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단조금형의 표면상에 형성된 질화막; 및상기 질화막 표면상에 형성된 질화지르코늄막;을 포함하여 이루어지는 온열간 단조금형의 코팅막으로서,상기 질화지르코늄막은 질화지르코늄이 (111)배향인 결정립, (200)배향인 결정립, (220)배향인 결정립 및 (311)배향인 결정립을 포함하는 다결정성 질화지르코늄 막이고,상기 코팅막은 나노인덴터로 측정하였을 경우, 경도가 24 내지 30GPa이고, 영률이 300 내지 370GPa인 것을 특징으로 하는 온열간 단조금형의 코팅막
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제 1항에 있어서,상기 질화지르코늄막은 상기 단조금형의 금속소재와 다른 종류인 이종금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 온열간 단조금형의 코팅막
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제 2항에 있어서,상기 이종금속은 구리, 아연, 니오븀, 니켈 또는 은 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 온열간 단조금형의 코팅막
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 질화지르코늄막은, 상기 질화막 표면상에서 내화금속(Refractory metal)막과 교차적층되는 것을 특징으로 하는 온열간 단조금형의 코팅막
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제 4항에 있어서,상기 내화금속막은 티타늄, 니오븀, 몰리브덴, 탄탈럼, 지르코늄, 텅스텐 또는 하프늄 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 온열간 단조금형의 코팅막
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 질화지르코늄막과 상기 질화막의 두께비율은 1:20 내지 1:120인 것을 특징으로 하는 온열간 단조금형의 코팅막
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 질화지르코늄막은 질화지르코늄을 아크 이온증착법에 의하여, 아크전류 90A 및 바이어스 -50V의 증착조건 하에서 0
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제 2항에 있어서,상기 이종금속은 상기 질화지르코늄막에 부분적으로 미세결정립의 형태로 성장되는 것을 특징으로 하는 온열간 단조금형의 코팅막
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제 2항에 있어서,상기 이종금속은 상기 질화지르코늄막 100원자%에 대하여, 상기 질화지르코늄막 내에 15 내지 50원자% 포함되는 것을 특징으로 하는 온열간 단조금형의 코팅막
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 단조금형은 금형강(die steel)을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 온열간 단조금형의 코팅막
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12
삭제
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단조금형의 표면상에 질화막을 형성하는 질화막 형성단계; 및상기 질화막 표면상에 아크 이온증착법에 의하여, 아크전류 90A 및 바이어스 -50V의 증착조건 하에서 0
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제 13항에 있어서,스퍼터링 타겟을 이용하여 상기 단조금형의 금속소재와 다른 종류인 이종금속을 상기 질화지르코늄막에 미세결정립 형태로 성장시키는 이종금속 첨가단계;를 더 포함하며, 상기 이종금속은 구리, 아연, 니오븀, 니켈 또는 은 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 온열간 단조금형의 코팅막의 제조방법
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제 13항 또는 제 14항에 있어서,상기 질화막 형성단계는, 이온질화법 또는 산질화법에 의하여 상기 단조금형의 표면상에 질화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 온열간 단조금형의 코팅막의 제조방법
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제 13항 또는 제 14항에 있어서,상기 질화지르코늄막 상에 내화금속(Refractory metal)막을 적층하는 내화금속막 적층단계;를 더 포함하며, 상기 내화금속막은 티타늄, 니오븀, 몰리브덴, 탄탈럼, 지르코늄, 텅스텐 또는 하프늄 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 온열간 단조금형의 코팅막의 제조방법
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제 16항에 있어서,상기 내화금속막과 상기 질화지르코늄막은 추가로 교차적층되는 것을 특징으로 하는 온열간 단조금형의 코팅막의 제조방법
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제 13항 또는 제 14항에 있어서,상기 질화지르코늄막과 상기 질화막의 두께비율은 1:20 내지 1:120인 것을 특징으로 하는 온열간 단조금형의 코팅막의 제조방법
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제 13항 또는 제 14항에 있어서,상기 질화지르코늄막은 질화지르코늄이 (111)배향인 결정립, (200)배향인 결정립, (220)배향인 결정립, (311)배향인 결정립을 포함하는 것을 특징으로 하는 온열간 단조금형의 코팅막의 제조방법
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