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고선택성의CO검출용반도체검지물질과검출센서및센서의제조공정과그센서를CO농도검출에이용한방법

  • 기술번호 : KST2015152177
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 CO 와 혼합된 가스 중(특히 NOx)공연비 센서로써 적용하기 위한 고선택성의 CO검출용 반도체 검지물질과 그 제조방법 및 이를 이용한 가스센서와 그 용도에 관한 것으로, 입도 1미크론(㎛)이하의 SnO2를 약 2시간동안 900∼1000℃에서 질소분위기에서 열처리하여 다시 중량비 1∼10%의 V2O5 와 중량비 1∼10%의 ThO2를 첨가하여 4시간동안 미분쇄 혼합한 후 PdCl4 와 바인더(Al2O3)로 점도를 마춘다음 전극 위에 도포해 공기중 650∼700℃에서 2시간동안 열처리하여 동작온도 400℃∼500℃에서 저농도 CO가스에 향상된 감도를 유지하면서, 혼합가스에 다른 가스(특히 NOx)에 대한 선택성이 우수하며, 빠른 감지 및 회복속도를 가짐은 물론 계측기로 사용 가능할 정도의 안전한 재현성을 보이는 CO 감지용 센서검지 물질 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
Int. CL G01N 27/407 (2006.01.01)
CPC G01N 27/4074(2013.01)
출원번호/일자 1019970027703 (1997.06.26)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-0260346-0000 (2000.04.06)
공개번호/일자 10-1999-0003752 (1999.01.15) 문서열기
공고번호/일자 (20000701) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.06.26)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한상도 대한민국 대전광역시 유성구
2 박기배 대한민국 대전광역시 유성구
3 김일진 대한민국 경상남도 김해시
4 손영목 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최영규 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***, B동 ***호 새천년 국제특허법률사무소 (가산동, 우림 라이온스밸리)
2 김경식 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, *층 (서초동, 모인터빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구소 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.06.26 수리 (Accepted) 1-1-1997-0088222-44
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.06.26 수리 (Accepted) 1-1-1997-0088223-90
3 특허출원서
Patent Application		 1997.06.26 수리 (Accepted) 1-1-1997-0088221-09
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.11 수리 (Accepted) 4-1-1999-0032983-31
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.12 수리 (Accepted) 4-1-1999-0045776-91
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.17 수리 (Accepted) 4-1-1999-0048039-85
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.29 수리 (Accepted) 4-1-1999-0076759-30
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0289490-93
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1999.11.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5394449-53
10 의견서
Written Opinion		 1999.11.19 수리 (Accepted) 1-1-1999-5394448-18
11 복대리인선임신고서
Report on Appointment of Sub-agent		 2000.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2000-5013215-34
12 등록사정서
Decision to grant		 2000.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0055096-78
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.05.25 수리 (Accepted) 4-1-2000-0069673-86
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2001-0004982-67
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2002-0076226-24
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.12.22 수리 (Accepted) 4-1-2004-5107350-13
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

입도크기 1미크론(㎛)이하의 SnO2에 촉매활성제로 10wt%(무게중량비) 이내의 V2O5, 10wt%(무게중량비) 이내의 ThO2와 Pd(0

2 2

900∼1000℃, 2시간동안 질소분위기에서 열처리된 입경 1㎛이하의 SnO2 분말에 활성 촉매첨가제로 10wt%(무게중량비)이내의 V2O5와 10wt%(무게중량비) 이내의 ThO2를 혼합하여, 이것을 물과 함께 볼밀에 넣고 4시간 이상 분쇄 혼합한 후, 이를 dry oven에서 약 100℃로 건조하여, 이를 PdCl2와 바인더로서 Al2O3(전체비중대비 2∼25wt%)를 혼합하여 센서 검지물질 페이스트를 만든 후, 이를 앞면에 금전극, 뒷면에 백금 히터가 형성된 알루미나 기판위에 스크린 프린팅 방법으로 도포된 후막을 100℃에 2시간 건조한 후, 650∼750℃에서 2시간 동안 열처리하고, 센서온도 400∼600℃ 사이에서 4시간 이상 에이징한 것을 특징으로 한 센서 제조공정

3 3

알루미나 기판위에 앞면에 0

4 4

공연비관련분야 (각종 연소기, 자동차, 보일러 등) 각종공정 제어 및 계측기 관련분야에 CO 가 포함된 혼합가스에 대한 CO 농도검출시 입도크기 1미크론(㎛)이하의 SnO2에 촉매활성제로 10wt%(무게중량비) 이내의 V2O5, 10wt%(무게중량비) 이내의 ThO2와 Pd(0

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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.