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표면 열처리방법 및 그 제어장치

  • 기술번호 : KST2015149562
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 단일 소재의 화합물층 및 확산층이 목표 두께에 만족하도록 동시에 표면 열처리하도록 한 표면 열처리방법 및 그 제어장치에 관한 것이다. 이를 위해, 단일 소재에 화합물층 및 확산층이 적층 형성되도록 표면 열처리하는 방법으로서, 화합물층 및 확산층의 목표 두께를 설정하는 설정단계; 상기 단일 소재에 열에너지를 가하는 열처리 조건에서, 상기 화합물층 및 확산층의 목표 두께에 도달하기 위한 상기 화합물층 및 확산층의 목표 열에너지수치를 도출하는 도출단계; 및 상기 단일 소재에 열에너지를 가하여 열처리시, 상기 화합물층 및 확산층에 열에너지가 가해져서 측정되는 실시간 열에너지수치와 상기 목표 열에너지수치를 비교하면서 열처리를 실시하는 열처리단계;를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다. 이같은 구성에 따라, 단일소재에 화합물층 및 확산층이 형성되는 표면 열처리시, 각 층의 반응에 대한 상대적 열에너지수치의 비율을 설정하고, 이를 만족시킬 수 있는 열사이클 모델을 설정하여 각 층에 열에너지를 동시에 가하여 열처리함으로써, 각 층의 목표 두께를 동시에 만족시키면서 제품을 쉽고 간편하게 열처리하는 효과가 있다.
Int. CL C23C 8/24 (2006.01) C21D 1/00 (2014.01) C23C 8/36 (2006.01) C23C 8/80 (2006.01)
CPC C23C 8/24(2013.01) C23C 8/24(2013.01) C23C 8/24(2013.01) C23C 8/24(2013.01)
출원번호/일자 1020140042757 (2014.04.10)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1594139-0000 (2016.02.04)
공개번호/일자 10-2015-0117725 (2015.10.21) 문서열기
공고번호/일자 (20160217) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.04.10)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안경준 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유종정 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 *, ***호(역삼동, 강남역센트럴푸르지오시티)(오주특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2014-0341787-32
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.12.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.01.09 수리 (Accepted) 9-1-2015-0003898-51
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.08.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0546776-18
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-1000685-99
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.10.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1000836-97
8 등록결정서
Decision to grant
2016.01.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0026067-48
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
표면 열처리를 통해 단일 소재의 표면으로부터 물리적 특성이 서로 상이한 화합물층과 확산층이 적층 형성되도록 열처리하는 방법으로서,화합물층 및 확산층의 목표 두께를 설정하는 설정단계(S10);상기 단일 소재에 열에너지를 가하는 열처리 조건에서, 상기 화합물층 및 확산층의 목표 두께에 도달하기 위한 상기 화합물층 및 확산층의 목표 열에너지수치를 도출하는 도출단계(S20); 및상기 단일 소재에 열에너지를 가하여 열처리시, 상기 화합물층 및 확산층에 열에너지가 가해져서 측정되는 실시간 열에너지수치와 상기 목표 열에너지수치를 비교하면서 열처리를 실시하는 열처리단계(S30);를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 열처리방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 도출단계(S20)는,상기 목표 두께에 도달하기 위한 화합물층의 목표 열에너지수치 및 확산층의 목표 열에너지수치의 비율을 설정하는 비율설정단계(S21);상기 화합물층의 목표 열에너지수치를 가열온도와 가열시간의 관계를 형성하는 열사이클 모델을 통해 구하는 제1확보단계(S22);상기 제1확보단계(S22)에서 사용된 상기 열사이클 모델을 상기 확산층에 대입하여 상기 확산층의 목표 열에너지수치를 구하는 제2확보단계(S23);를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 표면 열처리방법
3 3
제 2항에 있어서,상기 제1확보단계(S22)에서 구해진 화합물층의 목표 열에너지수치와 상기 제2확보단계(S23)에서 구해진 확산층의 목표 열에너지수치와의 비율이, 상기 비율설정단계(S21)에서 설정된 화합물층의 목표 열에너지수치 및 확산층의 목표 열에너지수치와의 비율과 일치하지 않는 경우, 화합물층의 목표 열에너지수치를 다른 열사이클 모델로 변경하면서 다시 구하는 제3확보단계(S24);상기 제3확보단계(S24)에서 사용된 상기 열사이클 모델을 상기 확산층에 대입하여 확산층의 목표 열에너지수치를 다시 구하는 제4확보단계(S25);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 열처리방법
4 4
제 3항에 있어서,상기 제3확보단계(S24)와 제4확보단계(S25)에서 구해진 화합물층의 목표 열에너지수치 및 확산층의 목표 열에너지수치의 비율이 상기 비율설정단계(S21)에서 설정된 상기 화합물층의 목표 열에너지수치 및 확산층의 목표 열에너지수치의 비율과 일치될 때까지 반복하여 수행하는 것을 특징으로 하는 표면 열처리방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 표면 열처리는 플라즈마질화 열처리인 것을 특징으로 하는 표면 열처리방법
6 6
제 5항에 있어서,상기 열처리단계(S30)에서는,실시간 측정되는 열에너지수치가 목표 열에너지수치 이하시, 계속해서 소재의 플라즈마질화 열처리를 진행하고, 상기 실시간 측정되는 열에너지수치가 목표 열에너지수치에 도달시, 소재의 플라즈마질화 열처리를 종료하면서 소재를 냉각시키는 것을 특징으로 표면 열처리방법
7 7
제 6항에 있어서,상기 열에너지수치는 화합물층 형성 활성화에너지 및 확산층 형성 활성화에너지를 이용하여 아래의 수학식1에 의해 측정되는 것을 특징으로 하는 표면 열처리방법
8 8
제 6항에 있어서,상기 화합물층 형성 활성화에너지 및 확산층 형성 활성화에너지는, 화합물층 및 확산층에 대해 독립적으로 가해지는 열에너지와 화합물층 두께 및 확산층 두께와의 관계에서 도출한 것을 특징으로 하는 표면 열처리방법
9 9
표면 열처리를 통해 단일 소재의 표면으로부터 물리적 특성이 서로 상이한 화합물층과 확산층이 적층 형성되도록 열처리 제어하는 장치로서,화합물층 및 확산층의 목표 두께를 설정하며, 상기 단일 소재에 열에너지를 가하는 열처리 조건에서, 상기 화합물층 및 확산층의 목표 두께에 도달하기 위한 상기 화합물층 및 확산층의 목표 열에너지수치를 도출하고, 상기 단일 소재에 열에너지를 가하여 열처리시, 상기 화합물층 및 확산층에 열에너지가 가해져서 측정되는 실시간 열에너지수치와 상기 목표 열에너지수치를 비교하면서 열처리를 실시하도록 제어하는 제어부(10);를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 열처리 제어장치
10 10
제 9항에 있어서,상기 제어부(10)와 연결된 컨트롤패널(12)에는 실시간 측정되는 화합물층 및 확산층 열에너지수치와, 상기 화합물층 및 확산층의 목표 열에너지수치가 표시되어 육안으로 확인되도록 구성된 것을 특징으로 하는 표면 열처리 제어장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.