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전도성 플라스틱 막 상에, 용매 80 내지 90중량% 및 광산발생제 10 내지 20중량%로 구성된 광산발생제 용액을 코팅하여 이루어지고, 상기 전도성 플라스틱 막의 두께 대비 광산발생제 코팅막의 두께는 30 내지 200%인, 광산발생제를 이용한 전도성 플라스틱 막
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제 1항에 있어서,상기 광산발생제는 오늄염 화합물, 할로겐 함유 화합물, 술폰 화합물, 술폰산 에스테르 화합물, 트리아진계 화합물, 나프탈렌계 화합물, 트리페닐계 화합물 또는 다이페닐계 화합물 중 적어도 하나인, 광산발생제를 이용한 전도성 플라스틱 막
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제 1항에 있어서,상기 전도성 플라스틱 막은 PEDOT(poly-3,4-ethylene dioxythiophene):PSS(polystyrenesulfonate)를 포함하는, 광산발생제를 이용한 전도성 플라스틱 막
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기재 상에 전도성 플라스틱 막을 코팅하여 전도성 플라스틱 막을 형성하는 전도성 플라스틱 막 코팅단계;상기 전도성 플라스틱 막 상에, 용매 80 내지 90중량% 및 광산발생제 10 내지 20중량%로 구성된 광산발생제 용액을 코팅하여 광산발생제 막을 형성하는 광산발생제 코팅단계; 상기 광산발생제 막에 0
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제 6항에 있어서,상기 전도성 플라스틱 막 코팅단계에서, 상기 전도성 플라스틱 막은 PEDOT(poly-3,4-ethylene dioxythiophene):PSS(polystyrenesulfonate)를 포함하는, 광산발생제를 이용한 전도성 플라스틱 막의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 광산발생제 코팅단계에서, 상기 상기 광산발생제는 오늄염 화합물, 할로겐 함유 화합물, 술폰 화합물, 술폰산 에스테르 화합물, 트리아진계 화합물, 나프탈렌계 화합물, 트리페닐계 화합물 또는 다이페닐계 화합물 중 적어도 하나인, 광산발생제를 이용한 전도성 플라스틱 막의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 전도성 플라스틱 막 코팅단계 및 상기 광산발생제 코팅단계에서, 상기 코팅 후 10 내지 140℃ 하에서 건조하는, 광산발생제를 이용한 전도성 플라스틱 막의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 노광단계에서, 상기 광산발생제 막이 상기 자외선에 의해 광분해되어 산을 발생시키고, 상기 산은 상기 전도성 플라스틱 막에 전달되어 상기 전도성 플라스틱 막의 전도성을 향상시키는, 광산발생제를 이용한 전도성 플라스틱 막의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 노광단계에서, 상기 자외선 조사 이후에, 상기 광산발생제 막을 40 내지 140℃ 하에서 건조하는, 광산발생제를 이용한 전도성 플라스틱 막의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 세척단계에서, 상기 유기용매는 알콜계 또는 페닐계 중 적어도 하나인 광산발생제를 이용한 전도성 플라스틱 막의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 노광단계에서, 상기 광산발생제 막의 표면상에 마스크를 위치시킨 후, 상기 자외선을 조사하여 상기 광산발생제 막의 일부만 노광하는, 광산발생제를 이용한 전도성 플라스틱 막의 제조방법
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제 17항에 있어서,상기 마스크로 인하여, 상기 전도성 플라스틱 막에 전도성 차이에 따른 패턴이 형성되는 광산발생제를 이용한 전도성 플라스틱 막의 제조방법
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제 18항에 있어서,상기 패턴은, 상기 마스크에 의하여 상기 광산발생제 막의 일부 영역만 노광되어 광분해됨으로써, 산을 발생시키고, 상기 산은 상기 전도성 플라스틱 막에 전달되어 상기 노광된 광산발생제 막의 일부 영역 하부에 위치한 상기 전도성 플라스틱 막의 일부 영역의 전도성을 향상시켜 형성되는, 광산발생제를 이용한 전도성 플라스틱 막의 제조방법
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