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하기 화학식 AF 내지 IF 및 KF 중 하나인, 스페이서를 포함하는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물
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제8항에 있어서, 상기 화학식 AF 내지 CF, HF, IF 및 KF로 구성된 그룹으로부터 선택되는 동일한 에폭시 화합물이 2개 이상 반복되는 경우에, 상기 화학식 AF 내지 CF로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 에폭시 화합물은 하기 화학식 LG1의 연결기로 연결되고, 그리고 상기 화학식 HF, IF 및 KF로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 에폭시 화합물은 하기 화학식 LG2의 연결기로 연결되는, 스페이서를 포함하는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물
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하기 화학식 AS 내지 IS 및 KS 중 어느 하나의 출발물질과 하기 화학식 R1의 알킬히드록시 화합물 및 에피클로로히드린을 반응시켜서 AM1 내지 IM1 및 KM1 중 어느 하나의 중간생성물 I를 형성하는 제1단계; 및 상기 중간생성물 I과 하기 화학식 R2의 알콕시실란을 반응시켜서 하기 화학식 AF 내지 IF 및 KF 중 어느 하나의 에폭시 화합물을 형성하는 제2단계를 포함하는, 스페이서를 포함하는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
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하기 화학식 AS 내지 IS 및 KS 중 어느 하나의 출발물질과 하기 화학식 R1의 알킬히드록시 화합물 및 에피클로로히드린을 원위치에서 반응시켜서 AM1 내지 IM1 및 KM1 중 어느 하나의 중간생성물 I를 형성하는 제1단계; 상기 중간생성물 I과 하기 화학식 R3의 알케닐 화합물을 반응시켜서 하기 화학식 AM21 내지 IM21 및 KM21로 구성되는 그룹 중 어느 하나의 중간생성물 II를 형성하는 제2단계; 및상기 중간생성물 II와 하기 화학식 R4의 알콕시실란을 반응시켜서 하기 화학식 AF 내지 IF 및 KF 중 어느 하나의 에폭시 화합물을 형성하는 제3단계를 포함하는, 스페이서를 포함하는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
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제10항 또는 제11항에 있어서,상기 제1단계는 상기 출발물질과 상기 알킬히드록시 화합물이 먼저 반응되고, 그 후에, 원위치에서 연속하여 상기 에피클로로히드린을 첨가하여 반응시키는, 스페이서를 포함하는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
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제10항 또는 제11항에 있어서,상기 제1단계는 상기 출발물질과 상기 에피클로로히드린이 먼저 반응되고, 그 후에, 원위치에서 연속하여 상기 알킬히드록시 화합물을 첨가하여 반응시키는, 스페이서를 포함하는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
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제10항 또는 제11항에 있어서,상기 제1단계는 상기 출발물질과 상기 알킬히드록시 화합물을 반응시키는 단계(1-1a); 및 상기 단계(1-1a)의 반응생성물과 에피클로로히드린을 반응시키는 단계(1-2a)에 의해 행하여지는, 스페이서를 포함하는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
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제10항 또는 제11항에 있어서,상기 제1단계는 상기 출발물질과 상기 에피클로로히드린을 반응시키는 단계(1-1b); 및 상기 단계(1-1b)의 반응생성물과 상기 알킬히드록시 화합물을 반응시키는 단계(1-2b)에 의해 행하여지는, 스페이서를 포함하는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
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제8항 또는 제9항의 스페이서를 포함하는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물을 포함하는 에폭시 조성물
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제16항에 있어서, 상기 에폭시 조성물에 포함된 에폭시 화합물의 총 에폭시기:알콕시실릴기의 비율은 1:5 ~ 20:1인, 에폭시 화합물을 포함하는 에폭시 조성물
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제16항에 있어서, 글리시딜에테르계 에폭시 화합물, 글리시딜계 에폭시 화합물, 글리시딜아민계 에폭시 화합물, 및 글리시딜에스테르계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 에폭시 화합물을 추가로 포함하는 에폭시 조성물
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제18항에 있어서, 상기 에폭시 화합물은 코어구조로 비스페놀, 비페닐, 나프탈렌, 벤젠, 티오디페놀, 플루오렌, 안트라센, 이소시아누레이트, 트리페닐메탄, 1,1,2,2-테트라페닐에탄, 테트라페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 아미노페놀, 지환족, 지방족, 또는 노볼락 유니트를 갖는 에폭시 조성물
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제18항에 있어서, 에폭시 화합물의 총 중량을 기준으로 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물 1 내지 100wt% 및 글리시딜에테르계 에폭시 화합물, 글리시딜계 에폭시 화합물, 글리시딜아민계 에폭시 화합물, 및 글리시딜에스테르계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 최소 일종의 에폭시 화합물 0wt% 내지 99wt%를 포함하는 에폭시 조성물
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제16항에 있어서, 충전제로서 무기입자 또는 섬유를 추가로 포함하는 에폭시 조성물
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제21항에 있어서, 상기 무기입자는 실리카, 지르코니아, 티타니아 및 알루미나로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 금속산화물, 질화규소, 질화알루미늄, 및 실세스퀴옥산으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 에폭시 조성물
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제21항에 있어서, 상기 섬유는 E 유리섬유, T 유리섬유, S 유리섬유, NE 유리섬유, D 유리섬유, H 유리섬유, 및 석영으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 유리섬유 및 액정 폴리에스테르 섬유, 폴리에틸렌테레프탈레이트 섬유, 전방향족 섬유, 폴리벤조옥사졸 섬유, 나일론 섬유, 폴리에틸렌 나프탈레이트 섬유, 폴리프로필렌 섬유, 폴리에테르 술폰 섬유, 폴리비닐리덴플로라이드 섬유, 폴리에틸렌 술파이드 섬유, 및 폴리에테르에테르케톤 섬유로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 유기 섬유로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 에폭시 조성물
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제21항에 있어서, 섬유를 포함하는 경우에, 무기입자를 추가로 포함하는 에폭시 조성물
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제16항의 에폭시 조성물을 포함하는 전자재료
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제16항의 에폭시 조성물을 포함하는 기판
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제16항의 에폭시 조성물을 포함하는 필름
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제16항의 에폭시 조성물로 이루어진 기재층 상에 금속층을 포함하는 적층판
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제28항의 적층판을 포함하는 인쇄배선판
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제29항의 인쇄배선판을 포함하는 반도체 장치
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제16항의 에폭시 조성물을 포함하는 반도체 패키징 재료
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제31항의 반도체 패키징 재료를 포함하는 반도체 장치
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제16항의 에폭시 조성물을 포함하는 접착제
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제16항의 에폭시 조성물을 포함하는 도료
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제16항의 에폭시 조성물을 포함하는 복합재료
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제16항의 에폭시 조성물을 포함하는 프리프레그
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제36항의 프리프레그에 금속층이 배치된 적층판
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제16항의 에폭시 조성물의 경화물
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제38항에 있어서, 상기 경화물은 열팽창계수가 50ppm/℃이하인 에폭시 조성물의 경화물
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제38항에 있어서, 상기 경화물은 유리전이온도가 100℃ 보다 높거나 유리전이온도를 나타내지 않는 에폭시 조성물의 경화물
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