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P-type 실리콘 기판상에 N-doped 실리콘이 형성되고 나노와이어가 형성된 표면에 산화알루미늄박막의 패시베이션층이 균일하게 형성된 산화알루미늄막이 형성된 실리콘
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제1항에 있어서,상기 패시베이션층은 원자층증착법으로 형성될 수 있고, 나노와이어 등이 형성된 실리콘 기판 상에 TMA(TriMethyAlumium)을 공급하고 세정한 후 H20를 공급하고 세정하여 산화알루미늄박막을 형성하며, 급속열처리를 통해 얻어지는 산화알루미늄막이 형성된 실리콘
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제2항에 있어서,상기 TMA는 펄스 0
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제3항에 있어서,상기 TMA는 10~50초 동안 세정되어 형성되는 산화알루미늄막이 형성된 실리콘
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제2항에 있어서,상기 패시베이션층은 TMA 공급 후 H20를 펄스 0
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제5항에 있어서,상기 H20 공급 후 10~50초 동안 세정되어 형성되는 산화알루미늄막이 형성된 실리콘
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제1항에 있어서,상기 패시베이션층의 두께는 1 내지 15nm인 산화알루미늄막이 형성된 실리콘
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제2항에 있어서,상기 패시베이션층은 박막이 형성된 후 약 350~450℃, H2 분위기에서 약 5~30분 동안 급속열처리를 통해 형성되는 산화알루미늄막이 형성된 실리콘
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태양전지용 단결정 실리콘 소자에 마이크로 또는 나노와이어을 성장시킬 수 있는 실리콘 소자를 준비하는 단계,상기 단결정 실리콘층에 마이크로 또는 나노와이어를 성장시키는 마이크로 또는 나노와이어 형성단계, 및 상기 나노와이어가 형성된 실리콘 소자에 패시베이션을 위한 증착층을 형성단계를 포함하는 산화알루미늄막이 형성된 실리콘의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 착층형성단계는 원자층증착법에 의해 형성되되,마이크로 또는 나노와이어가 형성된 실리콘 소자를 준비하는 단계, TMA주입단계, 화학흡착단계, 세정단계, H20주입단계, 화학반응단계, 세정단계, 어닐링단계를 포함하는 산화알루미늄막이 형성된 실리콘의 제조방법
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제10항에 있어서,TMA주입단계는 상기 나노와이어 등이 형성된 실리콘 기판 상에 TMA(TriMethyAlumium)을 펄스 0
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제11항에 있어서,상기 TMA주입단계 이 후 화학흡착단계 및 세정단계를 거치며, 상기 세정단계는 10~50초 동안 이루어지는 산화알루미늄막이 형성된 실리콘의 제조방법
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제10항에 있어서,H20주입단계는 H20를 펄스 0
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제13항에 있어서,상기 세정단계는 10~50초 동안 이루어지는 산화알루미늄막이 형성된 실리콘의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 어닐링단계는 급속열처리를 통해 이루어질 수 있으며, 약 350~450℃, H2 분위기에서 약 5~30분 동안 이루어지는 산화알루미늄막이 형성된 실리콘의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 산화알루미늄박막은 1 내지 15nm의 두께로 산화알루미늄막이 형성된 실리콘의 제조방법
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