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박막형 컴포지트 소재 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015149785
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광택금속을 증착원으로 하여 플라스마(Plasma)를 이용하여 양이온을 형성시키고, 형성된 양이온을 박판상 중합체 모재에 직류(Direct Current: DC) 바이어스를 거는 이온 플레이팅(Ion Plating)법으로 50㎚∼200㎚의 두께를 갖는 증착금속박막을 형성시키는 것에 의해 제조되는 박막형 컴포지트(Composite) 소재에 관한 것으로서 본 컴포지트 소재는 모재에 대한 부착력이 매우 우수하고 반사율 또한 높은 등의 장점이 있는 것이다.
Int. CL C23C 14/32 (2006.01)
CPC C23C 14/32(2013.01) C23C 14/32(2013.01)
출원번호/일자 1019980041975 (1998.10.08)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2000-0025057 (2000.05.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.10.08)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 리의재 대한민국 서울특별시 서초구
2 황태수 대한민국 강원도 춘천시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 노완구 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **-*, *층 (서초동, 썬라이즈빌딩)(미로텍특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.10.08 수리 (Accepted) 1-1-1998-0343125-18
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.10.08 수리 (Accepted) 1-1-1998-0343124-73
3 특허출원서
Patent Application		 1998.10.08 수리 (Accepted) 1-1-1998-0380096-94
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.14 수리 (Accepted) 4-1-1999-0005793-30
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2000-0078617-40
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.09.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0227244-74
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2000.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2000-5341205-37
8 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 2001.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0095620-65
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2004-5053909-24
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.02.09 수리 (Accepted) 4-1-2007-5022520-66
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2008-5164358-96
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5178457-80
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.01.20 수리 (Accepted) 4-1-2009-5013686-94
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2010-5161401-06
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

광택금속을 증착원으로 하여 플라스마를 이용하여 양이온을 형성시키는 제1공정과, 형성된 양이온을 박막상 모재에 직류 바이어스를 거는 이온플레이팅법으로 50㎚∼200㎚의 두께를 갖는 증착금속막을 형성시키는 제2 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 컴포지트 소재의 제조방법

2 2

박막상 모재에 이온플레이팅에 의해 50㎚∼200㎚의 금속박막이 증착되고 상기 금속박막의 모재에 대한 부착력이 75∼95 Kg/㎠이며, 상기 금속박막의 반사율이 400㎚∼700㎚의 파장에서 85%∼99%인 것을 특징으로 하는 박막형 컴포지트 소재

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.