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CIGS계 박막 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지

  • 기술번호 : KST2015149667
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 전자 빔 조사에 의하여 광흡수층에 Na 및 K를 확산시킴으로써, 태양전지의 효율을 향상시키고, 확산 공정이 비교적 간단하게 고속으로 이루어질 수 있는 CIGS계 박막 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지가 개시된다.일 예로, 기판을 준비하는 기판 준비 단계; 상기 기판 상에 배면전극을 형성하는 배면전극 형성 단계; 상기 배면전극 상에 광흡수층을 형성하는 광흡수층 형성 단계; 상기 광흡수층 상에 Na 공급층을 형성하는 Na 공급층 형성 단계; 상기 Na 공급층으로부터 상기 광흡수층 내부로 Na를 확산시키는 제 1 확산 단계; 상기 광흡수층 상에 K 공급층을 형성하는 K 공급층 형성 단계; 및 상기 K 공급층으로부터 상기 광흡수층 내부로 K를 확산시키는 제 2 확산 단계를 포함하는 CIGS계 박막 태양 전지의 제조 방법이 개시된다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020130160286 (2013.12.20)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1485009-0000 (2015.01.15)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150126) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.20)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정채환 대한민국 광주 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2 서경민 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-1170506-53
2 등록결정서
Decision to grant		 2014.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0804127-58
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 준비하는 기판 준비 단계;상기 기판 상에 배면전극을 형성하는 배면전극 형성 단계;상기 배면전극 상에 광흡수층을 형성하는 광흡수층 형성 단계;상기 광흡수층 상에 Na 공급층을 형성하는 Na 공급층 형성 단계;상기 Na 공급층으로부터 상기 광흡수층 내부로 Na를 확산시키는 제 1 확산 단계;상기 광흡수층 상에 K 공급층을 형성하는 K 공급층 형성 단계; 및상기 K 공급층으로부터 상기 광흡수층 내부로 K를 확산시키는 제 2 확산 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS계 박막 태양 전지의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 기판은 유연 기판으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 CIGS계 박막 태양 전지의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 배면전극은 Mo로 이루어지는 것을 특징으로 하는 CIGS계 박막 태양 전지의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 Na 공급층은 NaF로 이루어지는 것을 특징으로 하는 CIGS계 박막 태양 전지의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 제 1 확산 단계는 상기 Na 공급층에 전자 빔을 조사함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 CIGS계 박막 태양 전지의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 K 공급층은 KF로 이루어지는 것을 특징으로 하는 CIGS계 박막 태양 전지의 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 제 2 확산 단계는 상기 K 공급층에 전자 빔을 조사함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 CIGS계 박막 태양 전지의 제조 방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 제 2 확산 단계 이후,상기 광흡수층 상에 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층 상에 투명전극을 형성하는 버퍼층 및 투명전극 형성 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS계 박막 태양 전지의 제조 방법
9 9
제 1 항 내지 제 8항 중 어느 하나에 기재된 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 CIGS계 박막 태양 전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국에너지기술연구원 융합연구사업 스퍼터 기반 저온 고효율 와이드 밴드갭 태양전지 개발
2 지식경제부 ㈜에스엔텍 호남권 광역경제권 선도사업 Cylindrical sputter target을 이용한 CIS계 흡수층 박막의 생산성 향상 기술 개발