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태양전지용 실리콘 기판 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015149599
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지용 실리콘 기판 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 에 관한 것으로, AZO 갭 충전을 통하여 태양광의 반사도를 낮추고, 전자빔 조사를 통해 전기적 특성인 비저항을 낮춰 효율을 극대화하고 실리콘 태양전지에 적용된 AZO의 전기적 특성을 향상할 수 있는 태양전지용 실리콘 기판 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020130089229 (2013.07.29)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0014058 (2015.02.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.07.29)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정채환 대한민국 광주 광산구
2 박성재 대한민국 광주 북구
3 김호성 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 이노 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 ***, *층 (서초동, 신한국빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0682316-71
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.04.30 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.06.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0046638-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0521240-05
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.09.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0918108-39
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0918109-85
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0069255-32
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
마이크로 와이어 구조의 태양전지용 실리콘 기판에 있어서,상기 마이크로 와이어 구조의 실리콘 기판상에 AZO를 증착하여 상기 마이크로 와이어 사이를 상기 AZO로 갭 충전하고 전자빔을 조사하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 기판
2 2
제1항에 있어서, 상기 실리콘 기판은 p형 실리콘 기판에 n형 불순물을 도핑하여 p-n 접합을 이루어 형성된 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 기판
3 3
제1항 내지 2항에 있어서, 상기 실리콘 기판의 p층에 알루미늄을 도핑하여 알루미늄 후면전계(Al-BSF; aluminum back-surfacefield)가 형성된 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 기판
4 4
제1항에 있어서,상기 실리콘 기판의 마이크로 와이어의 높이가 0
5 5
제1항에 있어서,상기 AZO는 0
6 6
태양전지용 실리콘 기판의 제조방법에 있어서,평탄한 베이스 상면에 정해진 간격으로 마이크로 와이어가 돌출 형성되어 있는 실리콘 기판을 제조하는 마이크로구조 실리콘 기판 제조단계;상기 마이크로구조 실리콘 기판에 AZO를 증착하여 상기 마이크로 와이어 사이를 갭 충전하는 갭 충전단계; 및상기 마이크로 와이어 사이를 갭 충전한 실리콘 기판에 전자빔을 조사하는 전자빔 조사단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 기판 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 마이크로구조 실리콘 기판의 마이크로 와이어는 식각법을 이용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 기판 제조방법
8 8
제6항에 있어서, 상기 마이크로구조 실리콘 기판은 p형 실리콘 기판과 n형 실리콘 기판이 p-n 접합을 이루어 제조되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 기판 제조방법
9 9
제6항에 있어서, 상기 마이크로구조 실리콘 기판의 p층에 알루미늄을 도핑하여 알루미늄 후면전계(Al-BSF; aluminum back-surfacefield)를 형성하여 제조하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 기판 제조방법
10 10
제6항에 있어서, 상기 마이크로구조 실리콘 기판의 마이크로 와이어의 높이가 0
11 11
제6항에 있어서,상기 갭 충전단계에서 마이크로구조 실리콘 기판에 AZO를 증착하는 방법으로는 DC 스퍼터링법, RF 스퍼터링법, 화학 기상 증착법(Chemical vapor deposition), 펄스 레이저 증착법(Pulsed Laser Depositon), 활성화 반응성 증발법(ARE;Activated Reactive Evaporation) 중 선택되는 어느 하나를 이용하여 제조하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 기판 제조방법
12 12
제6항에 있어서,상기 갭 충전단계에서 증착된 AZO는 0
13 13
제6항에 있어서,상기 전자빔의 세기는 1 내지 4keV, 시간은 50 내지 450초로 조사되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 기판 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP06209682 JP 일본 FAMILY
2 JP28529707 JP 일본 FAMILY
3 US20160163887 US 미국 FAMILY
4 WO2015016480 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2016529707 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP6209682 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2016163887 US 미국 DOCDBFAMILY
4 WO2015016480 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.