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온열간 단조금형의 코팅막 및 온열간 단조금형의 표면처리방법

  • 기술번호 : KST2015149791
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 온열간 단조금형의 코팅막 및 온열간 단조금형의 표면처리방법에 관한 것으로서, 단조금형의 표면상에 형성된 질화막; 및 상기 질화막 표면상에 형성된 질화지르코늄막;을 포함하여 이루어지며, 상기 질화지르코늄막은 다결정화된 것을 특징으로 한다.본 발명에 따르면, 종래와 달리, 질화막 상에 최적의 고른 결정배향을 갖는 다결정성 질화지르코늄막을 추가로 코팅함으로써, 경도 대비 영률을 현저히 낮출 수 있어, 복원력이 우수한 장점이 있다.
Int. CL C23C 16/34 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01)
CPC C23C 14/0688(2013.01) C23C 14/0688(2013.01) C23C 14/0688(2013.01)
출원번호/일자 1020130142979 (2013.11.22)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1647678-0000 (2016.08.05)
공개번호/일자 10-2015-0059417 (2015.06.01) 문서열기
공고번호/일자 (20160811) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.11.22)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조용기 대한민국 경기 안산시 상록구
2 이원범 대한민국 인천 연수구
3 김기태 대한민국 서울 중구 청구로*

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 나승택 대한민국 서울특별시 서초구 양재천로**길 **, *층 (양재동, 대화빌딩)(무일국제특허법률사무소)
2 조영현 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***(도곡동, 은하수빌딩) *층(특허사무소시선)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-1065971-29
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.12.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.01.09 수리 (Accepted) 9-1-2015-0001356-81
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.06.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0399827-44
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.07.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0739828-29
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-0739785-54
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0905395-03
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.02.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0185790-23
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0185764-46
11 등록결정서
Decision to grant
2016.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0540823-72
12 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2016-1004260-26
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
단조금형의 표면상에 형성된 질화막; 및상기 질화막 표면상에 형성된 질화지르코늄막;을 포함하여 이루어지는 온열간 단조금형의 코팅막으로서,상기 질화지르코늄막은 질화지르코늄이 (111)배향인 결정립, (200)배향인 결정립, (220)배향인 결정립 및 (311)배향인 결정립을 포함하는 다결정성 질화지르코늄 막이고,상기 코팅막은 나노인덴터로 측정하였을 경우, 경도가 24 내지 30GPa이고, 영률이 300 내지 370GPa인 것을 특징으로 하는 온열간 단조금형의 코팅막
2 2
제 1항에 있어서,상기 질화지르코늄막은 상기 단조금형의 금속소재와 다른 종류인 이종금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 온열간 단조금형의 코팅막
3 3
제 2항에 있어서,상기 이종금속은 구리, 아연, 니오븀, 니켈 또는 은 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 온열간 단조금형의 코팅막
4 4
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 질화지르코늄막은, 상기 질화막 표면상에서 내화금속(Refractory metal)막과 교차적층되는 것을 특징으로 하는 온열간 단조금형의 코팅막
5 5
제 4항에 있어서,상기 내화금속막은 티타늄, 니오븀, 몰리브덴, 탄탈럼, 지르코늄, 텅스텐 또는 하프늄 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 온열간 단조금형의 코팅막
6 6
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 질화지르코늄막과 상기 질화막의 두께비율은 1:20 내지 1:120인 것을 특징으로 하는 온열간 단조금형의 코팅막
7 7
삭제
8 8
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 질화지르코늄막은 질화지르코늄을 아크 이온증착법에 의하여, 아크전류 90A 및 바이어스 -50V의 증착조건 하에서 0
9 9
제 2항에 있어서,상기 이종금속은 상기 질화지르코늄막에 부분적으로 미세결정립의 형태로 성장되는 것을 특징으로 하는 온열간 단조금형의 코팅막
10 10
제 2항에 있어서,상기 이종금속은 상기 질화지르코늄막 100원자%에 대하여, 상기 질화지르코늄막 내에 15 내지 50원자% 포함되는 것을 특징으로 하는 온열간 단조금형의 코팅막
11 11
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 단조금형은 금형강(die steel)을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 온열간 단조금형의 코팅막
12 12
삭제
13 13
단조금형의 표면상에 질화막을 형성하는 질화막 형성단계; 및상기 질화막 표면상에 아크 이온증착법에 의하여, 아크전류 90A 및 바이어스 -50V의 증착조건 하에서 0
14 14
제 13항에 있어서,스퍼터링 타겟을 이용하여 상기 단조금형의 금속소재와 다른 종류인 이종금속을 상기 질화지르코늄막에 미세결정립 형태로 성장시키는 이종금속 첨가단계;를 더 포함하며, 상기 이종금속은 구리, 아연, 니오븀, 니켈 또는 은 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 온열간 단조금형의 코팅막의 제조방법
15 15
제 13항 또는 제 14항에 있어서,상기 질화막 형성단계는, 이온질화법 또는 산질화법에 의하여 상기 단조금형의 표면상에 질화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 온열간 단조금형의 코팅막의 제조방법
16 16
제 13항 또는 제 14항에 있어서,상기 질화지르코늄막 상에 내화금속(Refractory metal)막을 적층하는 내화금속막 적층단계;를 더 포함하며, 상기 내화금속막은 티타늄, 니오븀, 몰리브덴, 탄탈럼, 지르코늄, 텅스텐 또는 하프늄 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 온열간 단조금형의 코팅막의 제조방법
17 17
제 16항에 있어서,상기 내화금속막과 상기 질화지르코늄막은 추가로 교차적층되는 것을 특징으로 하는 온열간 단조금형의 코팅막의 제조방법
18 18
제 13항 또는 제 14항에 있어서,상기 질화지르코늄막과 상기 질화막의 두께비율은 1:20 내지 1:120인 것을 특징으로 하는 온열간 단조금형의 코팅막의 제조방법
19 19
제 13항 또는 제 14항에 있어서,상기 질화지르코늄막은 질화지르코늄이 (111)배향인 결정립, (200)배향인 결정립, (220)배향인 결정립, (311)배향인 결정립을 포함하는 것을 특징으로 하는 온열간 단조금형의 코팅막의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.