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반도체 제조용 스퍼터링 타겟 제조방법

  • 기술번호 : KST2015149761
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 제조용 스퍼터링 타겟 제조방법을 개시한다.본 발명은 합금을 진공 용해 주조하여 주괴를 형성하는 단계와, 상기 주괴의 내부조직을 균질화처리하는 단계와, 상기 균질화 처리된 주괴를 압연가공하되, 매 단계(pass)마다 다양한 방향으로 수회에 걸쳐 압연가공하여 압연재를 형성하는 단계와, 상기 압연재를 소둔열처리하는 단계와, 상기 소둔열처리된 압연재를 후처리 가공하여 스퍼터링 타겟을 제조하는 단계를 포함한다.상술한 바와 같이 본 발명에 따르면 압연공정에 의해 평균 결정립이 200㎛이상이며 균일성을 확보할 수 있는 10인치 이상의 대형 스퍼터링 타겟을 저렴한 비용으로 제조할 수 있는 효과를 가져올 수 있다.
Int. CL H01L 21/203 (2006.01)
CPC C23C 14/3414(2013.01)
출원번호/일자 1019980038250 (1998.09.16)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-0274737-0000 (2000.09.15)
공개번호/일자 10-2000-0019904 (2000.04.15) 문서열기
공고번호/일자 (20001215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.09.16)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조형호 대한민국 경기도 부천시 원미구
2 조 훈 대한민국 인천광역시 연수구
3 고명완 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))
2 김원준 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination
1998.09.16 수리 (Accepted) 1-1-1998-0115726-12
2 특허출원서
Patent Application
1998.09.16 수리 (Accepted) 1-1-1998-0115724-10
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1998.09.16 수리 (Accepted) 1-1-1998-0115725-66
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.14 수리 (Accepted) 4-1-1999-0005793-30
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2000-0078617-40
6 등록사정서
Decision to grant
2000.06.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0140469-77
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2004-5053909-24
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.02.09 수리 (Accepted) 4-1-2007-5022520-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2008-5164358-96
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5178457-80
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.01.20 수리 (Accepted) 4-1-2009-5013686-94
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2010-5161401-06
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

소성가공이 가능한 금속 및 합금 반도체 제조용 스퍼터링 타겟 제조방법에 있어서,

합금을 진공 용해 주조하여 주괴를 형성하는 단계와, 상기 주괴의 내부조직을 균질화처리하는 단계와, 상기 균질화 처리된 주괴를 압연가공하되, 매 단계(pass)마다 다양한 방향으로 수회에 걸쳐 압연가공하여 압연재를 형성하는 단계와, 상기 압연재를 소둔열처리하는 단계와, 상기 소둔열처리된 압연재를 후처리 가공하여 스퍼터링 타겟을 제조하는 단계를 포함하는 반도체 제조용 스퍼터링 타겟 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 압연가공은 매 단계마다 먼저 실시한 압연방향과 직각방향으로 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 스퍼터링 타겟 제조방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 합금은 5N Al-1wt%Si인 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 스퍼터링 타겟 제조방법

4 4

제 2 항에 있어서,

상기 합금의 압연가공 및 소둔열처리조건은 70%이상의 압하율 및 350℃이상을 유지하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 스퍼터링 타겟 제조방법

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 압하율은 매 단계마다 20%의 압하율로 수회에 걸쳐 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 스퍼터링 타겟 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.