| 1 |
1
절연막이 형성된 메사형 기판과; 상기 절연막상에 형성된 가열부; 상기 가열부를 덮는 담체층; 및 상기 담체층 상에 형성되는 촉매층을 구비하는 것을 특징으로 하는 마크로 가스 감지 소자
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 온 인슐레이터(SOI) 기판인 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 감지 소자
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 담체층은 산화알루미늄막(Al2O3) 또는 산화막(SiO2)인 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 감지 소자
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 촉매층은 백금막(Pt) 또는 팔라디움막(Pd)인 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 감지 소자
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 기판의 상부 표면 근방에 실리콘 에피층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 감지 소자
|
| 6 |
6
제5항에 있어서, 상기 실리콘 에피층에 상기 가열부의 주위로 다공질 실리콘층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 감지소자
|
| 7 |
7
절연막이 형성된 기판을 준비하는 단계; 상기 절연막 상에 가열부를 형성하는 단계; 상기 기판의 배면을 사진식각하여 메사형의 기판을 형성하는 단계; 상기 가열부 상에 담체층을 형성하는 단계; 및 상기 담체층상에 촉매층을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 감지 소자의 제조 방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서, 상기 기판은 SOI기판인 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 감지 소자의 제조 방법
|
| 9 |
9
제7항에 있어서, 상기 메사형의 기판은 상기 가열부가 형성된 기판의 전면에 포토레지스트를 형성하는 단계와, 상기 기판의 배면에 사진공정으로 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 기판의 배면을 식각하는 단계에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 감지 소자의 제조 방법
|
| 10 |
10
제7항에 있어서, 상기 가열부는 상기 기판 상에 사진공정을 이용하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴상에 Pt막을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계로 구성되는 립트오프(lift-off) 방법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 감지 소자의 제조 방법
|
| 11 |
11
제7항에 있어서, 상기 담체층은 스피터링방법과 산화법을 이용하여 산화알루미늄막(Al2O3) 또는 산화막(SiO2)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 감지 소자의 제조 방법
|
| 12 |
12
제7항에 있어서, 상기 촉매층은 스피터링방법을 이용하여 백금막(Pt) 또는 팔라디움막(Pd)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 감지 소자의 제조 방법
|
| 13 |
13
실리콘 기판상에 실리콘 에피층을 형성하는 단계; 상기 실리콘 에피층 상에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막을 패터닝하여 절연막 패턴을 형성하는 단계; 상기 절연막 패턴이 형성된 실리콘 기판을 양극산화시켜 다공질 실리콘층을 형성하는 단계; 상기 절연막 패턴 상에 가열부를 형성하는 단계; 상기 실리콘 기판의 배면을 사진식각하여 메사형의 실리콘 기판을 형성하는 단계; 상기 가열부 상에 다체층을 형성하는 단계; 및 상기 담체층 상에 촉매층을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 감지 소자의 제조 방법
|
