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스퍼터링 타겟 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015149827
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 스퍼터링 타겟의 제조방법은 상변화 소재를 포함하는 분말을 제조하는 단계 및 분말에 펄스 전류와 압력을 가하여 분말의 소결체를 제조하는 단계를 포함한다. 스퍼터링타겟, 상변체, 칼고지나이드, 정보저장매체, 상변화메모리
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/203 (2006.01)
CPC H01L 21/203(2013.01) H01L 21/203(2013.01) H01L 21/203(2013.01)
출원번호/일자 1020070064921 (2007.06.29)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-0872772-0000 (2008.12.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20081209) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.06.29)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최한신 대한민국 인천 연수구
2 주혜숙 대한민국 인천 강화군
3 조형호 대한민국 경기 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인명인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층(역삼동, 두원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0475893-96
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.03.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.04.08 수리 (Accepted) 9-1-2008-0018472-24
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0334701-13
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.08.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0597278-99
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0597280-81
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2008-5164358-96
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5178457-80
9 등록결정서
Decision to grant
2008.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0606304-47
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.01.20 수리 (Accepted) 4-1-2009-5013686-94
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2010-5161401-06
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상변화 소재를 포함하는 분말을 제조하는 단계; 상기 분말을 진공로에서 30분 내지 1시간 동안 150~250 ℃로 유지하는 단계; 및상기 분말에 펄스 전류와 압력을 가하여 상기 분말의 소결체를 제조하는 단계를 포함하고,상기 소결체를 제조하는 단계에서, 승온속도가 5~100 ℃/min이고, 피크 온도가 350~600 ℃이며, 피크 압력이 20~70 MPa인 스퍼터링 타겟 제조방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 분말은 산화물을 더 포함하는 스퍼터링 타겟 제조방법
3 3
제2 항에 있어서,상기 산화물은 SiO2인 스퍼터링 타겟 제조방법
4 4
제3 항에 있어서,상기 분말은 상기 산화물을 2~4 mol
5 5
삭제
6 6
제1 항에 있어서,상기 승온속도가 25~100 ℃/min, 상기 피크 온도가 450~550 ℃, 상기 피크 온도 유지시간 2~10 분, 상기 피크 압력이 20~40 MPa인 스퍼터링 타겟 제조방법
7 7
제1 항에 있어서,상기 소결체가 50~100 mm의 직경을 가지며, 상기 승온속도가 10 ℃/min 이하인 스퍼터링 타겟 제조방법
8 8
제1 항에 있어서,상기 소결체가 100~165 mm의 직경을 가지며, 상기 승온속도가 10 ℃/min 이하이고, 상기 피크 온도가 460 ℃ 이하인 스퍼터링 타겟 제조방법
9 9
제1 항에 있어서,상기 소결체가 165~300 mm의 직경을 가지며, 상기 승온속도가 10 ℃/min 이하이며, 상기 피크 온도가 420 ℃ 이하이고, 상기 피크 압력이 20~35 MPa 인 스퍼터링 타겟 제조방법
10 10
제9 항에 있어서,상기 소결체를 제조하는 단계는, 상기 분말에 최초 5 MPa의 압력을 가하는 단계;탈가스가 종료된 시점부터 25 MPa의 압력을 가하는 단계; 및상기 피크 온도에 도달하여 35 MPa의 압력을 가하여 유지하는 단계를 포함하는 스퍼터링 타겟 제조방법
11 11
삭제
12 12
제1 항에 있어서,상기 상변화 소재는 칼고지나이드 화합물인 스퍼터링 타겟 제조방법
13 13
제12 항에 있어서,상기 칼고지나이드 화합물은 Ge-Sb-Te, Ag-In-Sb-Te 또는 Ag-Sb-Te 합금인 스퍼터링 타겟 제조방법
14 14
제13 항에 있어서,상기 칼고지나이드 화합물은 Ge2Sb2Te5인 스퍼터링 타겟 제조방법
15 15
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.