 및 하기 화학식 AS6의 비반응성 실란을 반응시키는, 하기 화학식 AF 내지 OF 중 어느 하나의 에폭시 화합물의 제조방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 출발물질의 알케닐 그룹 1 당량에 대하여 상기 화학식 AS5의 알콕시실란이 0
13 13
제11항에 있어서, 상기 화학식 AS5의 알콕시실란의 R1 내지 R3가 모두 메톡시인 경우, 상기 출발물질의 알케닐 그룹 1 당량에 대하여 상기 화학식 AS5의 알콕시실란이 0
14 14
임의의 용매 존재하에서 하기 화학식 AS2 내지 OS2 중 어느 하나의 출발물질과 AS3의 알콕시실란 및 하기 화학식 AS4의 비반응성 실란을 반응시키는, 하기 화학식 AF 내지 OF 중 어느 하나의 에폭시 화합물의 제조방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 출발물질의 히드록시기 또는 아민기 1 당량에 대하여 상기 화학식 AS3의 알콕시실란이 0
16 16
제14항에 있어서, 상기 화학식 AS3의 알콕시실란의 R1 내지 R3가 모두 메톡시인 경우, 상기 출발물질의 히드록시기 또는 아민기 1 당량에 대하여 상기 화학식 AS3의 알콕시실란이 0
17 17
제1항, 제3항 내지 제5항 및 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항의 에폭시 화합물을 포함하는 에폭시 조성물
18 18
제10항의 에폭시 혼합물을 포함하는 에폭시 조성물
19 19
제17항에 있어서, 글리시딜에테르계 에폭시 화합물, 글리시딜계 에폭시 화합물, 글리시딜아민계 에폭시 화합물, 글리시딜에스테르계 에폭시 화합물, 고무 개질된 에폭시 화합물, 지방족 폴리 글리시딜계 에폭시 화합물 및 지방족 글리시딜 아민계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 에폭시 화합물을 추가로 포함하는 에폭시 조성물
20 20
제19항에 있어서, 상기 에폭시 화합물은 코어구조로 비스페놀, 비페닐, 나프탈렌, 벤젠, 티오디페놀, 플루오렌(fluorene), 안트라센, 이소시아누레이트, 트리페닐메탄, 1,1,2,2-테트라페닐에탄, 테트라페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 아미노페놀, 지환족, 지방족, 또는 노볼락 유니트를 갖는 에폭시 조성물
21 21
제19항에 있어서, 에폭시 화합물의 총 중량을 기준으로 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물 10 내지 100wt% 및 글리시딜에테르계 에폭시 화합물, 글리시딜계 에폭시 화합물, 글리시딜아민계 에폭시 화합물, 글리시딜에스테르계 에폭시 화합물, 고무 개질된 에폭시 화합물, 지방족 폴리 글리시딜계 에폭시 화합물 및 지방족 글리시딜 아민계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 최소 일종의 에폭시 화합물 0wt% 내지 90wt%를 포함하는 에폭시 조성물
22 22
제17항에 있어서, 무기입자 또는 섬유로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 충전제를 추가로 포함하는 에폭시 조성물
23 23
제22항에 있어서, 상기 무기입자는 실리카, 지르코니아, 티타니아, 알루미나, 질화규소 및 질화알루미늄으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 금속산화물, 및 실세스퀴옥산으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 에폭시 조성물
24 24
제22항에 있어서, 상기 섬유는 E 유리섬유, T 유리섬유, S 유리섬유, NE 유리섬유, H 유리섬유, 및 석영으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 유리섬유 및 액정 폴리에스테르 섬유, 폴리에틸렌테레프탈레이트 섬유, 전방향족 섬유, 폴리벤조옥사졸 섬유, 나일론 섬유, 폴리에틸렌 나프탈레이트 섬유, 폴리프로필렌 섬유, 폴리에테르 술폰 섬유, 폴리비닐리덴플로라이드 섬유, 폴리에틸렌 술파이드 섬유, 및 폴리에테르에테르케톤 섬유로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 유기 섬유로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 에폭시 조성물
25 25
제22항에 있어서, 섬유를 포함하는 경우에, 무기입자를 추가로 포함하는 에폭시 조성물
26 26
제17항의 에폭시 조성물을 포함하는 전자재료
27 27
제17항의 에폭시 조성물을 포함하는 기판
28 28
제17항의 에폭시 조성물을 포함하는 필름
29 29
제17항의 에폭시 조성물로 이루어진 기재층 상에 금속층을 포함하는 적층판
30 30
제29항의 적층판을 포함하는 인쇄배선판
31 31
제30항의 인쇄배선판을 포함하는 반도체 장치
32 32
제17항의 에폭시 조성물을 포함하는 반도체 패키징 재료
33 33
제32항의 반도체 패키징 재료를 포함하는 반도체 장치
34 34
제17항의 에폭시 조성물을 포함하는 접착제
35 35
제17항의 에폭시 조성물을 포함하는 도료
36 36
제17항의 에폭시 조성물을 포함하는 복합재료
37 37
제17항의 에폭시 조성물을 포함하는 프리프레그
38 38
제37항의 프리프레그에 금속층이 배치된 적층판
39 39
제17항의 에폭시 조성물의 경화물
40 40
제39항에 있어서, 열팽창계수가 60ppm/℃ 이하인 에폭시 조성물의 경화물
41 41
제39항에 있어서, 유리전이온도가 100℃ 보다 높거나 유리전이온도를 나타내지 않는 에폭시 조성물의 경화물
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1 CN106232608 CN 중국 FAMILY
2 JP06423443 JP 일본 FAMILY
3 JP29506285 JP 일본 FAMILY
4 US10597412 US 미국 FAMILY
5 US20170066789 US 미국 FAMILY
6 WO2015126143 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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2 CN106232608 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 JP2017506285 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP6423443 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US10597412 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US2017066789 US 미국 DOCDBFAMILY
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