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에폭시 수지; 2개 이상의 에폭시 작용기를 갖는 케이지형 실세스퀴녹산 다관능성 단량체 및 경화제를 포함하며, 상기 에폭시 수지, 및 상기 2개 이상의 에폭시 작용기를 갖는 케이지형 실세스퀴녹산 다관능성 단량체는 95:5 ~ 0:100 중량비로 배합되는 고분자 복합체
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에폭시 수지; 및 2개 이상의 아민 작용기를 갖는 케이지형 실세스퀴녹산 다관능성 단량체를 포함하는 고분자 복합체
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에폭시 수지; 2개 이상의 에폭시기를 갖는 케이지형 실세스퀴녹산 다관능성 단량체; 및 2개 이상의 아민기를 갖는 케이지형 실세스퀴녹산 다관능성 단량체를 포함하며, 상기 에폭시 수지, 및 상기 2개 이상의 에폭시 작용기를 갖는 케이지형 실세스퀴녹산 다관능성 단량체는 95:5 ~ 0:100 중량비로 배합되는 고분자 복합체
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제 2항 또는 3항에 있어서, 상기 고분자 복합체는 경화제를 추가로 포함함을 특징으로 하는 고분자 복합체
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제 1항 내지 3항중 어느 한항에 있어서, 상기 케이지형 실세스퀴녹산 다관능성 단량체는 하기 화학식 1로 나타내어짐을 특징으로 하는 고분자 복합체
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제 5항에 있어서, 상기 에폭시기 또는 아민기 이외의 작용기 (R)은 C1-C10 알킬, C2-C10 알킬렌, 아릴 또는 아릴렌, C1-C10 알콕시기, C3-C10 방향족 알킬기, C3-C10 방향족 알콕시기, C3-C7 헤테로 방향족 알콕시기(헤테로 원자는 O, N, S 및 P로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 일종임
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제 4항에 있어서, 상기 케이지형 실세스퀴녹산 다관능성 단량체는 하기 화학식 1로 나타내어짐을 특징으로 하는 고분자 복합체
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제 7항에 있어서, 상기 에폭시기 또는 아민기 이외의 작용기 (R)은 C1-C10 알킬, C2-C10 알킬렌, 아릴 또는 아릴렌, C1-C10 알콕시기, C3-C10 방향족 알킬기, C3-C10 방향족 알콕시기, C3-C7 헤테로 방향족 알콕시기(헤테로 원자는 O, N, S 및 P로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 일종임
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제 1항 내지 3항 중 어느 한항에 있어서, 상기 고분자 복합체는 촉매, 무기입자 및 강화섬유로 구성되는 그룹으로 선택된 최소 일종을 추가로 포함함을 특징으로 하는 고분자 복합체
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제 4항에 한항에 있어서, 상기 고분자 복합체는 촉매, 무기입자 및 강화섬유로 구성되는 그룹으로 선택된 최소 일종을 추가로 포함함을 특징으로 하는 고분자 복합체
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제 1항 내지 3항중 어느 한항에 있어서, 상기 고분자 복합체는 실세스퀴녹산 무기코어가 주쇄에 화학적으로 결합된 에폭시 망상구조 형태임을 특징으로 하는 고분자 복합체
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청구항 1 내지 3항중 어느 한항의 고분자 복합체로 제조된 패키징
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청구항 1 내지 3항중 어느 한항의 고분자 복합체로 제조된 기판
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청구항 1 내지 3항중 어느 한항의 고분자 복합체로 제조된 트랜지스터
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