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TSV 매립 방법

  • 기술번호 : KST2015149464
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 비아를 구비하는 기판 상에 물리기상증착(PVD)에 의하여 확산방지층 및 구리 예비씨앗층을 형성하는 단계; 상기 확산방지층 및 상기 구리 예비씨앗층이 형성된 상기 비아를 구비하는 기판 상에 염기성 구리전해도금으로 구리 보강층을 더하여 구리 씨앗층을 형성하는 단계; 및 상기 구리 씨앗층이 형성된 상기 비아를 구비하는 기판 상에 구리 도금층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 염기성 구리전해도금은 피로인산염(pyrophosphate)과 유기첨가제를 이용하는, TSV 매립 방법을 제공한다.
Int. CL C23C 14/22 (2006.01) C25D 3/38 (2006.01) C23C 14/06 (2006.01)
CPC C25D 3/38(2013.01) C25D 3/38(2013.01) C25D 3/38(2013.01)
출원번호/일자 1020140047961 (2014.04.22)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0121858 (2015.10.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.04.22)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이민형 대한민국 충청남도 천안시 서북구
2 진상훈 대한민국 인천광역시 남동구
3 이운영 대한민국 인천광역시 남구
4 이소영 대한민국 경상북도 문경시 흥덕*길

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 한윤호 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
3 양기혁 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
4 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0381822-70
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.04.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0025418-75
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0516119-05
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.09.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0933619-90
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-0933620-36
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0123178-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
비아를 구비하는 기판 상에 물리기상증착(PVD)에 의하여 확산방지층 및 구리 예비씨앗층을 형성하는 단계;상기 확산방지층 및 상기 구리 예비씨앗층이 형성된 상기 비아를 구비하는 기판 상에 염기성 구리전해도금으로 구리 보강층을 더하여 구리 씨앗층을 형성하는 단계; 및상기 구리 씨앗층이 형성된 상기 비아를 구비하는 기판 상에 구리 도금층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 염기성 구리전해도금은 피로인산염(pyrophosphate)과 유기첨가제를 이용하는,TSV 매립 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 구리 씨앗층을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 형성된 구리 예비씨앗층에 상기 구리 보강층을 더하여 상기 구리 예비씨앗층보다 상기 구리 씨앗층이 더 균일하게 형성되는, TSV 매립 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 구리 도금층을 형성하는 단계는 염기성 구리전해도금 또는 산성 구리전해도금 중 어느 하나를 포함하는, TSV 매립 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 확산방지층은 티타늄(Ti), 탄탈(Ta), 질화티탄(TiN), 질화탄탈(TaN), 산화티탄(TiO2) 및 산화탄탈(TaO) 중 적어도 어느 하나를 포함하는, TSV 매립 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 유기첨가제는 폴리프로필렌 글리콜 중합체(polypropylene glycol copolymers), 폴리에틸렌 글리콜 중합체(polyethylene glycol copolymers), 에틸렌옥사이드-프로필렌옥사이드 중합체(ethylene oxide - propylene oxide copolymers) 및 트리톤(Triton) 계열 중 적어도 어느 하나를 포함하는, TSV 매립 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 비아는 종횡비(aspect ratio)가 5:1 이상의 값을 갖는, TSV 매립 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 구리 씨앗층의 단차피복성(step coverage)은 상기 비아 상부 대비 상기 비아 내부 모든 위치에서 단차피복성이 10% 이상 형성되는, TSV 매립 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 재영솔루텍(주) 제조기반산업원천기술개발 두께 3.5mm 이하급이미지센서-경통일체형 화상통화용 카메라 모듈의융합 생산기반 기술