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(S1) 용매에 상이동촉매와 SiCl4, GeCl4 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 전구체를 용해시키는 단계;
(S2) 상기 (S1) 단계에서 제조된 용액에 티올기를 갖는 유기물, 하이드록시기를 갖는 유기물 또는 알켄기를 갖는 유기물을 혼합하는 단계;
(S3) 상기 (S2) 단계에서 제조된 혼합 용액에서 4족 반도체 나노입자를 분리하는 단계
를 포함하는 4족 반도체 나노입자의 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 용매는 톨루엔, 아니솔 및 사이크로벤젠으로 이루어진 무극성 탄화수소용매 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 4족 반도체 나노입자의 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 상이동촉매는 역마이셀(inverse-micelle)을 형성할 수 있는 암모늄 염과 할로겐으로 이루어진 염인 것을 특징으로 하는 4족 반도체 나노입자의 제조방법
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제4항에 있어서,
상기 상이동촉매는 테트라옥틸암모늄 브로마이드(tetraoctylammonium bromide), 테트라헥실암모늄 브로마이드(tetrahexylammonium bromide), 세틸트라이메틸암모늄 브로마이드(cetyltrimethylammonium bromide) 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 4족 반도체 나노입자의 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 티올기를 갖는 유기물은 메탄티올(methanethiol), 에탄티올(ethanthiol), 부탄티올(Butanethiol), 헥산티올(Hexanethiol), 옥탄티올(octanthiol) 및 메르캅토메틸(Mercaptomethyl)로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 4족 반도체 나노입자의 제조방법
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7
제1항에 있어서,
상기 하이드록시기를 갖는 유기물은 메탄올(methanol), 에탄올(ethanol), 부탄올(butanol), 헥산올(hexanol) 및 옥탄올(octanol)로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 4족 반도체 나노입자의 제조방법
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8
제1항에 있어서,
상기 (S1) 단계는
(a1) 상기 용매에 상기 상이동촉매를 용해시키는 단계; 및
(a2) 상기 (a1) 단계에서 제조된 용액에 상기 전구체를 용해시키는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 4족 반도체 나노입자의 제조방법
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제8항에 있어서,
상기 (a1) 단계는 상기 용매에 염화물을 첨가하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 4족 반도체 나노입자의 제조방법
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제9항에 있어서,
상기 염화물은 보론트리클로라이드(BCl3), 염화철(FeCl3) 및 삼염화인(PCl3)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 4족 반도체 나노입자의 제조방법
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제1항, 제2항 및 제4항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 4족 반도체 나노입자의 제조방법을 이용하여 제조된 4족 반도체 나노입자
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