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비정질실리콘태양전지용투명전도막의제조방법

  • 기술번호 : KST2015152230
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0376 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01)
CPC H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01)
출원번호/일자 1019900013868 (1990.09.03)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-0073457-0000 (1994.05.10)
공개번호/일자 10-1992-0007251 (1992.04.28) 문서열기
공고번호/일자 1019940001291 (19940218) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1990.09.03)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤경훈 대한민국 대전직할시유성구
2 송진수 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김경식 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, *층 (서초동, 모인터빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국에너지기술연구소 대한민국 대전시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1990.09.03 수리 (Accepted) 1-1-1990-0081891-08
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1990.09.03 수리 (Accepted) 1-1-1990-0081892-43
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1990.09.03 수리 (Accepted) 1-1-1990-0081893-99
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1990.09.11 수리 (Accepted) 1-1-1990-0081894-34
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1993.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0042400-49
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1993.06.10 수리 (Accepted) 1-1-1990-0081896-25
7 의견서
Written Opinion		 1993.06.10 수리 (Accepted) 1-1-1990-0081895-80
8 의견서
Written Opinion		 1993.08.09 수리 (Accepted) 1-1-1990-0081897-71
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1993.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0042401-95
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1993.09.23 수리 (Accepted) 1-1-1990-0081898-16
11 의견서
Written Opinion		 1993.10.28 수리 (Accepted) 1-1-1990-0081899-62
12 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1993.10.28 수리 (Accepted) 1-1-1990-0081900-21
13 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1994.01.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0042402-30
14 등록사정서
Decision to grant		 1994.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0042403-86
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.11 수리 (Accepted) 4-1-1999-0032983-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.12 수리 (Accepted) 4-1-1999-0045776-91
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.17 수리 (Accepted) 4-1-1999-0048039-85
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.29 수리 (Accepted) 4-1-1999-0076759-30
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.05.25 수리 (Accepted) 4-1-2000-0069673-86
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2001-0004982-67
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2002-0076226-24
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.12.22 수리 (Accepted) 4-1-2004-5107350-13
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
27 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
28 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
29 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
30 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

유리기판 위에 투명 전도막을 제조하는 방법으로 메탄올을 주용매로 순수와 주석화합물과 불소화합물을 이용한 방법에 있어서, 혼합 용액을 초음파 진동자를 이용하여 무화시킨 다음 이를 반송 가스와 함께 유리기판에 접촉시켜 열분해 산화반응에 의해 불순물로서 불소(F)가 함유된 산화주석(SnO2)을 주성분으로 하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 태양전지용 투명전도막의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 유리기판은 코닝 7059 바륨 봉사유리, 소다석회유리, 소다석회유리 위에 알카리 이온의 확산억제를 위해 산화규소(SiO2)막을 입힌 유리를 이용하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 태양전지용 투명전도막 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 주석화합물 SnCl2, SnCl4·2H2O, SnCl4, SnCl4·nH2O(n=5), (CH3)2SnCl2, 불소화합물은 NH4F, HF중 어느 하나이고, 혼합용액중 주석(Sn) 원자에 대한 불소원자의 무게비가 0

4 4

제1항에 있어서, 혼합용액중 H2O에 대한 CH3OH의 몰비가 0

5 5

제1항에 있어서, 초음파 진동자의 발생 주파수는 1-2MHz인 비정실 실리콘 태양전지용 투명전도막 제조방법

6 6

제1항에 있어서, 반송가스는 공기, 산소, 질소중 어느 하나인 비정실 실리콘 태양전지용 투명전도막 제조방법

7 7

제1항에 있어서, 열분해 산화반응을 위한 유리기판 온도가 400℃-500℃ 범위인 비정실 실리콘 태양전지용 투명전도막 제조방법

8 8

제1항에 있어서, 불소 함유된 산화 주석막은 두께 0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.